何杰
- 作品数：5 被引量：24H指数：4
- 供职机构：河北大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- HWP-CVD氮化硅薄膜的结构和光学特性被引量：7
- 2004年
- 采用傅立叶红外吸收谱和紫外-可见透射谱研究了螺旋波等离子体增强化学气相沉积法制备的氢化非晶氮化硅薄膜的原子间键合结构和光学特性。结果表明,在不同硅、氮活性气体配比冗下,薄膜表现出不同的Si/N比和H原子键合方式,富氮样品中H原子主要和N原子结合,而富硅样品中主要和Si原子结合。随着R的增加,薄膜的光学带隙Eg和E04逐渐减小,此结果关联于薄膜结构无序性程度的增加,而薄膜的(E04-Eg)和Tauc斜率B值之间存在着相互制约关系。
- 于威侯海虹何杰王华英傅广生
- 关键词：氮化硅薄膜光学特性
- 脉冲激光退火纳米碳化硅的光致发光被引量：8
- 2005年
- 采用XeCl准分子脉冲激光退火技术制备了纳米晶态碳化硅薄膜(nc -SiC) ,并对薄膜的光致发光(PL)特性进行了分析。结果表明,纳米SiC薄膜的光致发光表现为30 0～6 0 0nm范围内的较宽发光谱带,随退火激光能量密度的增加,nc- SiC薄膜398nm附近的发光峰相对强度增加,而4 70nm附近发光峰相对减小。根据nc SiC薄膜的结构特性变化,认为这两个发光峰分别来源于6H -SiC导带到价带间的复合发光和缺陷态发光,并且这两种发光过程存在竞争。
- 于威何杰孙运涛韩理傅广生
- 关键词：光致发光纳米碳化硅SIC薄膜6H-SICXECL复合发光
- 纳米硅薄膜的光吸收特性研究
- 本工作设计了一套基于光吸收原理的表面光电压测量装置，利用表面光电压技术对螺旋波等离子体方法制备的纳米硅薄膜的光吸收特性进行了研究。结合紫外可见透射光谱、raman光谱以及扫描电镜对样品的结构及光学特性的表征结果，分析了纳...
- 何杰
- 关键词：纳米硅光吸收特性载流子复合
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- 碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究被引量：5
- 2004年
- 采用XeCl准分子激光对非晶碳化硅 (a SiC)薄膜的脉冲激光晶化特性进行了研究 .通过原子力显微镜 (AFM)和Raman光谱技术对退火前后薄膜样品的形貌、结构及物相特性进行了分析 .结果表明 ,选用合适的激光能量采用激光退火技术能够实现a SiC薄膜的纳米晶化 .退火薄膜中的纳米颗粒大小随着激光能量密度的增加而增大 ;Raman谱分析结果显示了退火后的薄膜的晶态结构特性并给出了伴随退火过程存在的物相分凝现象 .根据以上结果并结合激光退火特性 ,对a
- 于威何杰孙运涛朱海丰韩理傅广生
- 关键词：碳化硅薄膜激光退火晶化半导体材料晶体结构分析拉曼光谱分析
- 半导体光电特性的表面光电压谱表征被引量：5
- 2004年
- 根据半导体能带结构 ,利用静电平衡条件及电荷守衡定律 ,详细讨论了半导体表面光电压的产生原理、测量方法 ,给出了单晶硅的表面光电压谱 。
- 王华英朱海丰何杰李丽宏
- 关键词：半导体表面光电压表面光电压谱单晶硅
