第4届结技术国际研讨会(The 4th International Workshop on Junction Technology：IWJT-2004)于2004年3月15～16日在上海举行。本届会议(IWJT-2004)，由中国电子学会和日本应用物理学会硅技术分会主办，在国家自然科学基金委、上海市科学技术委员会以及复旦大学微电子研究院等的支持下，由复旦大学负责筹办，首次在中国上海召开。随着CMOS器件进入纳米时代，
研究了单平面透明介质上的电润湿(Electrowetting on Dielectrics,EWOD)数字微流体器件在化学发光检测器中的两个可靠性问题.一是通过对介质层的研究,使用PVD制备300nm Ta_2O_5介质层使驱动电压降低至20.7V,在驱动电压26.9V下速度达到40mm/s;二是通过设置片上加热器解决了Teflon的失效问题,使用1W功率加热5min实现片上疏水角恢复至120°.集成嵌入式加热器的EWOD器件用于葡萄糖检测时,最高灵敏度达到0.12V/(μmol·L^(-1)),检测范围1~20 000μmol/L,最低检测限为1μmol/L.
GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片架构各自的关键实现技术研究现状进行了综述。同时介绍了GaN基单片集成功率IC的发展状况,对栅驱动芯片的实现技术进行了总结。
