何进
- 作品数：86 被引量：62H指数：5
- 供职机构：北京大学深圳研究生院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划广东省教育部产学研结合项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 一种独立栅控制的无结纳米线场效应晶体管
- 本发明涉及一种独立栅控制的无结纳米线场效应晶体管，由控制栅电极(7)、调节栅电极(5)、源区(1)、漏区(3)、沟道区(2)、控制栅介质层(6)和调节栅介质层(4)组成，成轴对称：调节栅电极位于中心；沟道区及其两侧的源区...
- 何进梅金河张爱喜朱小安杜彩霞
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- 一种无结场效应晶体管
- 本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相...
- 楼海君林信南李冰华何进
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- ULTRA-B:新一代纳米集成电路CMOS模型的研究和发展
- 本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导;MOSFET表面势的物理解;基于物理的电流解析方程和计算;MOSFET量子...
- 何进张立宁黄宇聪吴佳珍徐姣姣周致赜林信南
- 关键词：表面势量子效应纳米集成电路互补金属氧化物半导体
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- 场限环结构电压和边界峰值电场分布及环间距优化被引量：10
- 2003年
- 采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析 ,提出了平面结场限环结构的电压分布和边界峰值电场的解析理论。以单场限环为例 ,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式。讨论了不同环间距和反偏电压对场限环电压的影响 ,并用流行的 2 -D半导体器件模拟工具 MEDICI对解析计算进行了验证。根据临界电场击穿近似 ,讨论了环间距的优化设计并给出了优化环间距表达式。在一定结深和掺杂浓度时 。
- 何进张兴
- 关键词：场限环击穿电压功率集成电路
- 等价掺杂转换理论预示扩散 -外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度(英文)
- 2001年
- 基于等价掺杂转换理论的应用 ,得到了解析计算扩散 -外延穿通 P- N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果 .介绍了等价掺杂转换方法的基本理论 ,然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击穿电压和击穿峰值电场强度计算公式 ,并正确地预示了最大击穿电压和击穿峰值电场强度的位置 .
- 何进张兴黄如王阳元
- 关键词：击穿电压
- 一种厚膜SOI场效应晶体管
- 本发明公开了一种厚膜SOI场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服SOI器件固有的Kink效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜SOI场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种厚...
- 杨胜齐何进黄如王文平张兴王阳元
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- 正偏栅控二极管R-G电流方法测量SOI MOS管中应力诱生界面陷阱的实验研究
- 本文完成了正偏栅控二极管生产—复合电流法测量SOI MOS管中由于应力产生的界面陷阱密度的实验研究.该试验方法简单而且比较准确,它可以直接测得应力产生的平均界面陷阱密度,从而表征器件的抗热载流子特性.对于本文测量的器件,...
- 黄爱华何进张兴黄如
- 关键词：栅控二极管
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- 一种隧穿双栅场效应晶体管（T-FinFET）特征漏电压提取方法
- 本发明涉及一种适用于隧穿双栅场效应晶体管(T‑FinFET)的特征漏电压提取方法，包括：选择三点不同漏‑源电压Vds，将栅‑源电压Vgs从+0.5伏扫描到+2.0V，测试出场效应晶体管的转移电流特性曲线Ids‑Vgs，确...
- 何进任源李春来胡国庆刘京京潘俊王小萌何箫梦于胜
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- 一种芯壳结构纳米线遂穿场效应器件
- 本发明涉及一种芯壳结构纳米线遂穿场效应器件，由栅电极(6)，源区(1)，漏区(4)，中心区和栅介质层(5)组成，其中：中心区为同轴对称的芯壳结构，芯壳结构中的芯为绝缘体材料，芯壳结构中的壳为半导体材料；栅介质层全套入中心...
- 何进张湘煜张爱喜杜彩霞朱小安
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- 一种具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管
- 本发明公开了一种具有N型硅埋层的部分绝缘层上硅LDMOS晶体管，所述晶体管结构自下而上依次含有一衬底层；一部分氧化层，其中左半部分为硅窗口，右半部分为埋氧层；一硅膜层以及一器件顶层。本发明公开的具有N型硅埋层的部分绝缘层...
- 胡月何进毛曼卿梅金河杜彩霞朱小安
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