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王守国

作品数:12 被引量:27H指数:3
供职机构:西北大学信息科学与技术学院更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金国防基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 5篇电阻
  • 5篇4H-SIC
  • 4篇离子注入
  • 3篇压敏
  • 3篇压敏电阻
  • 3篇碳化硅
  • 3篇SIC
  • 2篇电阻器
  • 2篇压敏电阻器
  • 2篇氧化锌压敏电...
  • 2篇物理学
  • 2篇离化
  • 2篇夹断电压
  • 2篇教学
  • 2篇固体物理
  • 2篇固体物理学
  • 2篇方块电阻
  • 2篇粉体
  • 2篇ZNO压敏电...
  • 2篇MESFET...

机构

  • 9篇西北大学
  • 6篇西安电子科技...

作者

  • 12篇王守国
  • 4篇张义门
  • 4篇张玉明
  • 3篇阎军锋
  • 3篇张志勇
  • 2篇刘克源
  • 2篇王雪文
  • 1篇刘大为
  • 1篇齐德峰
  • 1篇杨林安
  • 1篇赵丽丽
  • 1篇闫军锋
  • 1篇王登

传媒

  • 5篇西北大学学报...
  • 2篇Journa...
  • 2篇高等理科教育
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1999
  • 1篇1998
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
溶盐热解法制备ZnO压敏电阻被引量:1
2000年
研究了溶盐热解法制备 Zn O压敏电阻的工艺流程 ,并以此制备出通流能力加倍的 Zn O压敏电阻器。通过粉体的 X射线衍射分析了煅烧温度对粉体的影响。瓷片的 SEM测试说明溶盐热解法比传统法制备的 Zn O压敏电阻瓷片晶粒均匀性好。
王守国霍建华郭亚平刘克源
关键词:氧化锌压敏电阻
NetWare到Windows NT的系统集成
2001年
对于 Net Ware和 NT双服务器环境下的局域网 ,通过系统集成 ,实现了在 NT网络中访问Net Ware资源 ,并且可以在 NT服务器上管理 Net Ware网络。初步达到了 Net Ware网络与
阎军锋王守国齐德峰刘大为
关键词:双服务器局域网系统集成NETWAREWINDOWSNT
4H-SiC离子注入层的欧姆接触的制备(英文)被引量:4
2003年
用氮离子注入的方法制备了4H-SiC欧姆接触层。注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件 TRIM模拟提取,Si面4H-SiC-Ni/Cr合金欧姆接触的特性由传输线方法结构进行了测量,得到氮离子注入层的方块电阻Rsh为30 kW/square, Ni/Cr合金与离子注入层的欧姆接触电阻rc为7.1×10-4 Wcm2。
王守国张义门张玉明
关键词:SIC碳化硅离子注入欧姆接触方块电阻
可溶性盐蒸发分解法制备粉体的研究分析——以氧化锌压敏电阻器为例被引量:2
1998年
综述了一系列有关可溶性盐蒸发分解法制作ZNR粉体的文献,又分析了本技术中存在的困难及解决方法,得出可溶性盐蒸发分解法可以生产出比传统方法更好的满足ZNR所要求的颗粒均匀、高纯度、高稳定性、掺杂均匀的粉体。
王守国霍建华郭亚平刘克源
关键词:压敏电阻器粉体氧化锌
离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压(英文)被引量:1
2003年
考虑离子注入沟道和沟道深度的影响 ,提出了精确的离子注入 4 H- Si C MESFET器件夹断电压的理论计算方法 .注入浓度由蒙特卡罗模拟软件 TRIM提取计算 .研究了温度、外延层受主浓度、注入离子激活率对夹断电压的影响 .
王守国张义门张玉明
关键词:碳化硅离子注入MESFET夹断电压
4H-SiC同质外延拉曼散射光谱被引量:2
2015年
在4H-SiC(0001)衬底上,使用CVD法生长不同掺杂浓度的外延层。将不同掺杂浓度的4H-SiC外延层,用拉曼散射光谱进行了研究。使用Matlab拟合了LOPC模的线型,并从理论上计算出载流子浓度,载流子浓度的理论计算值与SIMS测量的结果符合良好。随着掺杂浓度的变大,载流子浓度变大,LOPC峰发生蓝移,频移变大,散射强度变小,峰宽变宽。分析认为,LOPC峰发生蓝移主要和晶格振动有关,浓度越大,使得原子之间和晶胞之间的相互作用越强,致使出现蓝移现象。随着掺杂浓度的增大,声子增加,进而散射概率增加,散射概率降低了声子寿命,声子寿命和峰宽成反比,随着掺杂浓度增大,峰宽变宽。随着掺杂浓度的增大,散射强度越来越小。
王守国柴泾睿王登
关键词:4H-SIC拉曼光谱
4H-SiCN离子注入层的特性(英文)
2002年
研究了在 4 H- Si C p型外延层上用 N离子注入制备 n型层的方法及其特性 ,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件 TRIM进行了模拟 .为了测试注入层的特性 ,制备了横向肖特基二极管和 TL M(transfer length m ethod)结构 .测得的 N激活浓度为 3.0× 10 1 6 cm- 3,计算出激活率为 0 .0 2 .注入层方块电阻为 30 kΩ/□ ,电阻率为 0 .72 Ω·cm,并计算出电子迁移率为 30 0 cm2 / (V· s) .
王守国张义门张玉明杨林安
关键词:4H-SICSIC离子注入退火方块电阻碳化硅
离子注入制备4H-SiC器件及其温度特性研究
本研究在热电子发射模型的基础上,提出了一种简单提取4H-SiC SBD器件特性参数的理论模型,基于这个模型,对制备的Ti/4H-SiC SBD器件,可以计算得出理想因子、串联电阻、零电场势垒高度、表面态浓度、界面层电容、...
王守国
关键词:金属半导体场效应晶体管表面态离子注入半导体工艺
讲授《固体物理学》的探索与实践被引量:5
2001年
在<固体物理学>教学实践中,教书育人与管理育人相结合,不断进行教学内容和教学方法的革新,激发学生学习的主动性、自觉性和创造性,使学生更好地适应当代社会的多元需要.
阎军锋王雪文张志勇王守国
关键词:固体物理学教书育人管理育人教学内容高等教育
“固体物理学”CAI课件的设计与开发被引量:2
2002年
在分析传统"固体物理学"课程教学的基础上,针对教学中长期存在的难点问题,依据CAI的基本原理,充分利用CAI的优势,实现了对课程中涉及的晶体微观结构和有关物理图像的清晰展现,为固体物理学课程提供了一个十分有效的教学手段.本文将主要介绍固体物理学CAI课件的设计思想及开发过程.
闫军锋王雪文张志勇王守国赵丽丽
关键词:CAI课件固体物理学课程教学课件设计课件开发教学手段
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