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何进

作品数：37 被引量：151H指数：6
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 16篇期刊文章
  • 4篇学位论文

领域

  • 15篇电子电信
  • 12篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 13篇电路
  • 12篇集成电路
  • 10篇电路技术
  • 10篇集成电路技术
  • 7篇功耗
  • 6篇键合
  • 6篇硅片
  • 5篇低功耗
  • 5篇直接键合
  • 5篇硅片直接键合
  • 4篇输入端
  • 4篇晶体管
  • 4篇反相器
  • 3篇亚阈值
  • 3篇复杂度
  • 3篇尺寸设计
  • 2篇等价
  • 2篇低复杂度
  • 2篇低延迟
  • 2篇电路实现

机构

  • 37篇电子科技大学
  • 1篇广东省卫生厅
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇东莞迪赛软件...

作者

  • 37篇何进
  • 18篇贺雅娟
  • 17篇张波
  • 10篇陈星弼
  • 8篇王新
  • 6篇史兴荣
  • 4篇马斌
  • 4篇杨传仁
  • 4篇邢彦
  • 2篇罗萍
  • 2篇甄少伟
  • 2篇王光卫
  • 2篇范明钰
  • 2篇张岱南
  • 1篇陈雷霆
  • 1篇杨家兴

传媒

  • 4篇电子科技大学...
  • 3篇电子元件与材...
  • 2篇半导体技术
  • 2篇Journa...
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子产品世界
  • 1篇计算机系统应...
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 7篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2004
  • 2篇2000
  • 8篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1995
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
TiO_2(Ag)纳米半导体薄膜的制备及其光催化性能被引量：10
1999年
对热解Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４＋ＡｇＮＯ３溶胶制备的ＴｉＯ２（Ａｇ）纳米半导体薄膜光催化特性与其结构的关系进行了研究。薄膜对二卡基砜的光催化降解结果表明，热解温度显著影响薄膜的光催化作用，这与ＴｉＯ２微粒的长大和晶相转变有关；适量的Ａｇ作活性剂可以显著改善薄膜的光催化性能。
何进陈星弼杨传仁刘世程
关键词：光催化二氧化钛半导体薄膜
一种高稳定性的CORDIC算法实现电路
一种高稳定性的CORDIC算法实现电路，属于集成电路技术领域。包括CORDIC算法运算模块和检错纠错模块，CORDIC算法运算模块包括n个级联的CORDIC运算单元，检错纠错模块包括第一寄存器组、第二寄存器组、第一加法器...
贺雅娟何进张子骥万晨雨衣溪琳张波
文献传递
微波介质陶瓷材料综述被引量：85
1995年
从使用微波介质陶瓷材料制作微波介质谐振器的角度，详细综述了微波介质陶瓷材料的特性、发展现状，讨论了提高微波介质材料性能的途径，指出了其今后的发展和应用方向。
何进杨传仁
关键词：微波介质谐振器陶瓷材料
VDMOS均匀掺杂外延区的优化设计被引量：10
1999年
本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普遍关系式．在此基础上提出了ＶＤＭＯＳ为均匀掺杂外延区时的优化设计理论：对于各种高压ＶＤＭＯＳ，只要外延区厚度取为同衬底浓度下突变结击穿时耗尽层宽度的最佳分割长度，即穿通因数Ｆ的倒数η为０７５ 时，就可保证外延区Ｒｏｎ为最小．凭借此理论，本文首次推出了ＶＤＭＯＳ外延区优化设计的严格理论公式，纠正了一些文献引用经验关系或突变结关系导出的设计公式的不准确性及错误结论．这些理论结果可直接作为功率ＭＯＳ等非电导调制器件的设计准则．
何进王新陈星弼
关键词：VDMOS场效应晶体管掺杂优化设计
AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性
1998年
研究了ＡｌＮ基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性。实验发现，膜电阻率随温度变化呈现出从ＮＴＣ过渡到ＰＴＣ的Ｕ型特性，转折温度ＴＭ的位置依赖工艺条件的变化。理论分析表明：晶界势垒使膜电阻率在温度变化上存在一个极小值，极小值对应的转折温度正比于晶界势垒。
何进杨传仁
关键词：多晶硅
硅-硅直接键合的亲水处理及界面电特性被引量：7
1999年
研究了基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,提出了一种独特的三步亲水处理法。这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiOx体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍。
何进王新陈星弼
关键词：半导体工艺表面处理硅片直接键合
VDMOS均匀掺杂外延区优化设计的简单理论被引量：4
1999年
在高压ＶＤＭＯＳ器件中，保证足够高的漏源击穿电压ＢＶＰＴ和尽可能低的比导通电阻Ｒｏｎ是设计中必须同时考虑的两个相互矛盾的主要方面。对于耐压高的ＶＤＭＯＳ，Ｒｏｎ主要由外延区决定。本文通过外延区为均匀掺杂的ＶＤＭＯＳ穿通击穿条件和外延区比导通电阻Ｒｏｎ的理论分析，首次得到了Ｒｏｎ随外延区参数、击穿电压变化的简捷普适关系。在此基础上提出了ＶＤＭＯＳ为均匀掺杂外延区时优化设计的简单理论：对于各种高压ＶＤＭＯＳ，只要外延区厚度取为同衬底浓度下突变结击穿时耗尽层宽度的最佳分割长度，即利用系数η０＝ ０．７５，就可保证外延区Ｒｏｎ 为最小。凭借此理论，可以用熟知的突变结击穿参数计算ＶＤＭＯＳ外延区优化参数，而且结果与其它文献的理论计算相吻合，二者相差不大于３％ 。这一理论结果可直接作为功率ＭＯＳ等非电导调制器件的设计准则。
何进陈星弼王新
关键词：VDMOS掺杂场效应晶体管
一种低功耗二维离散余弦变换方法及其电路
一种低功耗二维离散余弦变换方法及其电路，属于集成电路技术领域。本发明根据CSD编码后的余弦系数，通过移位加的方式精确计算最重要的行DCT系数Fx(0)、Fx(1)和列DCT系数Fy(0)和Fy(1)，截断输入数据低三位后...
贺雅娟马斌邢彦何进钱亦端张波
文献传递
由SDB及AS技术实现IGBT的研究
具有MOS栅控能力和双极晶体管大电流传输性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT)是21世纪最理想的功率半导体开关之一。该文在回顾功率器件的发展历史、分析IGBT器件和SDB技术及终端技术研究现状及存在问题的基础上，对由SDB及...
何进
关键词：绝缘栅双极晶体管流片
文献传递
一种低功耗二维离散余弦变换方法及其电路
一种低功耗二维离散余弦变换方法及其电路，属于集成电路技术领域。本发明根据CSD编码后的余弦系数，通过移位加的方式精确计算最重要的行DCT系数Fx(0)、Fx(1)和列DCT系数Fy(0)和Fy(1)，截断输入数据低三位后...
贺雅娟马斌邢彦何进钱亦端张波
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