张华林
- 作品数：12 被引量：34H指数：3
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：湖南省教育厅优秀青年基金湖南省教育厅科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信交通运输工程建筑科学环境科学与工程更多>>
- 高压输电铁塔加固方法和结构
- 一种高压输电铁塔加固方法和结构，通过浇筑的框架梁将输电铁塔基础相互连接为一整体，所述框架梁内设有钢筋，所述框架梁为“H”字形或“口”字形或“X”字形，本发明更容易实施，且节省材料，可降低成本，因此采用该方法可带来很大的经...
- 阳军生张华林钟放平宴莉胡鑫
- 文献传递
- 隧道施工对上覆高压输电铁塔的影响分析与应用研究
- 由于地域特点和走廊条件的限制，常常遇到高压输电铁塔位于隧道上方或在隧道上方附近的情况。自立式高压输电铁塔作为一种高耸空间结构，具有刚度较小、塔基相互独立、对基础沉降差敏感等特点。隧道邻近或者下穿既有高压输电铁塔施工时，极...
- 张华林
- 关键词：隧道施工不均匀沉降现场测试
- 双极晶体管的低剂量率电离辐射效应被引量：19
- 2004年
- 通过对 npn管和 pnp管进行不同剂量率的电离辐射实验 ,研究了双极晶体管的低剂量率辐射效应 .结果表明 ,双极晶体管在低剂量率辐照下电流增益下降更为显著 ,这是由于低剂量率辐照在氧化层中感生了更多的净氧化物正电荷浓度 ,致使低剂量率下过量基极电流明显增大 .而辐照后 npn管比 pnp管具有更大的有效表面复合面积 ,致使前者比后者有更大的表面复合电流 ,从而导致了在各种剂量率辐照下 ,npn管比 pnp管对电离辐射都更为敏感 .
- 张华林陆妩任迪远郭旗余学锋何承发艾尔肯崔帅
- 关键词：低剂量率电离辐射双极晶体管空间电荷
- 六边形BN片掺杂的ZGNR的磁电子学特性
- 2018年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了六边形BN片掺杂的锯齿型石墨烯纳米带(ZGNR)的磁电子学特性。研究表明,当处于无磁(NM)态时,随着掺杂浓度的增大,可以实现金属-准金属的相变。当处于铁磁(FM)态时,随着掺杂浓度的增大,可以实现自旋金属-自旋半导体的相变,且为双极化自旋半导体。当处于反铁磁(AFM)态时,不同浓度掺杂的ZGNR都是自旋半导体,随着掺杂浓度的增大,下旋带隙逐渐减小,而上旋带隙是先减小后增大。在不同浓度掺杂情况下,AFM态都是基态。随着掺杂浓度的增大,结合能逐渐增大,故掺杂浓度最小的ZGNR最稳定。该研究对于发展基于石墨烯的纳米电子器件很有意义。
- 张华林艾相旭唐贵平刘娟
- 关键词：石墨烯纳米带自旋极化
- 不同剂量率下偏置对双极晶体管电离辐照效应的影响被引量：9
- 2004年
- 对双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置的电离辐照实验。结果表明,对于不同偏置条件,晶体管在低剂量率辐照下,电流增益都有更为明显的衰降;各种剂量率辐照下,电流增益在发射结反向偏置时比浮空偏置时有更为显著的下降。文章对相关机理进行了探讨。
- 张华林陆妩任迪远崔帅
- 关键词：双极晶体管偏置剂量率电离辐照
- 预先老化对注FnMOS器件辐射可靠性的影响
- 2005年
- 对注F和未注FCC4 0 0 7器件在 10 0℃高温老化后的Co60 辐照特性进行了研究 .研究发现辐照前的高温老化减少了注F器件在辐照中的界面态陷阱电荷的积累 ,但是普通器件辐照前的高温老化在减少辐照中界面态积累的同时却增加了氧化物电荷的积累 ,损害了器件的可靠性 .可见 。
- 崔帅余学峰任迪远张华林艾尔肯
- 关键词：辐照可靠性
- 双极晶体管不同温度的退火效应与机理被引量：1
- 2007年
- 研究了双极晶体管不同温度下的退火效应,发现双极晶体管的退火与温度有关,而且不同类型晶体管的退火效应是有差异的,最后文章讨论了其中可能的内在机制。
- 汪东陆妩任迪远李爱武匡治兵张华林
- 关键词：双极晶体管退火效应界面态
- 不同剂量率下NPN管和NMOSFET管的电离辐照效应被引量：3
- 2005年
- 研究了 NPN双极晶体管和 NMOSFET在不同剂量率环境下的电离辐照效应。研究表明 ,NPN管在低剂量率辐照下 ,电流增益衰降更为显著 ,且具有真正的剂量率效应 ;而 NMOS管在低剂量率辐照下产生的阈电压负向漂移比高剂量率辐照时小 ,其辐照效应是时间相关效应 ,而非真正的剂量率效应。
- 张华林任迪远陆妩崔帅
- 关键词：剂量率效应阈电压
- 高压输电铁塔加固方法和结构
- 一种高压输电铁塔加固方法和结构，通过浇筑的框架梁将输电铁塔基础相互连接为一整体，所述框架梁内设有钢筋，所述框架梁为“H”字形或“口”字形或“X”字形，本发明更容易实施，且节省材料，可降低成本，因此采用该方法可带来很大的经...
- 阳军生张华林钟放平宴莉胡鑫
- 不同剂量率下MOSFET的电离辐照效应
- 对MOSFET在不同剂量率条件下的电离辐照效应进行了研究。结果显示:在实验的剂量率和总剂量范围内,在各种剂率辐照下,NMOS管和PMOS管的阈电压都出现负漂,且随辐照总剂量的增加而增大;在相同的总剂量时,PMOS管的低剂...
- 张华林陆妩任迪远余学峰郭旗
- 关键词：MOSFET电离辐照数字集成电路
- 文献传递
