复旦大学微电子学研究所
- 作品数：13 被引量：7H指数：2
- 相关作者：徐晨曦冯向明张东红更多>>
- 相关机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- PT-8微机化压力传感器
- 鲍敏杭 王言 晋琦 吴宪平 沈加英
- 该传感器采用先进的横向压阻设计方法，应用精密的微机械加工制造技术和新的侧向承压封装结构，使传感器尺寸可缩小到直径φ１．８ｍｍ，长度１０ｍｍ，创国内压力传感器微小型化的新水平。经实用测试表明：该传感器静、动态性能优良，稳定...
- 关键词：
- 关键词：封装工艺金属切削传感器
- 一种用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀速率模型
- 1990年
- 本文提出了一种适用于VLSI工艺模拟的反应离子刻蚀(RIE)速率模型。模型的建立采用统计数学方法,结合较少次数的实验。该模型精度高,实用性强。对CF_4/O_2刻蚀二氧化硅和SF_6/O_2刻蚀掺磷多晶硅的实验表明,模型精度达到5％。该模型植入刻蚀模拟器后能使亚微米刻蚀模拟的精度,提高到一个新的水平。
- 冯向明阮刚
- 关键词：VLSI离子刻蚀
- 考虑速度过冲效应的亚1／4微米MOSFET器件解析模型被引量：3
- 1994年
- 提出了一个考虑速度过冲效应的亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ器件解析模型。亚１／４微米ＭＯＳＦＥＴ靠近源端沟道内电子速度过冲归因于该区域内的强电场。采用源附近电场的弱强阶梯场近似，根据有关弱强阶梯场中速度过冲模拟结果，提出了一个半经验速度过冲因子模型。用此模型和准二维分析方法，得到了解析的漏电流、跨导模型。计算得到的漏电流、跨导与有关实验报导符合较好。速度过冲分析得到的器件速度过冲模型与沟道掺杂浓度的关系得到了有关实验验证。
- 牛国富阮刚
- 关键词：场效应晶体管
- 离子注入多层结构的模拟
- 牛国富阮刚
- 关键词：离子注入多层结构数值模拟集成电路工艺蒙特卡罗模拟
- 硅片Map图信息的提取和利用
- 1995年
- 分析了硅片Ｍａｐ图所提供的生产成品率和各类不合格芯片的位置分布信息，讨论了利用硅片之间Ｏｖｅｒｌａｐ法（重叠法）和硅片上Ｗｉｎｄｏｗ法（窗口法）对Ｍａｐ图进行的统计。着重讨论了：按硅片中不合格芯片密度的显著差异划分边缘区及中心区；不合格芯片局部聚集现象的定量表示；随机性强的不合格芯片的统计分布；有关信息由相应Ｃ语言软件自动提取，与Ｍａｐ图计算机测试进行联用，可用于生产监控、影响成品率因素分析和工艺缺陷的深入研究。
- 张东红阮刚
- 关键词：硅片MAP图成品率
- 短沟道MOSFET渡越时间物理模型
- 1995年
- 叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的ＭＯＳＦＥＴ渡越时间解析模型，计算结果与二维数值模拟符合较好。基于该模型，探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同，并作了物理解释。模型还表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于０．２５μｍ的ＭＯＳＦＥＴ不超过１０％
- 牛国富阮刚
- 关键词：渡越时间速度过冲MOSFET沟道物理模型
- 为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型被引量：3
- 1993年
- 本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10^(18)cm^(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。
- 牛国富阮刚
- 关键词：硅膜二氧化硅SOI结构埋层SIMOX
- 为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型
- 1994年
- 本文提出了一个为ＳＩＭＯＸＳＯＩ结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型，适用于０．７—２．０×１０１８ｃｍ－２剂量范围和５０—３００ｋｅＶ能量范围．模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好．本模型对ＳＩＭＯＸ工艺优化设计和发展ＶＬＳＩＴＣＡＤ具有参考价值，同时给出了在常规氧注入能量（如１５０ｋｅＶ）下用增大剂量方法制备ＴＦＳＯＩ结构的理论依据．
- 牛国富阮刚
- 关键词：硅膜二氧化硅SOI
- 硅锗基区异质结双极型晶体管的研究进展被引量：1
- 1993年
- 本文综述了SiGe-HBT工艺及性能研究的最新进展,提出了若干重要的研究课题.
- 阮刚
- 关键词：双极型晶体管异质结
- 适用于VLSI工艺的多功能二维离子注入模拟器FUTIS
- 1990年
- 本文改进和发展了硅中二维离子注入、离子注入退火及高剂量氧注入分布模型;处理了多次注入、多层掩蔽、多种材料掩蔽及多种掩模边缘;在此基础上给出了适用于VLSI工艺的多功能、实用化二维离子注入模拟器FUTIS。通过与其它工艺模型、模拟器及实验比较,表明FUTIS在精度上有明显改进,在功能上有很大扩展,是一种能适应当今VLSI工艺发展要求的先进的离子注入模拟器。
- 徐晨曦阮刚
- 关键词：VLSI离子注入模拟器
