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刘宏伟: 作品数：78 被引量：46H指数：3; 供职机构：天津工业大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划天津市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

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金属光子晶体耦合增强nano-LED阵列及制造方法: 本发明公开了一种金属光子晶体耦合增强nano‑LED阵列及制造方法，自下而上包括：Si衬底、Ni/Au金属阵列和p电极连接线、nano‑LED阵列、n型GaN层、Ti/Au金属层；nano‑LED阵列结构自下而上包括：N...; 刘宏伟于丹丹牛萍娟王迪; 文献传递

基于VCSEL阵列混合集成和光纤垂直封装的硅基WDM光发送装置: 本发明公开了一种基于VCSEL阵列混合集成和光纤垂直封装的硅基WDM光发送装置，包括VCSEL激光器、硅基光发送芯片、硅衬底和单模光纤，其特征在于：采用所述VCSEL激光器垂直向下发射光并耦合进入所述硅基光发送芯片，而模...; 张赞允程倩张凯鑫刘宏伟李鸿强; 文献传递

电注入三维GaN核壳结构Nano-LED及制造方法: 本发明公开了一种电注入三维GaN核壳结构Nano‑LED及制造方法，涉及半导体发光技术领域，其特征在于：蓝宝石衬底上刻蚀N型GaN纳米柱；在N型GaN纳米柱的底部和顶部制备SiO<Sub>2</Sub>层或SiN<Sub...; 刘宏伟王鑫炜高克牛萍娟张赞允王迪; 文献传递

基于有限元算法和人工神经网络结合的多芯片LED光源多物理场分析被引量：2: 2019年; 多芯片LED光源的可靠性分析涉及到光、电、热多个物理场,高精度的多场分析结果会导致计算资源过多、计算时间过长、计算难度大等问题。为解决上述问题,本文分别利用传统的有限元算法(FEM)和高效的人工神经网络方法(ANN)进行LED光源温度分析,并讨论两种方法的优劣性。最后,通过将FEM分析单一传热物理场的优势与ANN计算时间短、计算资源需求低的优势相结合,归纳出一种更为高效的方法来进行多芯片LED光源的散热分析。利用该方法,ANN的预测数据与训练数据之间的相关系数达到了0.997 79,预测结果与实际热分布图有良好的匹配,计算资源相比传统的FEM方法节约了59%。该方法的应用能够在满足精度的前提下耗费更少的计算资源和时间,同时提高了分析的灵活性。除此之外,该方法对求解大功率LED光源寿命等可靠性问题也具有一定的参考价值。; 刘宏伟于丹丹牛萍娟牛萍娟张赞允郭凯张建新张建新王闯吴超瑜; 关键词：多场耦合人工神经网络

基于低维相变薄膜的显示器件光学性质的研究被引量：3: 2016年; 采用传输矩阵模型研究了基于低维相变薄膜的显示器件的光学特性与器件结构的关系。显示器件的类型有反射型和透射型,器件结构的关键参数包括Ge_2Sb_2Te_5(GST)层的厚度、ITO层的厚度、GST层的晶态与非晶态的变化。结果表明:对于反射型器件,ITO层的厚度对器件的反射光谱影响较大,可以通过改变ITO层的厚度达到改变器件颜色的效果;GST层的厚度为12 nm时,GST的晶态与非晶态的变化使器件有最好的颜色对比度且消耗较低的电功率。对于透射型器件,通过使用超薄的GST薄膜,器件的透明度可以保持很高,器件的透明度在GST的厚度超过几纳米后迅速下降。; 牛萍娟薛卫芳宁平凡刘宏伟杨洁张浩伟赵金萍崔贺凤; 关键词：传输矩阵显示器件

一种异质外延薄膜结构: 本发明涉及一种外延薄膜结构。所述外延薄膜结构包括：一基底，所述基底为具有一外延生长面的氮化镓基底；一外延层，所述外延层为具有介电可调性能的氧化物薄膜，该薄膜在所述基底的外延生长面上生长；以及一缓冲层，所述缓冲层设置于该基...; 宁平凡牛萍娟刘宏伟张建新李玉强梁立君; 文献传递

偏振多样性垂直耦合光纤接口兼四路功率分束器: 一种偏振多样性的垂直耦合光纤接口兼四路功率均分器，包括：一个均匀对称二维光栅，作为光芯片和单模光纤之间的光学耦合接口以及偏振分束和偏振旋转器，将单模光纤入射的双偏振态的光进行偏振分束平均的分束到四个通道波导中去。四个绝热...; 张赞允刘宏伟李鸿强陈力颖; 文献传递

一种用于生化分子检测的中空微纳复合梁的设计方法: 本发明公开了一种用于生化分子检测的中空微纳复合梁的设计方法，该方法提出的设计结构包括梁主体和用于生化反应的中空微流道。其中梁由硅或硅化合物基底以及柔性薄膜两种结构材料复合而成。在柔性薄膜层和硅或硅化合物基底层之间含有液体...; 王晶晶史立波徐保峥张丽魏熙张赞允刘宏伟

白色大尺寸GaN基LED器件研究: 牛萍娟苗长云刘宏伟胡海蓉郭维廉李晓云杨广华高铁成贾海强陈弘; 该项目通过创新的三步生长，缺陷阻挡及GaN重新成核方法得到了低位错密度的外延薄膜。由综合调节InGaN量子阱的组分、厚度、势垒高度以及掺杂水平的方法，使量子阱发光强度达到最高；采用表面微腐蚀方法，改善GaN表面和优化工艺...; 关键词：; 关键词：大功率倒装焊

功率性LED封装装置: 本实用新型涉及的功率性LED封装装置，包括带有焊盘的LED芯片和覆盖于芯片正面的带有大面积凸点的硅片。LED芯片的p区和n区划分为田字形，n区的截面形状为2个圆形，p区的截面形状为4个缺圆角矩形，焊盘上有4个p区焊盘和2...; 牛萍娟刘宏伟胡海蓉; 文献传递