陈星弼
- 作品数：103 被引量：184H指数：7
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程经济管理理学更多>>
- 一种具有独特导通机理的新型超结IGBT被引量：5
- 2011年
- 首次指出了超结IGBT这一新型功率半导体器件独特的导通机理并对其作了详细分析。通过TMA-MEDICI仿真验证,超结IGBT耐压能力和正向导通能力都明显优于普通IGBT。并且发现,不同N柱、P柱掺杂浓度下器件的导通模式会在单极输运和双极输运之间相互改变,而这一特性是超结IGBT所独有的。也正是这一特殊的导通机理使得超结IGBT的Eoff-Von关系得到了突破性的改进。此外,结合超结技术的基本理论详细分析了电荷非平衡效应对超结IGBT器件耐压能力的影响,给出了耐压区N柱、P柱掺杂浓度的合理取值范围。
- 王永维陈星弼
- 关键词：绝缘栅双极晶体管击穿电压导通压降关断损耗
- 扩散平面结反偏压下的电场分布与击穿电压被引量：2
- 1992年
- 采用以结深r_j及qN_Br_j^2/ε:为归一化因子的长度和电压(N_?为衬底杂质浓度,q、ε_?的意义如常),通过简单的计算公式及程序,算出了包括各种实用扩散结的平面、边、角的耗尽层厚度,结面上电场和最大电场与结电压的关系,击穿电压与结深的关系。为便于实用,给出了与扩散工艺条件有关的量作参考的曲线族。对边、角部分的击穿电压有时可高于平面部分的击穿电压的情况,进行了物理解释。
- 陈星弼曾军
- 关键词：电场击穿电压
- 一种集成快恢复二极管的SiC功率器件
- 本发明涉及功率半导体领域，具体提供一种集成快恢复二极管的SiC功率器件，包括SiC MOSFET和SiC IGBT；其中，对于集成PN结体二极管的SiC MOSFET器件，能够极大地降低体二极管的反向恢复电荷和相关的损耗...
- 易波赵青谢欣桐张浩悦陈星弼
- 文献传递
- TiO_2(Ag)纳米半导体薄膜的制备及其光催化性能被引量：10
- 1999年
- 对热解Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４＋ＡｇＮＯ３溶胶制备的ＴｉＯ２（Ａｇ）纳米半导体薄膜光催化特性与其结构的关系进行了研究。薄膜对二卡基砜的光催化降解结果表明，热解温度显著影响薄膜的光催化作用，这与ＴｉＯ２微粒的长大和晶相转变有关；适量的Ａｇ作活性剂可以显著改善薄膜的光催化性能。
- 何进陈星弼杨传仁刘世程
- 关键词：光催化二氧化钛半导体薄膜
- 利用电阻场板提高SOI-LIGBT的性能(英文)被引量：1
- 2002年
- 通过在SOI LIGBT中引入电阻场板和一个p MOSFET结构 ,IGBT的性能得以大幅提高 .p MOSFET的栅信号由电阻场板分压得到 .在IGBT关断过程中 ,p MOSFET将被开启 ,作为阳极短路结构起作用 ,从而使漂移区的过剩载流子迅速消失 ,IGBT快速关断 .而且由于电场受到电阻场板的影响 ,使得过剩载流子能沿着一个更宽的通道流过漂移区 ,几乎消去了普通SOI LIGBT由于衬偏造成的关断的第二阶段 .这两个因素使得新结构的关断时间大大减少 .在IGBT的开启状态 ,由于p MOSFET不导通 ,因此器件的开启特性几乎与普通器件一致 .模拟结果表明 ,新结构至少能增加 2 5 %的耐压 ,减少 6 5 %的关断时间 .
- 杨洪强韩磊陈星弼
- 关键词：关断时间击穿电压
- 一种半导体横向器件和高压器件
- 本发明提供了一种半导体横向器件和高压器件。该半导体横向器件具有三个外接端，并且利用两种载流子导电。该器件包括一个以衬底为零电压的最高电压区和最低电压区，两区之间为表面耐压区。最高电压区与最低电压区内各有一个外接端和一个控...
- 陈星弼
- 文献传递
- 高压功率器件特性的数值分析被引量：1
- 1989年
- 在求解高压功率(HV/P)器件的泊松方程与连续性方程中,将与注入和掺杂有关的因子引入物理参数模型。针对HV/P器件分析程序特有的收敛与溢出问题,采用从低电压到高电压的分段解法和归一化的模拟方法。利用此程序对HV/P器件具有场限环和场板结构的特性进行了模拟。
- 李肇基陈星弼曾军
- 关键词：电场分布场板场限环
- 硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性被引量：2
- 1999年
- 对硅一硅直接健合界面上的SiO2进行了研究。借助高真空的AES和高分辨率的SEM显微分析观察到界面上的SiO2化学组成为非化学计量比的SiO1.5，以类球形小岛状均匀分布于键合界面上，平均半径远大于界面自然氧化层。对界面SiO2的理论分析表明，为了降低界面自由能，界面SiO2必然最大限度地减少其表面积，从而以类球形小岛分布于界面上，其平均半径至少大于自然氧化层的1.5倍。假定平衡界面因子为12时，同时考虑氧扩散引起的SiO2融解和界面自由能减小引起的成核长大效应，理论计算与实验结果相吻合。
- 何进王新陈星弼
- 关键词：硅片直接键合二氧化硅
- 一种半导体器件
- 本发明提供了一种半导体器件，将两个端电压相近的高压横向器件做在表面相邻的区域上。两个器件都有与衬底导电类型相反而紧贴于衬底的区。在电压不完全相同的区之间均有一个隔离区。隔离区中的半导体区在全耗尽时向衬底发出的、有效的电通...
- 陈星弼
- 文献传递
- 一种半导体横向器件
- 本发明公开一种半导体横向器件。该半导体横向器件利用最佳表面变掺杂形成的半导体表面耐压区。在一个耐压区加反向偏压的最高电位处的n型区上用金属M构成肖特基结，M作为肖特基二极管的阳极A<Sub>L</Sub>(或A<Sub>...
- 陈星弼
- 文献传递
