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何军

作品数：49 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术政治法律电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 45篇专利
  • 4篇学位论文

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇政治法律
  • 1篇经济管理

主题

  • 11篇压阻
  • 11篇感器
  • 11篇传感
  • 11篇传感器
  • 10篇压阻式
  • 10篇键合
  • 9篇压力传感器
  • 9篇芯片
  • 9篇力传感器
  • 8篇刻蚀
  • 8篇MEMS器件
  • 7篇芯片尺寸
  • 7篇封装
  • 7篇成品率
  • 6篇微结构
  • 6篇牺牲层
  • 6篇结构层
  • 5篇电路
  • 5篇电阻
  • 5篇压力计

机构

  • 49篇北京大学

作者

  • 49篇何军
  • 45篇张大成
  • 45篇杨芳
  • 41篇王玮
  • 39篇李婷
  • 38篇田大宇
  • 38篇刘鹏
  • 37篇罗葵
  • 30篇黄贤
  • 27篇赵丹淇
  • 22篇张立
  • 8篇林琛
  • 7篇姜博岩
  • 6篇李睿
  • 2篇李丹
  • 2篇赵前程
  • 1篇王颖

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 7篇2017
  • 5篇2016
  • 12篇2015
  • 5篇2014
  • 11篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 1篇2004
  • 1篇2002
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法
本发明公开一种增强SOG工艺微结构键合强度的方法，该方法采用由多个锚点构成的组合式锚点结构进行微结构键合。该组合式锚点优选为阵列形式。可以通过拉伸或者剪切断裂试验确定使组合式锚点结构的键合强度最大的锚点数目，并作为组合式...
何军张大成黄贤赵丹淇林琛王玮杨芳田大宇刘鹏李婷罗葵
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一种利用热驱提取微锚腿扭转键合强度的方法
本发明公开了一种提取微锚腿扭转键合强度的方法，通过新设计的片上检测结构中的热驱结构对微锚腿产生扭转作用的力偶矩使锚腿断裂，记录断裂时的驱动位移并计算扭转键合强度值。此方法可用来进行键合工艺的监测和评价，也可用来预测器件的...
何军张大成张立杨芳刘鹏王玮李婷罗葵田大宇
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一种自封装的MEMS器件及红外传感器
本发明公开一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件以及及采用该器件结构的红外传感器。该MEMS器件包括基片、衬底保护层、下电极、下电极保护层、结构层、金属层以及封装层，所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统
本发明公开了一种提取体硅工艺制造的微梁拉伸断裂强度的方法及系统，利用新设计的片上试验机结构和微电子工艺检测分析用探针台相结合的系统，提取微梁的拉伸断裂强度参数。此方法可用来进行刻蚀(腐蚀)工艺监测，也可用来预测器件的机械...
何军张大成张立王玮杨芳田大宇刘鹏李婷
基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法
本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法，其步骤包括：在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层，并化学机械抛光下电极保护层的表面；采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；在...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法
本发明公开了一种压阻式压力计芯片结构及其制备方法，优选采用TSV和CMP工艺来实现。其中硅应变膜的厚度可以利用TSV工艺提前确定，在利用CMP工艺进行硅片减薄时可以自停止在TSV金属填充孔位置，可以大幅提高硅应变膜厚度的...
黄贤杨芳张大成姜博岩王玮何军田大宇刘鹏罗葵李婷张立
一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法
本发明公开了一种MEMS压阻式压力传感器及其制备方法。本发明首次提出具有回旋镖结构的硅应变膜，压敏电阻排布于回旋镖结构的应力集中处，提高了压阻式压力传感器的灵敏度和线性度；选择LPCVD的SiO<Sub>2</Sub>/...
关淘淘杨芳黄贤张大成王玮姜博岩何军张立付锋善李丹李睿范泽新赵前程王玮
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ASML Twinscan套刻精度优化及匹配的系统性研究
过去10年，中国的集成电路产业得到迅猛发展，300mm晶圆厂不断兴起。而作为集成电路生产关键设备之一的光刻机，ASMLTwinscan系列设备以其出色的成像能力，高效的生产率，一枝独秀，成为目前光刻工艺的主流机台。　　随...
何军
关键词：套刻精度集成电路产业
一种预调阈值的post-CMOS集成化方法
本发明提供一种预调阈值的post-CMOS集成化方法，通过预估MEMS工艺引入的阈值漂移量调整IC工艺中CMOS工艺的掺杂浓度，提高post-CMOS工艺后MOS管的阈值对称性。本发明方法对阈值漂移缺陷进行转化利用，不需...
赵丹淇张大成何军黄贤杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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一种MEMS和IC单片集成方法
本发明公开了一种MEMS和IC单片集成方法，先在基片上完成除金属互连以外的所有IC工艺，然后依次淀积氧化硅层和氮化硅层作为IC区域的保护层；再采用MEMS表面牺牲层工艺制作MEMS结构；刻蚀去除IC区域的氮化硅保护层之后...
赵丹淇张大成林琛何军杨芳田大宇刘鹏王玮李婷罗葵
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