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贵州大学大数据与信息工程学院电子科学系

作品数：12 被引量：22H指数：3
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相关机构

文献类型

  • 12篇中文期刊文章

领域

  • 8篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信
  • 1篇社会学
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇发光
  • 3篇近红外
  • 3篇共掺
  • 3篇红外
  • 3篇长余辉
  • 2篇性能研究
  • 2篇光学
  • 2篇CR
  • 2篇EU
  • 1篇电性能
  • 1篇电子科学
  • 1篇电子科学与技...
  • 1篇氧空位
  • 1篇荧光粉
  • 1篇余辉
  • 1篇约瑟夫森结
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇溶胶凝胶法
  • 1篇射频磁控

机构

  • 12篇贵州大学
  • 1篇教育部
  • 1篇贵州省微纳电...

作者

  • 5篇邓朝勇
  • 3篇崔瑞瑞
  • 2篇杨发顺
  • 2篇张弛
  • 1篇王凤梅
  • 1篇傅兴华
  • 1篇李绪诚
  • 1篇杨健
  • 1篇龚新勇
  • 1篇周章渝
  • 1篇王松
  • 1篇王星云
  • 1篇王肖芳
  • 1篇张田田
  • 1篇刘微
  • 1篇李睿
  • 1篇罗思远

传媒

  • 4篇光电子．激光
  • 1篇物理学报
  • 1篇贵州大学学报...
  • 1篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇爱情婚姻家庭

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2016
  • 1篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
《纳米材料与器件》课程改革探索
2022年
《纳米材料与器件》这门课程是电子信息类专业重要的专业课程之一,是一门涉及物理、化学、材料、生物等领域知识的新兴交叉学科。本文从课程教学方式、考核方式两个方面着手,提出课堂教学和实验教学相结合的教学策略,探讨了教学改革的措施。目的在于提高学生的学习兴趣和主观能动性、培养学生的科学思维方式及分析问题解决问题的能力、丰富学生的视野。Abstract: Nanomaterials and Devices is one of the important professional courses in the electronic information major. It is an emerging interdisciplinary subject involving knowledge in physics, chemistry, materials, biology and other fields.This paper starts from the curriculum teaching method and the assessment method, puts forward the teaching strategy of combining classroom teaching and experimental teaching, and discusses the measures of teaching reform. The purpose is to improve students’ interest in learning and subjective initiative, cultivate students’ scientific thinking mode and their ability to analyze and solve problems, and enrich students’ vision.
崔瑞瑞郭祥邓朝勇
关键词：课堂教学实验教学教学改革
硼膜制备工艺、微观结构及其在硼化镁超导约瑟夫森结中的应用被引量：3
2016年
MgB_2材料具备临界转变温度较高、相干长度大、临界电流和临界磁场高等优点,被认为有替代Nb基超导材料的潜力.研究了不同温度下以化学气相沉积法制备的硼(B)薄膜的微观结构.实验结果表明:较低温度沉积的B先驱薄膜为无定形B膜,可以与Mg蒸气反应生成MgB_2超导薄膜;当沉积温度高于550?C时,所得硼薄膜为晶型薄膜;以晶型硼薄膜为先驱膜在镁蒸气中退火,不能生成硼化镁超导薄膜.利用晶型B膜的这一特点,成功制备了以晶型硼薄膜为介质层的硼化镁超导约瑟夫森结.
王松王星云周章渝杨发顺杨健傅兴华
关键词：MGB_2约瑟夫森结
钛酸锶钡薄膜的制备及其铁电性能研究
2016年
本文采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)制备Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3(BST)铁电薄膜,研究了在退火时间为450 s条件下,溶胶浓度、退火温度以及涂膜层数对薄膜的结晶结构和铁电性能的影响。利用X射线衍射分析仪(XRD)、铁电测试仪对BST薄膜的微观结构和电学性能进行了表征分析。结果表明:当溶胶浓度为0.4 mol/L,涂膜层数为4层,退火温度为650℃时,BST薄膜的矫顽场(EC)约为230 kV/cm,饱和极化值(PS)约为18μC/cm^2,剩余极化值(Pr)约为7.5μC/cm^2,表明薄膜具有良好的铁电性能。当电场强度为175 kV/cm时,BST薄膜达到饱和状态时而未被击穿,此时薄膜的电流密度J约为0.29μA/cm^2,表明所制备的薄膜质量较好。
黄哲观张田田邓朝勇
关键词：溶胶凝胶法退火温度铁电性能
Eu^3+掺杂浓度及基质氧空位对Ca^2-xEuxSnO4发光性能的影响被引量：4
2016年
采用高温固相法制备Ca_(2-x)SnO_4:xEu^(3+)(x=0,0.001,0.005,0.01,0.015,0.02)发光材料,分别在空气和真空氛围中进行烧结,研究Eu3+掺杂浓度及基质中氧空位对样品发光性能的影响。随着Eu^(3+)离子浓度的增加,发射强度呈逐渐增大的趋势,主发射峰由两个分别位于614 nm和618 nm的峰逐步合为一个位于616nm的发射峰。在Ca_(2-x)SnO_4∶xEu^(3+)样品的激发光谱中,存在着200~295 nm的Eu^(3+)-O^(2-)电荷迁移带,随着Eu^(3+)离子浓度的增加,电荷迁移带的峰位由271 nm红移到286 nm。此外,在Eu^(3+)离子掺杂浓度相同的情况下,真空中烧结得到样品的发光强度是空气中烧结得到样品的2倍。这是由于在真空氛围中烧结产生的氧空位增加使得传导电子密度升高,导致发光强度增加。而且,氧空位的增加导致电子陷阱的增多,这使得Ca_(2-x)SnO_4∶xEu^(3+)样品的余辉性能得到了很大程度的提高。
王肖芳张弛邓朝勇
关键词：发光氧空位余辉
CaSi_2O_2N_2：Ce^(3＋)/Eu^(2＋)荧光粉的发光性能研究被引量：3
2015年
采用高温固相反应法制备了CaSi2O2N2:Ce3+/Eu2+荧光粉,研究了分别掺杂Ce3+、Eu2+及Ce3+/Eu2+共掺杂时荧光粉的发光特性。CaSi2O2N2:Ce3+在333nm激发下得到宽波段的发射谱,发射峰位于395nm,随着Ce3+浓度的增大,发射波长出现明显的红移,猝灭浓度为1 mol%。CaSi2O2N2:Eu2+在397nm激发下得到峰值位于540nm处的宽波段发射谱,猝灭浓度为1 mol%。对于Ca0.99-2 xSi2O2N2:xCe3+,xLi+,0.01Eu2+荧光粉,在333nm激发下,位于395nm处的发射峰十分微弱,在540nm处有宽带发射,随着Ce3+浓度增大,位于540nm处的Eu2+的特征发射显著增强。对于Ca0.98-ySi2O2N2:0.01Ce3+,0.01Li+,yEu2+荧光粉,在激发光波长为333nm,Eu2+浓度较低时,可以观察到两个发射带,峰值分别位于395nm及540nm,随着Eu2+浓度增加,位于395nm的发射强度一直减小,而540nm处的发射强度先增加后减小,猝灭浓度为0.4mol%。证实了Ce3+,Eu2+之间发生了有效的能量传递。计算出Ce3+、Eu2+之间能量传递的效率ηT,在Eu2+浓度为1 mol%时ηT趋于饱和,达到97.7%。通过计算,得到Ce3+与Eu2+之间的能量传递方式为电偶极-电偶极相互作用。
罗思远李绪诚崔瑞瑞邓朝勇
关键词：荧光粉稀土
磁控溅射氧氩体积流量比对β-Ga_(2)O_(3)薄膜的影响
2023年
利用射频磁控溅射在c面单晶蓝宝石(Al_(2)O_(3))衬底上制备Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了溅射过程中通入氧气与氩气的体积流量比对经过异位高温后退火处理得到的β-Ga_(2)O_(3)薄膜特性的影响。利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表征,结果表明β-Ga_(2)O_(3)薄膜沿着■晶面择优生长,具备较好的单一取向性。在氧氩体积流量比约为1∶20时,薄膜的结晶性能相对较好、表面晶粒分布较均匀、均方根粗糙度较小、晶粒尺寸较大。此外,吸收光谱表征结果表明,不同氧氩体积流量比下制备得到的β-Ga_(2)O_(3)薄膜的带隙变化范围为4.53~4.64 eV,在较低氧氩体积流量比下制备的β-Ga_(2)O_(3)薄膜表现出较优的光学性质,在波长200~300 nm内具有较好的吸收特性,表现出良好的深紫外光学特性。
杨赉杨发顺杨发顺马奎
关键词：射频磁控溅射光学特性
新型近红外超长余辉材料Zn3Ga4GexO(9＋2x)：1%Cr^(3＋)的制备与发光性能研究被引量：6
2016年
采用高温固相反应法制备了Zn3Ga3.99GexO9+2 x:1%Cr3+(x=1,2,3,4,5)新型近红外长余辉荧光粉,利用X射线衍射(XRD)和荧光(PL)光谱分别对其晶体结构、PL性质和余辉性能进行了分析。结果表明,Zn3Ga3.99Cr0.01GexO9+2 x实际上是Cr3+和Ge4+共同取代了ZnGa2O4尖晶石结构中的部分Ga3+而形成的固溶体;样品可以被近紫外光和蓝绿光有效地激发,发射出640~720nm波长范围的红光和近红外光,峰值位于695nm波长附近,属于Cr3+的特征发射,对应于2 E→4A2的跃迁;余辉持续时间均超过300h。进一步分析了烧结温度对Zn3Ga3.99GexO9+2 x:1%Cr3+(x=1,2,3,4,5)材料的发光和余辉性能影响,得到Zn3Ga3.99Cr0.01Ge1O11的最佳烧结温度是1 200℃,且随温度的升高,样品的发光和余辉性能均得到提高。
刘微崔瑞瑞邓朝勇
关键词：固溶体近红外长余辉
共掺杂LiGa_5O_8∶Cr^(3+)长余辉材料的制备及发光特性
2018年
采用高温固相反应法制备了Si^(4+)、Ge^(4+)和Sn^(4+)离子掺杂的LiGa_5O_8∶Cr^(3+)长余辉材料,系统研究了掺杂对LiGa_5O_8∶Cr^(3+)光致发光和长余辉性能的影响。实验结果表明,所制备的系列材料能产生650~800nm的近红外余辉发射,主发射峰位于717nm,来源于Cr^(3+)离子的2E→4A2特征跃迁,与未进行掺杂的样品相比,掺杂Si 4+、Ge^(4+)和Sn^(4+)离子的LiGa_5O_8∶Cr^(3+)余辉发光强度均得到增强,余辉性能显著改善。热释光测试结果表明,Si 4+、Ge^(4+)和Sn^(4+)离子掺入主要提高了LiGa_5O_8∶Cr^(3+)的陷阱浓度,且使得有效陷阱的数量增加,从而改善了LiGa_5O_8∶Cr^(3+)的余辉性能。
黄维超李绪诚崔瑞瑞龚新勇邓朝勇
关键词：长余辉近红外掺杂
Cr^3＋和Si^4＋共掺对LiGa5O8近红外长余辉材料发光性能的影响被引量：1
2018年
高温固相法合成了共掺Si^(4+)的LiGa_5O_8:Cr^(3+)长余辉材料,采用X射线衍射、荧光光谱、余辉发射光谱、余辉衰减曲线和热释光对样品分别进行了表征,并分析了Si掺杂对LiGa_5O_8:Cr^(3+)发光性能的影响。结果表明,所合成的LiGa_5O_8:Cr^(3+),Si^(4+)材料能产生近红外长余辉发射,主发射峰位于717nm,归属于Cr^(3+)的~2 E→~4A_2跃迁,共掺Si^(4+)能显著提高余辉性能。掺杂浓度为0.25时,样品的初始发光强度提高了3倍,余辉性能最佳,余辉持续时间超过30h。热释光曲线表明,共掺Si^(4+)离子可增加有效陷阱数量,从而改善材料的余辉发光性能。
黄维超龚新勇李绪诚崔瑞瑞邓朝勇
关键词：长余辉近红外
以专业认证为抓手,推进电子科学与技术专业建设
2020年
新工科背景下,开展工程教育专业认证势在必行。贵州大学电子科学与技术专业以专业认证三个核心理念为引导,着力培养目标、毕业要求、课程体系、课堂教学、办学条件、持续改进等方面,提升人才培养供给质量,推进专业建设,为专业认证创造条件。
肖清泉谢泉王凤梅
关键词：工程教育
全选 清除 导出
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