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张立宁

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 7篇纳米
  • 7篇纳米线
  • 7篇晶体管
  • 7篇沟道
  • 6篇场效应
  • 6篇场效应晶体管
  • 4篇电流开关
  • 4篇势垒
  • 4篇沟道效应
  • 3篇电路
  • 3篇电学性能
  • 2篇电路设计
  • 2篇栅结构
  • 2篇中心区
  • 2篇阈值电压
  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇英文
  • 1篇涨落

机构

  • 10篇北京大学

作者

  • 10篇张立宁
  • 8篇何进
  • 4篇张健
  • 3篇张兴
  • 2篇周旺
  • 1篇郑睿
  • 1篇冯宁
  • 1篇苏畅
  • 1篇黄如
  • 1篇黄宇聪
  • 1篇傅越
  • 1篇黄芊芊
  • 1篇张健

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2015
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管
本发明公开一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由内栅电极、外栅电极，内外栅介质层，沟道区和源区、漏区组成；其中，内栅电极位于整个器件结构的中心；由内向外内栅介质，沟道区，外栅介质和外栅电极同轴的全包围内层区域。...
张立宁何进张健
ULTRA-B:新一代纳米集成电路CMOS模型的研究和发展
本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导;MOSFET表面势的物理解;基于物理的电流解析方程和计算;MOSFET量子...
何进张立宁黄宇聪吴佳珍徐姣姣周致赜林信南
关键词：表面势量子效应纳米集成电路互补金属氧化物半导体
文献传递
一种分布式沟道铁电晶体管FeFET建模方法
本发明公开了一种分布式沟道铁电晶体管FeFET的建模方法，本发明结合了空间分布的沟道表面势与铁电极化翻转之间的相互耦合，可以准确刻画不同漏端电压下金属‑铁电‑界面层‑半导体(MFIS)结构的FeFET电学特性，避免了使用...
黄芊芊苏畅张立宁冯宁王凯枫焦彦欣黄如
文献传递
一种纳米线场效应晶体管
本发明公开一种纳米线场效应晶体管。该晶体管是由栅电极、源区、漏区、中心区和栅介质层组成；其中，中心区为芯-壳结构，该芯-壳结构同轴；栅介质层全包围中心区，栅电极全包围栅介质层；源区和漏区分别位于中心区的两侧。其中，中心区...
何进张立宁张健张兴
文献传递
非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型(英文)
2008年
通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式.该模型由一组表面势方程组成,解析形式的漏电流可以通过源端和漏端的电势得到.结果标明该模型在双栅MOSFET的所有工作区域都成立,而且不需要任何简化(如应用薄层电荷近似)和辅助拟合函数.对不同工作条件和不同尺寸器件的二维数值模拟与模型的比较进一步验证了提出模型的精度.
何进张立宁张健傅越郑睿张兴
关键词：双栅MOSFET器件物理
分裂栅结构的纳米线场效应晶体管
本发明公开了一种分裂栅结构的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由分裂栅电极、源区、漏区、沟道区和栅介质层组成；其中，所述沟道区呈柱状，所述沟道区位于所述纳米线场效应晶体管的中心，构成所述沟道区的材料为半导体材料；所述栅介质层...
周旺张立宁何进
文献传递
环栅/纳米线MOSFET模型和模拟研究
环栅/纳米线MOSFET被普遍认为可以推动CMOS的比例缩小直到极限。在传统的器件结构基础上,不同的工艺和材料创新被引入到环栅/纳米线MOSFET中以提高器件的电学性能,包括栅非覆盖源漏结构,沟道应力工程,高介电常数栅介...
张立宁
关键词：纳米线电学性能数值模拟
分裂栅结构的纳米线场效应晶体管
本发明公开了一种分裂栅结构的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由分裂栅电极、源区、漏区、沟道区和栅介质层组成；其中，所述沟道区呈柱状，所述沟道区位于所述纳米线场效应晶体管的中心，构成所述沟道区的材料为半导体材料；所述栅介质层...
周旺张立宁何进
文献传递
一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管
本发明公开一种独立栅控制的纳米线场效应晶体管。该晶体管是由内栅电极、外栅电极，内外栅介质层，沟道区和源区、漏区组成；其中，内栅电极位于整个器件结构的中心；由内向外内栅介质，沟道区，外栅介质和外栅电极同轴的全包围内层区域。...
张立宁何进张健
文献传递
一种纳米线场效应晶体管
本发明公开一种纳米线场效应晶体管。该晶体管是由栅电极、源区、漏区、中心区和栅介质层组成；其中，中心区为芯-壳结构，该芯-壳结构同轴；栅介质层全包围中心区，栅电极全包围栅介质层；源区和漏区分别位于中心区的两侧。其中，中心区...
何进张立宁张健张兴
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