无锡市罗特电子有限公司
- 作品数：89 被引量：209H指数：9
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- 相关领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术理学更多>>
- 积极开发特种半导体分立器件
- 2007年
- 全球半导体分立器件市场
据IC Insinghts报道，2006年全球半导体分立器件市场销售额166亿美元，比上年增长8．8％，这是自20世纪70年代以来首次超过IC增长率（2006年IC销售额增长率8．7％）。预计2007全球分立器件市场销售额177亿美元，同比增长7．7％，2011年达219亿美元，2006-2011年分立器件市场销售额年均增长率（CAGR）6％。
- 缪彩琴翁寿松毛立平
- 关键词：半导体分立器件市场销售额销售额增长率同比增长IC
- 太阳能电池及其设备被引量：3
- 2008年
- 以太阳能电池为代表的光伏产业是朝阳产业,目前它处在历史上最大爆炸式的成长期。2007年全球光伏产业市场212亿美元,2012年增长至709亿美元,2007～2012年年均复合增长率27.31%。目前太阳能电池处于以单晶或多晶硅为衬底的第一代产品,正在向以硅体或非晶硅(隐瓷或玻璃)为衬底的薄膜太阳能电池(第二代产品)过渡。目前太阳能电池的原材料多晶硅处于供不应求,预计2010年可得到缓得。
- 翁寿松
- 关键词：光伏产业太阳能电池薄膜太阳能电池多晶硅
- 光刻、OPC与DFM被引量：9
- 2006年
- 讨论了90/65nm芯片设计采用可制造性设计的必要性和优势。介绍了以RET/OPC为核心的可制造性设计。
- 翁寿松
- 关键词：光刻光学邻近效应校正可制造性设计分辨率增强技术
- 193 nm ArF浸没式光刻技术PK EUV光刻技术被引量：1
- 2007年
- 2006年11月英特尔决定采用193nm ArF浸没式光刻技术研发32nm工艺。2007年2月IBM决定在22nm节点上抛弃EUV光刻技术,采用193nm ArF浸没式光刻技术。对于32nm/22nm工艺,193nm ArF浸没式光刻技术优于EUV光刻技术,并将成为主流光刻技术。
- 翁寿松
- 关键词：NM
- 高k绝缘层研究动态被引量：6
- 2005年
- 介绍了ITRS2003对高k绝缘层材料的要求、高k绝缘层材料必须满足的要求、高k绝缘材料(尤其是HfSiON材料)研究成果以及研究中存在的问题。
- 翁寿松
- 关键词：栅结构栅介质
- 再议SOI技术和应用被引量：4
- 2003年
- 本文再次介绍SOI晶圆市场,SOI晶圆制造厂商,SOI技术和SOI晶圆的应用。
- 翁寿松
- 关键词：SOI制造厂商
- 低k电介质及其设备被引量：5
- 2008年
- 低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45nm芯片制造的标准工艺。90nm工艺要求k=3.0～2.9,65nm工艺要求k=2.8～2.7,45nm工艺要求k=2.6～2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电。对于22nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连。
- 翁寿松
- 关键词：CU互连化学机械抛光碳纳米管
- 固体纳米电子器件的发展及应用
- 2004年
- 介绍固体纳米电子器件及其应用。固体纳米电子器件包括共振隧穿器件(RTD)、量子点器件(QD)和单电子器件(SED)。单电子器件又分为单电子晶体管(SET)和单电子存储器(SEM)。
- 翁寿松
- 关键词：共振隧穿器件单电子器件
- 二手设备市场悄然兴起
- 2004年
- 讨论了二手设备市场的兴起和新动向,中国是二手设备市场的最大买主,并指出购买二手设备应注意的几外问题。
- 翁寿松
- 关键词：买主联盟
- IC产品的竞争与融合被引量：1
- 2005年
- 本文介绍了ASIC与FPGA以及NOR闪存与NAND闪存的竞争与融合。
- 缪彩琴翁寿松
- 关键词：IC产品NAND闪存NOR闪存FPGAASIC
