微波毫米波单片集成和模块电路国家级 重点实验室
- 作品数：19 被引量：22H指数：3
- 相关作者：李肖李忠辉焦刚孔月婵李辉更多>>
- 相关机构：电子科技大学南京电子器件研究所南京大学更多>>
- 发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 短波长OEIC光接收机前端设计及制作被引量：2
- 2008年
- 基于国内的材料和工艺技术,研制出850nm单片集成光接收机前端,集成形式包括PIN/TIA、PIN/DA、MSM/TIA和MSM/DA等。对光探测器和电路分别进行了研究和优化。通过Silvaco软件,建立了探测器器件模型,并通过实验数据验证。分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ,输入、输出驻波比均小于2,噪声系数在3.03～6.5dB之间。跨阻前置放大器-3dB带宽接近10GHz,跨阻增益约43dBΩ,输入、输出驻波比均小于3.5,噪声系数在4～6.5dB之间。集成芯片最高工作速率达到5Gb/s。
- 范超陈堂胜陈辰焦世龙陈镇龙刘霖王昱琳叶玉堂
- 关键词：光电集成电路光接收机前端跨阻放大器
- 5Gb/s GaAs MSM/PHEMT单片集成光接收机前端被引量：1
- 2006年
- 焦世龙陈堂胜蒋幼泉冯欧冯忠杨立杰李拂晓陈辰邵凯叶玉堂
- 关键词：单片集成PHEMTGAASMSM
- 10Gb/s GaAs PHEMT电流模跨阻抗光接收机前置放大器(英文)
- 2007年
- 采用0．5μm GaAs PHEMT工艺研制了一种单电源共栅电流模跨阻抗前置放大器（TIA）．测量得到放大器-3dB带宽为7．5GHz，跨阻增益为45dBQ；输入输出电压驻波比（VSWR）均小于2；等效输入噪声电流谱密度在14．3～22pA／√Hz之间，平均值为17．2pA／√Hz．在输入10Gb／s非归零（NRZ）伪随机二进制序列（PRBS）信号下，放大器输出眼图清晰，具有14ps的定时抖动和138mV的峰峰电压．
- 焦世龙叶玉堂陈堂胜冯欧蒋幼泉范超李拂晓
- 关键词：PHEMT电流模式前置放大器眼图
- 4W/mm蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT被引量：3
- 2007年
- 报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结材料制作的HEMT,器件功率输出密度达4W/mm。通过材料结构及生长条件的优化,利用MOCVD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为0.97×1013cm-2、迁移率为1000cm2/Vs的AlGaN/GaN异质结构材料,用此材料完成了栅长1μm、栅宽200μm AlGaN/GaN HEMT器件的研制。小信号测试表明器件的fT为17GHz、最高振荡频率fmax为40GHz;负载牵引测试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4.04W/mm。
- 任春江李忠辉焦刚董逊李肖陈堂胜李拂晓
- 关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管二维电子气最高振荡频率
- AlGaN/GaN HEMT的B^+注入隔离被引量：4
- 2007年
- 报道了利用B+注入实现AlGaN/GaN HEMT的有源层隔离。通过优化离子注入的能量和剂量,获得了1011Ω/□的隔离电阻,隔离的高阻特性在700°C下保持稳定。分别制作了用B+注入和台面实现隔离的AlGaN/GaN HEMT,测试表明B+注入隔离的器件击穿电压大于70V,相比于台面隔离器件40V的击穿电压有很大提高;B+注入隔离器件电流增益截止频率fT和最大振荡频率fmax分别达到15GHz和38GHz,相比台面隔离器件的12GHz和31GHz有一定程度提高。
- 李肖陈堂胜李忠辉焦刚任春江
- 关键词：离子注入氮化镓高电子迁移率晶体管
- 单片集成GaAsPIN／PHEMT光接收机前端工艺研究被引量：2
- 2008年
- 利用0.5μm GaAs PHEMT技术研究了适用于单片集成GaAs PIN/PHEMT光接收机前端的关键工艺,解决了台面工艺和PHEMT平面工艺的兼容性问题,包括不同浓度磷酸系腐蚀液对台面腐蚀均匀性的影响、台面与平面共有金属化工艺对光刻技术的要求。结果表明,工艺技术完全满足单片设计要求,研制得到的单片集成光接收机前端在输入1Gb/s和2.5Gb/s非归零(NRZ)伪随机二进制序列(PRBS)调制的光信号下得到较为清晰的输出眼图。
- 冯忠焦世龙冯欧杨立杰蒋幼泉陈堂胜陈辰叶玉堂
- 关键词：单片集成分布放大器光接收机眼图
- 可调增益均衡性宽带MMIC低噪声放大器设计被引量：1
- 2006年
- 文章提出了一种新颖的具有可调增益均衡特性的宽带全单片低噪声放大器电路设计方法,它将用于微波功率模块(MPM)的固态功率放大器(SSPA)链前端中的两项功能独立的电路(多级单片宽带低噪声放大器LNA和单片宽带频率均衡放大器FEA)组合设计在一块单片电路芯片中。其中LNA部分采用高效率高增益宽带级联型分布放大器取代常规的行波式分布放大器,使得放大器级数显著减少;频率均衡放大器提出用一种利用FET作可调元件的嵌入式低损无源网络来取代,使得放大器的增益特性在频带中部下凹可调,补偿了行波管“山丘状”功率增益特性。在此基础上完成设计的 MMIC LNA,仅使用3个0．25μm×120μm pHEMT,在6GHz～18GHz频带内,小信号增益14．3 ±0．8 dB,输入、输出反射损耗<-10 dB,NF<5 dB;嵌入可调增益均衡网络后,在其他性能参数基本保持不变的前提下,频带中部引入的电调衰减范围超过6．5 dB,完全满足MPM要求。
- 汪珍胜陈效建郑惟彬李辉
- 关键词：微波单片集成电路频率均衡器微波功率模块
- 10Gb/s GaAs PHEMT高增益光接收机前置放大器(英文)被引量：2
- 2007年
- 基于南京电子器件研究所0.5μm GaAs PHEMT工艺,研制了一种高增益级联式光接收机前置放大器.作为前级的跨阻抗放大器的-3dB带宽为10GHz,小信号增益为9dB;作为后级的分布式放大器的-3dB带宽接近20GHz,小信号增益为12dB;级联前置放大器小信号增益达21.3dB,跨阻增益为55.3dBΩ,在输入10Gb/s非归零伪随机二进制序列下,放大器输出眼图清晰、对称、信噪比优于跨阻放大器,分布放大器不能校正的输入波形失真也得到显著改善.
- 焦世龙杨先明赵亮李辉陈镇龙陈堂胜邵凯叶玉堂
- 关键词：GAASPHEMT光接收机前置放大器眼图
- S波段20W单片功率PIN限幅器
- 2009年
- 彭龙新蒋幼泉黄子乾杨立杰李建平
- 关键词：PIN限幅器S波段PIN二极管低噪声放大器GAAS非线性模型
- 5Gb/s单片集成GaAs MSM/PHEMT 850nm光接收机前端被引量：3
- 2007年
- 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17pF,4V偏压下的暗电流小于17nA.分布放大器-3dB带宽接近20GHz,跨阻增益约46dBΩ;在50MHz^16GHz范围内,输入、输出电压驻波比均小于2;噪声系数在3.03~6.5dB之间.光接收机前端在输入2.5和5Gb/s非归零伪随机二进制序列调制的光信号下,得到较为清晰的输出眼图.
- 焦世龙陈堂胜钱峰冯欧蒋幼泉李拂晓邵凯叶玉堂
- 关键词：分布放大器光接收机眼图
