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罗发

作品数：228 被引量：857H指数：15
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  • 13篇吸波材料
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共 228 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
SiC纤维表面C涂层的制备及介电性能研究被引量：1
2009年
采用化学气相沉积(CVD)法,在SiC纤维表面沉积了100nm厚的C涂层,研究了制备温度对C涂层微观结构、单丝纤维体电导率及纤维编制体介电性能的影响。采用SEM和RAM显微技术(Raman microscopy)对C涂层的表面形貌和微观结构进行分析。结果表明:保持C涂层厚度一致,当沉积温度由800℃升到900℃后,C涂层的石墨化程度提高,晶粒变大,SiC纤维单丝体电导率由0.745Ω-1.cm-1升到6.289Ω-1.cm-1;SiC纤维编制体的复介电常数实部由90升到132,介电损耗由0.95升到1.14,其中虚部由87升到150。实部增大与载流子浓度增大有关,虚部增大与材料漏导电有关。认为这是SiC纤维表面沉积的C层使纤维电导率增大所致。直流电导损耗是其主要损耗机制。
郑文景周万城罗发于新民
关键词：SIC纤维拉曼光谱介电性能
坯体压力对燃烧合成Al掺杂β-SiC粉体介电性能的影响
本文以硅粉（Si）和炭黑（C）为原料,聚四氟乙烯（PTFE）为助燃剂,铝粉（Al）为掺杂源,在0.1MPa的氮气气氛中通过燃烧合成的方法制备出Al掺杂β-Si C粉体。用XRD、SEM和EDS对制备的粉体进行了表
苏晓磊周万城罗发李智敏朱冬梅
文献传递
热氧化对有热解碳界面层的SiC_f/SiC复合材料吸波和力学性能的影响（英文）被引量：2
2015年
采用化学气相渗透法制备含热解碳界面层的SiCf/SiC复合材料,研究热氧化对复合材料在8.2-12.4 GHz波段的介电和吸波性能影响。复介电常数的实部和虚部在氧化后都降低。当氧化100 h后,反射损耗超过-10 d B的波段范围为9.7-11.9 GHz,且反射损耗最小值在11.0 GHz时达到-11.4 dB。复合材料的弯曲强度在氧化后降低,但断裂韧性明显提高。结果表明：含热解碳界面层的SiCf/SiC复合材料氧化后具有很好的吸波性能和断裂韧性。
史毅敏罗发丁冬海穆阳周万城朱冬梅
关键词：SICF/SIC复合材料热氧化吸波
等离子喷涂MoSi_2/Al_2O_3涂层材料的力学与介电性能被引量：2
2011年
以MoSi2为吸收剂,纳米Al2O3粉为基体,采用大气等离子喷涂法制备出MoSi2/Al2O3复合涂层。研究了MoSi2含量对复合涂层力学及介电性能的影响。结果表明,MoSi2颗粒均匀分布于Al2O3基体中;随MoSi2含量的增加,复合涂层的抗弯强度、断裂韧性及冲击强度逐渐增强;根据测定的复介电常数与频率的关系及计算出的介电损耗角正切可以看出,复合涂层的介电常数与MoSi2含量有关,MoSi2掺量越高,复合材料涂层的介电常数越小;随频率的逐渐增大,材料的复介电常数表现出减小的趋势,具有频散效应。
武志红周万城罗发朱冬梅
关键词：介电常数
CB/PBO复合材料制备及吸波性能研究
2013年
以4,6二氨基间苯二酚盐酸盐(DAR·2HCl)、对苯二甲酸(TPA)为原料,合成TA盐,再缩聚制得具有较高耐热性的聚对苯撑苯并二噁唑(PBO)。以PBO为基体,炭黑(CB)为吸收剂,热压法制备CB/PBO复合材料。对不同炭黑质量分数的复合材料介电及PBO基体与复合材料的热性能进行研究。结果表明,随着炭黑含量的增加,材料的复介电常数的实部与虚部均增大。含5%炭黑的试样厚度达到2 mm时,吸波性能最好,反射率小于10 dB的带宽可达2.4 GHz,最小反射率可达32 dB。在空气中450℃保温5 h,PBO的质量损失为11.84%,而5%CB/PBO复合材料的质量损失为21.99%。
王莉罗发刘莉周万城朱冬梅
关键词：PBO热性能复介电常数复合材料
SiC_f/SiC复合材料BN界面相研究进展被引量：3
2013年
阐述了BN界面相的结构和性能,综述了SiCf/SiC复合材料BN界面相的制备方法及其对复合材料性能的影响,提出了BN界面相的结晶度不高是当前制备体系下的主要问题,并归纳总结了BN界面相有序化处理的一些方法,最后指出获得均一有序的BN界面相将是以后研究的焦点。
周洋周万城罗发朱冬梅
关键词：SICFSIC复合材料H-BN界面相
保温时间对0.98(K_(0.5)Na_(0.5))NbO_3-0.02LaFeO_3陶瓷电性能的影响(英文)被引量：1
2013年
研究保温时间对0.98(K0.5Na0.5)NbO3-0.02LaFeO3(缩写为0.98KNN-0.02LF)无铅陶瓷相结构、显微组织、介电性能及铁电性能的影响。所有烧结样品均为纯的伪立方钙钛矿相,保温时间对相结构影响不大。随着保温时间的延长,样品的XRD衍射峰逐渐增强,并且向低角度移动。SEM观察结果显示,随着保温时间的延长,陶瓷样品的致密性提高,晶粒异常长大并出现孪晶结构。介电温谱表明,随着保温时间的延长,介电性能有所降低。电滞回线结果表明,2P r随着保温时间的延长而增大的程度有所减小,而2E c略有增加。在1150°C烧结2 h得的到陶瓷的性能较优:εr=2253,tanδ<5%,2P r=34.51μC/cm2,2E c=5.07 kV/mm。
程花蕾周万城杜红亮罗发朱冬梅
关键词：铌酸钾钠保温时间介电性能铁电性能无铅陶瓷
PbBr_2-PbF_2-P_2O_5玻璃的结构研究被引量：7
2003年
采用红外光谱(IR)和X射线光电子能谱(XPS)等方法研究了PbBr2-PbF2-P2O5系铅卤磷酸盐玻璃的结构.结果表明,Pb2+离子在玻璃中起着网络修饰阳离子和网络形成体的双重作用.当P2O5含量为60mol％时,Pb2+离子主要是作为网络修饰体;当P2O5含量降低到50mol％时,一部分Pb2+离子能够进入玻璃网络形成[PbO4]四面体或P-O-Pb键.Br-和F-离子达到一定浓度时就会进入玻璃网络,形成[PO4-nXn](X=Br或F,n=0-4)四面体使磷酸盐链长变短.玻璃中P2O5的含量不变时P-O-P键的比例也基本保持不变;当P2O5的含量降低时,P-O-P键和P-O-键的含量都减少,P-O-Pb键的含量则明显增加.
赵宏生李艳青周万城罗发
关键词：红外光谱X射线光电子能谱
PbO-B_2O_3玻璃在不同重力条件下相组成和成分均匀性的研究被引量：1
2005年
以3.5PbO.96.5B2O3(m o l%)玻璃作为研究对象,着重研究其在不同重力条件下的分相现象。该部分讨论了2个落塔实验试样发生分相的重力条件,同时分析了试样的相组成和试样成分的不均匀性。结果发现,该成分玻璃发生分相后形成的富硼相和富铅相都是玻璃相。分相在高重力阶段发生的试样其成分均匀性最差,原因在于富硼相和富铅相间存在较大的密度差。
朱冬梅罗发周万城Chandra S RayDelbert E Day
关键词：分相
沉积温度对氧化锆薄膜显微结构的影响被引量：3
2012年
采用直流反应磁控溅射工艺在25、300℃沉积温度下分别制备了ZrO2薄膜和YSZ薄膜。结果表明,沉积温度对ZrO2薄膜沉积速率的影响不大,而对YSZ薄膜沉积速率的影响则很大。与YSZ薄膜相比,ZrO2薄膜容易形成结晶态。25℃时所制备的ZrO2薄膜为非晶态,300℃时则为单斜晶体结构,薄膜的结晶程度随沉积温度的升高而提高。而两种温度下制备的YSZ薄膜均为非晶态薄膜。随沉积温度的升高,ZrO2薄膜表面变得致密光滑,而YSZ薄膜表面则变得粗糙不平。
康文博罗发周万城朱冬梅黄智斌
关键词：沉积温度磁控溅射ZRO2薄膜
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