张建峰
- 作品数：11 被引量：7H指数：2
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院信息功能材料研究所更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金天津市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 大直径直拉硅单晶中微缺陷及其与氧碳杂质相互作用的研究
- 刘彩池郝秋艳孙卫忠刘淑英张雯王海云滕晓云乔治任丙彦张建峰孙世龙
- 该项目通过化学腐蚀、光学显微镜、激光颗粒计数仪等实验手段，系统研究了大直径直拉硅单晶中的原生缺陷－流动图形缺陷的宏观分布，微观结构，与杂质缺陷相互作用等，首次研究了FPDs在Secco腐蚀液中的演变规律，并提出一种新的模...
- 关键词：
- 关键词：大直径硅单晶微缺陷
- 重掺硅衬底片的内吸除效应
- 本文研究了重掺P型(B)和重掺N型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现增强了氧沉淀现象,不同掺杂剂对重掺硅单晶中氧沉淀形态有所不同.且发现砷增...
- 张红娣张建强乔治张建峰郝秋艳李养贤刘彩池
- 关键词：单晶片
- 文献传递
- 直拉硅单晶中的流动图形缺陷被引量：2
- 2004年
- 用 Secco腐蚀液对直径 15 0 mm p型 (10 0 )直拉硅单晶片进行择优腐蚀后 ,得到了流动图形缺陷 (FPDs) ,并通过原子力显微镜 (AFM)对其微观结构进行观察 .实验发现 ,在 FPDs缺陷的尖端存在有几百纳米的由 (111)面构成的八面体空洞 ,这与 Takeno等人的实验结果相反 ,他们认为 FPD的端部是间隙型的位错环 ;实验还发现 。
- 刘彩池乔治周旗钢王敬郝秋艳张建峰李养贤任丙彦
- 关键词：直拉硅单晶FPDS原子力显微镜
- 大直径直拉硅单晶中新微缺陷的研究
- 刘彩池郝秋艳王海云任丙彦乔治张建峰
- 该项目通过使用一些常规和非常规的实验方法显示大直径硅单晶中微缺陷，揭示了这类微缺陷的结构特点，通过晶体生长工艺的研究降低微缺陷，并通过各种热处理工艺研究这类微缺陷在热工程总的演变及其与氧沉淀的关系，找到降低及消除硅中微缺...
- 关键词：
- 关键词：大直径直拉硅单晶微缺陷
- 高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量：3
- 2005年
- 对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
- 郝秋艳刘彩池孙卫忠张建强孙世龙赵丽伟张建峰周旗钢王敬
- 关键词：硅单晶微缺陷掺锑
- 大直径CZ-Si中流动图形缺陷微观形貌及其高温快速退火行为的研究
- 本文研究了大直径直拉硅单晶中的原生微缺陷-流动图形缺陷(flow pattern defects,FPDs).分析了FPDs的微观形貌,及其在Secco腐蚀液中的演变过程;对轻掺B、重掺Sb硅片在Ar,H<,2>,N<,...
- 张建峰
- 关键词：CZ-SI流动图形缺陷原子力显微镜快速退火
- 文献传递
- P型<100>直拉硅单晶中流动图形缺陷的研究
- 本文对轻掺硼原生直拉单晶硅(CZSi)中流动图形缺陷(FPDs)在Secco腐蚀液中的形成及其演变过程进行了研究.腐蚀时间分别是5min、10min、15min、30min.取样后用光学显微镜观察了FPDs的宏观形貌及随...
- 张建峰乔治张红娣张建强郝秋艳李养贤刘彩池周旗钢王敬
- 关键词：直拉硅流动图形缺陷
- 文献传递
- 氮化镓薄膜研究现状
- 氮化镓(GaN)材料是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的第三代半导体材料,GaN是在绿、蓝、紫以及紫外波段最有应用前途的光电子材料.由于其优良的性能,近几年成为国际上研究的热点,本文系统讨论了GaN薄膜的研究发展现状...
- 张建强朱君山张红娣张建峰刘彩池
- 关键词：氮化镓薄膜氮化镓半导体材料
- 文献传递
- 快速退火对大直径CZSi单晶中原生微缺陷的影响被引量：2
- 2004年
- 本文利用快速退火对φ8″直拉硅单晶片中的流动图形缺陷(FPDs)进行了研究。首先用Secco腐蚀液腐蚀了大直径直拉硅片,利用光学显微镜观察了FPDs的宏观分布,并用原子力显微镜(AFM)对原生FPDs的微观形貌进行观察,证明了FPDs是一种空位型原生缺陷,然后采用了高温快速热处理,分别在N2、N2／O2(3％)、Ar三种气氛中对原生直拉单晶硅片进行了处理。对比退火前后FPDs密度的变化,分析了高温快速热处理对直拉硅单晶片中FPDs的影响,实验表明1200℃快速热处理180s可以显著降低硅片表面的FPDs。
- 郝秋艳乔治张建峰任丙彦李养贤刘彩池
- 关键词：快速退火流动图形缺陷原子力显微镜
- 重掺硅衬底片的内吸除效应
- 2004年
- 本文研究了重掺p型(B)和重掺n型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应。发现在本实验条件下,经过改进的内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现了氧沉淀增强现象,但不同掺杂剂的重掺硅单晶中氧沉淀形态不同。且发现砷增强了硅片近表层区氧的外扩散。在相同的热处理条件下,不同掺杂剂的重掺硅清洁区宽度不同,重掺硼硅片的清洁区最窄,重掺砷的最宽。
- 张红娣郝秋艳张建峰张建强李养贤刘彩池
