周璇
- 作品数：5 被引量：17H指数：2
- 供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金陕西省科学技术研究发展计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>
- n(Sm^(3+))/n(S_2O_3^(2-))对液相自组装法制备Sm_2S_3薄膜的影响被引量：2
- 2011年
- 采用液相自组装法,以氯化钐(SmCl3.6H2O)和硫代硫酸钠(Na2S2O3.5H2O)为原料,在不同n(Sm3+)/n(S2O23-)(物质的量比)条件下,于硅基板上制备了α-Sm2S3光学薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、光电子能谱分析(XPS)、原子力显微镜(AFM)和紫外-可见吸收光谱仪(UV-Vis)对Sm2S3薄膜的物相组成、表面形貌和光学性能进行了表征。结果表明:所制备的Sm2S3薄膜为α-Sm2S3,在一定范围内,随着n(Sm3+)/n(S2O23-)的增加,α-Sm2S3薄膜的结晶性先增强后降低,并表现出(105)晶面取向生长的特征。紫外透射光谱分析表明,当n(Sm3+)/n(S2O23-)=1∶2时,Sm2S3薄膜在可见光范围内透过率高达85%,禁带宽度为4.12 eV。
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- 热解温度对聚碳硅烷转化SiC陶瓷结构及介电性能的影响(英文)被引量：1
- 2012年
- 采用真空高温裂解聚碳硅烷法制备β-SiC陶瓷粉末，并对热解产物进行TGA/DSC、XRD和拉曼光谱表征。通过矩形波导法测量β-SiC陶瓷粉末与石蜡复合材料在8.2-18 GHz下的复介电常数来研究其介电性能。结果表明：复介电常数的实部与虚部均随着热解温度的升高而增大。高温下产生的石墨碳引起的电子松弛极化及电导损耗是复介电常数的实部与虚部增大的主要原因。
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- 关键词：SIC陶瓷热解温度复介电常数
- 聚碳硅烷热解SiC陶瓷结构与微波吸收性能被引量：7
- 2012年
- 以聚碳硅烷(PCS)为原料,通过800-1200℃热解制备了PCS-SiC陶瓷,采用SEM、XRD与拉曼光谱对样品形貌、晶相及自由碳结构进行了表征。测量了样品直流电导率,并用矩形波导法测试了试样在8.2-12.4 GHz(X波段)频率范围的复介电常数,根据传输线理论计算出不同厚度材料的反射损耗。结果表明,随着热解温度的升高,样品电导率升高,同时复介电常数实部与虚部增加,吸波性能得到改善。PCS-SiC陶瓷中自由碳石墨化是引起极化能力及电导损耗提高的原因。
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- 关键词：聚碳硅烷SICX射线衍射吸波性能
- 原子力显微镜在纳米材料研究中的应用被引量：2
- 2011年
- 主要综述了原子力显微镜的工作原理和基本操作模式,通过实例介绍了原子力显微镜在薄膜、粉体、晶体生长中的应用,指出原子力显微镜在纳米材料的研究和开发过程中有着广阔的应用前景.
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- 关键词：原子力显微镜纳米材料
- 纳米SiO_2对先驱体浸渍裂解法制备SiC_f/SiC复合材料力学性能的影响被引量：6
- 2012年
- 以纳米SiO2为填料,采用先驱体浸渍裂解法制备2.5D-SiCf/SiC(D为维数,SiCf为SiC纤维)复合材料,研究了前驱液中纳米SiO2含量对复合材料力学性能的影响。结果表明,纳米SiO2的添加能有效抑制先驱体裂解过程中的体积收缩,提高致密度,但过量引入易导致浸渍液黏度过高,浸渍效率降低。纳米SiO2含量对材料力学性能有较大影响,添加纳米SiO2后材料的抗弯强度和断裂韧性均高于没有添加的样品,材料抗弯强度随纳米SiO2含量的增加先增大后降低。当浸渍液中纳米SiO2含量为6%时,复合材料具有优异的力学性能,抗弯强度达到211.1MPa。
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- 关键词：复合材料纳米二氧化硅先驱体浸渍裂解
