刘克源
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：西北大学信息科学与技术学院电子科学系更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程机械工程更多>>
- 基区调变晶体管的“交叉点击穿”
- 1989年
- 本文研究了基区调变晶体管的电击穿现象,提出了描述这种电击穿的“交叉点击穿”理论方法,并应用这个理论方法计算了集成电路中横向PNP管的交叉点雪崩击穿电压,理论值与实验值符合得相当好。
- 刘克源
- 关键词：晶体管雪崩击穿
- 可溶性盐蒸发分解法制备粉体的研究分析——以氧化锌压敏电阻器为例被引量：2
- 1998年
- 综述了一系列有关可溶性盐蒸发分解法制作ＺＮＲ粉体的文献，又分析了本技术中存在的困难及解决方法，得出可溶性盐蒸发分解法可以生产出比传统方法更好的满足ＺＮＲ所要求的颗粒均匀、高纯度、高稳定性、掺杂均匀的粉体。
- 王守国霍建华郭亚平刘克源
- 关键词：压敏电阻器粉体氧化锌
- 微波手术治疗仪的研制
- 1990年
- 0 引言手术刀是外科手术最基本的工具之一,它的优劣直接关系着手术的快慢难易、出血多少、准确程度、感染状况,以及癌瘤病人是否因手术而增加癌细胞的扩散等。用传统的不锈钢手术刀治疗时,出血多,需要钳夹,结扎血管,不但耗费时间。
- 刘克源
- 关键词：微波
- 非晶硅光敏材料的高电阻率化研究被引量：7
- 1997年
- 本文研究了用于制造非晶硅感光鼓的高阻非晶硅光敏材料，通过微量掺Ｂ、Ｏ，控制ａＳｉ∶Ｈ薄膜中的ＳｉＨ２和ＳｉＨ基团的组成比，有效地实现了非晶硅材料的高电阻率化，其暗电阻率ρｄ≥１０１３Ω·ｃｍ，在可见光至近红外光范围内，具有很高的单色光电导增益，σｐｈ／σｄ≥１０３。分析了ａＳｉ∶Ｈ［Ｂ、Ｏ］材料ＩＲ谱的特征，说明了氧原子和硅氢基团对微结构的影响及其在支配非晶硅光电性能方面的重要作用。
- 杜新华刘克源
- 关键词：非晶硅电阻率光敏材料
- 掺氧非晶硅的正电子寿命研究
- 1997年
- 在室温下测量了掺氧非晶硅薄膜的正电子寿命谱．实验发现，随着掺氧量的增加，正电子寿命减小，对应的相对强度增加．据此，本文从电子密度、悬挂键和微空洞等方面讨论了氧掺杂对非晶硅薄膜微观结构的影响．
- 史志强刘克源王学恩刘兴胜杨子强
- 关键词：非晶硅正电子寿命
- 溶盐热解法制备ZnO压敏电阻被引量：1
- 2000年
- 研究了溶盐热解法制备 Zn O压敏电阻的工艺流程 ,并以此制备出通流能力加倍的 Zn O压敏电阻器。通过粉体的 X射线衍射分析了煅烧温度对粉体的影响。瓷片的 SEM测试说明溶盐热解法比传统法制备的 Zn O压敏电阻瓷片晶粒均匀性好。
- 王守国霍建华郭亚平刘克源
- 关键词：氧化锌压敏电阻
