朱海丰
- 作品数：6 被引量：13H指数：3
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- 反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响
- 2004年
- 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05eV处,其半高宽为1.48eV.
- 朱海丰杨彦斌路万兵于威
- 关键词：光致发光
- 镶嵌在氮化硅中纳米非晶硅薄膜制备及发光特性
- 本工作采用螺旋波等离子体化学气相沉积(hwp-cvd)方法制备了一系列氢化非晶氮化硅(a-sinx: h)薄膜，利用傅立叶红外吸收谱(ftir)，x射线光电子能谱(xps)，raman光谱，扫描电镜(sem)等技术对a-...
- 朱海丰
- 关键词：发光特性量子限制效应
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- 量子阱效应及其光电性质的表面光电压谱表征
- 2004年
- 讨论了量子阱限制效应、激子的束缚能以及激子峰的形成,分析了量子阱的光电特性及量子阱表面光电压的形成和特点。结果表明:量子阱有根本不同于体材料的光电特性。
- 王华英朱海丰冯云鹏
- 关键词：半导体表面光电压谱
- 碳化硅薄膜脉冲激光晶化特性研究被引量：5
- 2004年
- 采用XeCl准分子激光对非晶碳化硅 (a SiC)薄膜的脉冲激光晶化特性进行了研究 .通过原子力显微镜 (AFM)和Raman光谱技术对退火前后薄膜样品的形貌、结构及物相特性进行了分析 .结果表明 ,选用合适的激光能量采用激光退火技术能够实现a SiC薄膜的纳米晶化 .退火薄膜中的纳米颗粒大小随着激光能量密度的增加而增大 ;Raman谱分析结果显示了退火后的薄膜的晶态结构特性并给出了伴随退火过程存在的物相分凝现象 .根据以上结果并结合激光退火特性 ,对a
- 于威何杰孙运涛朱海丰韩理傅广生
- 关键词：碳化硅薄膜激光退火晶化半导体材料晶体结构分析拉曼光谱分析
- 螺旋波等离子体沉积纳米硅薄膜结构特性被引量：3
- 2004年
- 采用螺旋波等离子体化学气相沉积(HWPCVD)技术,以SiH_4作为源反应气体在Si(100)和玻璃衬底上制备了纳米Si薄膜。通过X射线衍射(XRD)、Raman光谱、原子力显微镜(AFM)对所制备的材料结构和形貌等特性进行表征,分析了纳米Si薄膜结构随衬底温度变化的规律。实验结果表明,在较低的衬底温度(100-300℃)范围内,可以实现高晶化度纳米Si薄膜的沉积,颗粒大小在4-8nm之间,样品的晶化度随着衬底温度升高而升高,晶粒大小也随之增大,样品表面光滑,晶粒分布均匀。
- 于威朱海丰王保柱韩理傅广生
- 关键词：纳米硅薄膜结构特性
- 半导体光电特性的表面光电压谱表征被引量：5
- 2004年
- 根据半导体能带结构 ,利用静电平衡条件及电荷守衡定律 ,详细讨论了半导体表面光电压的产生原理、测量方法 ,给出了单晶硅的表面光电压谱 。
- 王华英朱海丰何杰李丽宏
- 关键词：半导体表面光电压表面光电压谱单晶硅
