刘宏伟
- 作品数：24 被引量：17H指数：2
- 供职机构：沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信机械工程电气工程更多>>
- 一种SIC压力敏感器件的制造方法
- 本发明提出了一种SIC压力敏感器件的制造方法。所述敏感器件由敏感芯片和衬底玻璃封接而成。敏感芯片基体的器件层上，采用淀积金属掩膜、光刻、刻蚀工艺制作敏感电阻、封接区及连接区，敏感电阻连接后构成惠斯通电桥，敏感电阻和过渡层...
- 李颖任向阳张治国刘宏伟祝永峰贾文博李永清何方李昌振王卉如钱薪竹胡延丽
- 高对称性小型高差压传感器
- 高对称性小型高差压传感器，包括壳体23上部的电磁兼容器21、接插件25，将外壳23焊于底座9上，其特征在于：壳体23内是将两个相同的绝压式双芯体扩散硅芯片11与各自的转换件14焊接一起，对称置于底座9上，被测管27的接口...
- 孙海玮陈信琦牛军刘宏伟徐淑霞郭丽娟刘沁刘波
- 文献传递
- 压力传感器金属膜片焊接工艺研究被引量：1
- 2021年
- 本文对压力传感器金属膜片焊接工艺进行了研究,通过研究和分析压力传感器的需求主要集中在稳定性、可靠性和环境适应性三个方面,而金属膜片焊接是压力传感器关键和基础工艺,也是压力传感器制造的重要过程。通过不同焊接组件材料、焊接工艺、以及焊接参数对比,制定合理的焊接工艺方法,能够满足图纸要求,并且提高焊接质量,提升焊接能力,提高产品合格率。
- 单鹤南刘宏伟薛力铭曹立军张爽
- 关键词：压力传感器产品合格率环境适应性
- 一种压力传感器金属膜片焊接装置
- 本实用新型提供了一种压力传感器金属膜片焊接装置，包括机架，所述机架包括四个呈矩形设置的支撑柱和设置在支撑柱之间支撑板，所述支撑柱的上端设有支撑横梁，所述支撑横梁上设有横向螺纹杆，且所述支撑横梁的一端设有带动横向螺纹杆转动...
- 单鹤南刘宏伟张庆鹏方子硕曹立军张爽于璠王芳刘文斌李臻李斌魏晓明
- 文献传递
- 硅基结势垒肖特基二极管仿真设计
- 2024年
- 为实现硅基结势垒控制肖特基(JBS)二极管低反向漏电流和高击穿电压的双重目标,使用TCAD软件建立耐压值为60 V的JBS二极管仿真模型。通过研究其正向导通状态和反向截止状态的工作原理,模拟施加电压观察内部电场分布情况,仿真不同P+区间隔距离对反向漏电流和耐压能力的影响。通过分析JBS二极管的仿真结果,可选择合适的P+区间隔距离,以优化硅基JBS二极管的性能,降低反向漏电流并提高耐压能力,对于JBS功率半导体器件参数优化具有重要意义。
- 王卉如贾文博任向阳张治国李永清刘宏伟何方祝永峰李颖钱薪竹
- 关键词：反向漏电流
- 压力传感器测试过程可靠性分析
- 2007年
- 根据压力传感器的实际测试过程中的各个环节已经或可能产生的影响,获取压力传感器真实性能输出数据的因素,采用可靠性的分析方法对其进行分析;提示了测试过程中影响传感器输出的规律,减小传感器因在测试过程中产生的误差;并为深入研究压力传感器提供一条新的思路,为研究新的压力传感器提供一定的理论依据。
- 张志昊刘宏伟王勃
- 关键词：压力传感器可靠性
- 压力开关传感器
- 压力开关传感器，其特征是压力传感器组件与压力开关组件同处于同一壳体15内，压力开关基座14与传感器基座4焊接在一起，压力开关组件与压力传感器组件分别附着于各自的基座上，包容于一个感压腔内，由引压接口1和外壳15焊接成一体...
- 孙海玮牛军刘宏伟郭丽娟刘波张志昊
- 文献传递
- 小型共面接口压差传感器被引量：1
- 2007年
- 小型共面接口压差传感器是一种压力传感器，该传感器主要用于测量和控制两个油路压力差。该产品采用SOI硅晶圆材料制作硅压阻式压力敏感芯片，敏感元件的工作温度范围为-55-300℃，通过双芯体结构将油路的压力差信号转换成电信号，再利用精密的信号处理电路，将微弱的电信号进行放大处理，实现标准的模拟信号输出。
- 金琦李长春杨勇刘宏伟孙克
- 关键词：传感器SOI压差信号处理
- 小型差压传感器高过载结构的设计研究
- 本文介绍一种体积小、测量范围广、可靠性好、带有过载保护四膜片结构的差压传感器.这种差压传感器外形尺寸为:φ56×36mm;测量范围:1kPa～400kPa;静压或单向耐压:16MPa;工作温区:-30℃～80℃;精度:0...
- 孙海玮陈信琦刘宏伟
- 关键词：差压膜片传感器
- 文献传递
- 碳化硅压力传感器欧姆接触电阻率的测量方法被引量：1
- 2024年
- 鉴于碳化硅离子扩散系数低、杂质离化能高,难以形成可靠的欧姆接触,为了解决碳化硅压力传感器芯片的高温欧姆接触可靠性问题,对其电阻率测量问题进行探讨。通过对T-LTM测试原理的介绍与分析,结合芯片生产工艺流程,制备Ni/Au电极与N型碳化硅的T-LTM测试图形,在氮气氛围下进行了700℃和1000℃的合金实验。最终实验结果显示合金温度对I-V线性关系的显著影响,结合T-LTM测试分析,测定接触电阻率值,验证是否形成良好的欧姆接触。该研究为碳化硅压阻式高温压力传感器的开发提供了技术参考。
- 任向阳张治国刘宏伟李永清李颖贾文博祝永峰王卉如钱薪竹
- 关键词：碳化硅压力传感器欧姆接触接触电阻率
