周乾飞
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学自动化与计算机技术更多>>
- 利用PⅢ技术改变框架与EMC间附着力的研究
- 2011年
- 利用等离子体浸没式注入(PⅢ)技术,使用O2,N2,CO和CO2做气体源,对镀镍铜框架表面进行处理。拉力测试实验结果表明,与未经处理的空白框架相比,经过CO和CO2等离子体注入处理的镀镍铜框架与环氧塑封料(EMC)间的附着力分别提高了约35倍和12倍,而在使用O2和N2等离子体注入处理的情况下,附着力基本没有变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对处理前后的框架表面观察,发现PⅢ处理并未引起表面粗糙度的显著变化。利用X射线电子能谱(XPS)分析,可以发现在经过CO或CO2等离子体注入处理后的框架表面有羰基出现。基于这些结果,分析了导致附着力提升的机理。
- 刘立龙张昕卢茜周乾飞吴晓京
- 关键词：环氧塑封料附着力羰基
- 用加热一氧化碳处理金属表面的方法
- 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热一氧化碳处理金属表面的方法。该方法通过加热气体对待处理件进行表面处理，其中所述气体为一样化碳，所述待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属...
- 吴晓京刘立龙张昕卢茜朱玮周乾飞杜晓琴
- 氮基阻变存储器材料(CuxN,AlN)的制备与性能表征
- 随着20世纪中后期摩尔定律(Moore's Law)的提出，现代化集成电路(IC)工艺在20世纪后半叶及21世纪得到了日新月异的，并且是突飞猛进般的发展，在摩尔定律的鞭策下，一代又一代的超大规模集成电路(Ultra La...
- 周乾飞
- 关键词：电学性能介质材料半导体材料
- 用加热一氧化碳处理金属表面的方法
- 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热一氧化碳处理金属表面的方法。该方法通过加热气体对待处理件进行表面处理，其中所述气体为一样化碳，所述待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法得到的经表面处理的金属...
- 吴晓京刘立龙张昕卢茜朱玮周乾飞杜晓琴
- 文献传递
- 氮掺杂Sb2Te3相变材料的脉冲激光沉积法制备与性能研究被引量：1
- 2013年
- Sb2Te3（ST）薄膜虽然具有高结晶速度和低结晶温度（～132℃）等优点，但由于复位电压过高，无法直接用于制备相变存储器件。文章作者尝试使用脉冲激光沉积法（PLD）制备了氮掺杂的Sb2Te3薄膜。用原子力显微镜（AFM）对此薄膜进行测试的结果表明，脉冲激光沉积法制备的生成态ST薄膜和氮掺杂ST薄膜表面粗糙度分别为0，12nm和0．58nm，表面较为平整。研究表明，PLD法制备的氮掺杂sT薄膜具有更好的组分稳定性，可显著提高薄膜低阻态电阻值，降低复位功耗，氮掺杂量在6at％的ST薄膜的置位电压和复位电压适中，显示出较好的综合性能。
- 秋沉沉张昕周乾飞吴晓京
- 关键词：相变材料脉冲激光沉积低功耗
- 用氩等离子体处理金属表面方法
- 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用氩等离子体处理金属表面方法。该方法是利用等离子体浸没式离子注入法对待处理件进行表面处理，其中所述等离子体为氩等离子体，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供用所述方法...
- 吴晓京刘立龙张昕卢茜朱玮周乾飞杜晓琴
- 文献传递
- 用加热甲烷处理金属表面的方法
- 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热甲烷处理金属表面方法。包括下述步骤：利用加热气体法对待处理件进行表面处理，其中所述气体为甲烷，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供了用所述方法得到的经表面处理的...
- 张昕刘立龙吴晓京卢茜朱玮周乾飞杜晓琴
- 文献传递
- 用加热甲烷处理金属表面的方法
- 本发明属于电子封装技术领域，具体为一种用加热甲烷处理金属表面方法。包括下述步骤：利用加热气体法对待处理件进行表面处理，其中所述气体为甲烷，所述的待处理件为金属或镀有该金属的制品。本发明还提供了用所述方法得到的经表面处理的...
- 张昕刘立龙吴晓京卢茜朱玮周乾飞杜晓琴
