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张建强

作品数:14 被引量:8H指数:2
供职机构:河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:河北省自然科学基金天津市自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇理学

主题

  • 5篇微缺陷
  • 5篇FPDS
  • 4篇大直径
  • 4篇单晶
  • 3篇流动图形缺陷
  • 3篇硅单晶
  • 2篇直拉硅
  • 2篇铸件
  • 2篇CZSI
  • 2篇掺锑
  • 2篇VOID
  • 1篇单晶片
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓薄膜
  • 1篇电路
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇数据库
  • 1篇数值模拟
  • 1篇搜索
  • 1篇搜索算法

机构

  • 14篇河北工业大学
  • 3篇北京有色金属...
  • 2篇天津大学

作者

  • 14篇张建强
  • 9篇郝秋艳
  • 9篇刘彩池
  • 5篇张建峰
  • 3篇王敬
  • 3篇周旗钢
  • 3篇李日
  • 3篇张红娣
  • 3篇孙世龙
  • 3篇李菲
  • 3篇申发田
  • 2篇李养贤
  • 2篇赵丽伟
  • 2篇张雯
  • 2篇孙卫忠
  • 1篇孙艳霞
  • 1篇吴敬松
  • 1篇陈翠欣
  • 1篇朱君山
  • 1篇乔治

传媒

  • 2篇铸造技术
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇铸造
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇南开大学学报...
  • 1篇第十四届全国...
  • 1篇2004年中...

年份

  • 3篇2012
  • 2篇2008
  • 2篇2006
  • 3篇2005
  • 2篇2004
  • 2篇2003
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
快速热处理对直拉硅单晶中FPDs的影响
快速热处理(RTA)是一种有效减少直拉硅中空洞型微缺陷的方法,本文研究了不同气氛下快速热处理对流动图形缺陷(FPD)密度的影响。研究发现,氢气氛下高温快速热处理可以有效减少直拉硅中的FPD,首次发现在氧气氛下经过快速热处...
张建强刘彩池郝秋艳周旗钢王敬
关键词:直拉硅流动图形缺陷
文献传递
面向铸造CAE软件数据库的设计与开发被引量:3
2012年
以C++Builder软件为开发工具,设计了面向铸造CAE软件的数据库,用来收集、整理和维护相关信息。本数据库实现了对铸造材料数据的查询、添加、拷贝、删除、搜索、排序等功能,系统界面清晰、明了,数据真实可靠,功能较完整。
李菲李日张建强申发田
关键词:数据库C++BUILDER
重掺硅衬底片的内吸除效应
本文研究了重掺P型(B)和重掺N型(P、As、Sb)硅单晶的内吸除效应.发现在本实验条件下,经过内吸杂(IG)处理后,不同掺杂剂的重掺硅单晶片都出现增强了氧沉淀现象,不同掺杂剂对重掺硅单晶中氧沉淀形态有所不同.且发现砷增...
张红娣张建强乔治张建峰郝秋艳李养贤刘彩池
关键词:单晶片
文献传递
快速预热处理对大直径CZ-Si中FPDs及清洁区的影响被引量:1
2006年
研究了不同气氛下快速预热处理(RTA)后,硅片中的流动图形缺陷(FPDs)密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区(MDZ)之间的关系.硅片经过高温快速预热处理后,再经过800℃(4h)+1000℃(16h)常规退火,以形成MDZ.研究发现,当硅片在Ar气氛或N2/O2(9%)混合气氛下RTA预处理后,FPDs密度较低,随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽.对于N2/O2混和气氛,随着O2含量的增加,FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小,纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低.因此,可以通过调节N2/O2混合气氛中两种气氛的比例来控制空洞型微缺陷和硅片体内氧沉淀诱生缺陷的密度.
张建强刘彩池周旗钢王敬郝秋艳孙世龙赵丽伟滕晓云
关键词:CZSI流动图形缺陷
快速热处理对大直径直拉硅中空洞型微缺陷及清洁区的影响
本文分别利用Ar,N2,N2/O2(9%),N2/O2(14%)和O2作为退火气氛,研究了高温快速热处理对大直径直拉硅片中空洞型微缺陷FPDs的退火行为。研究发现,不同的退火气氛对硅片中空洞型微缺陷密度有不同的影响,其中...
张建强
关键词:FPDS快速退火
文献传递
高温快速退火对重掺锑硅单晶中流动图形缺陷的影响被引量:3
2005年
对大直径重掺锑硅单晶中流动图形缺陷(FPDs)进行了研究.利用高温快速退火工艺(RTA),将重掺锑硅片在N2,Ar,H2三种不同气氛下进行热处理,对退火前后FPDs的密度变化进行了研究,分析了重掺锑硅单晶中FPDs在不同高温RTA过程中的热稳定性.并从重掺杂原子锑与间隙氧之间的关系,分析了重掺锑硅片中FPDs在高温快速退火工艺下的消除机制,认为重掺锑硅单晶中大量的锑原子,影响了硅片中间隙氧的浓度分布,进而影响了原生微缺陷的形成及热行为.
郝秋艳刘彩池孙卫忠张建强孙世龙赵丽伟张建峰周旗钢王敬
关键词:硅单晶微缺陷掺锑
基于扫描线种子填充算法的铸件孤立域搜索算法被引量:1
2012年
搜索铸件孤立域热节的方法——即缩即补法,存在对铸件网格重复扫描而致其计算效率低的问题。文中提出了扫描线种子填充算法,该方法每次扫描时把已经确定为固态网格的单元排除出扫描序列,避免重复扫描,这使搜索的网格数量随着时间步长的循环逐次降低,即每经过一个时间步长,随着温度降低,固态网格单元增多,液态网格单元减少,则每次循环的扫描时间越少。针对大链轮铸件的两种方法的计算结果表明,计算效率提高了21.4%。
张建强李日李菲申发田
关键词:缩孔
大直径重掺硅单晶中微缺陷的控制机理研究
郝秋艳陈翠欣孙艳霞张雯关昕王丽华刘彩池张建强孙世龙
该项目揭示了FPDs的空洞型微观结构,提出物理模型合理地解释了FPDs在Secco腐蚀液中的演变过程。硅中掺入较大的杂质原子增加原生硅片中空洞型微缺陷的密度,而掺入较小的杂质原子则降低空洞型微缺陷的密度。高温快速退火时间...
关键词:
关键词:集成电路
大直径重掺锑硅单晶中void微缺陷控制机理的研究
郝秋艳孙卫忠吴敬松张雯张建强
本项目利用化学腐蚀、金相显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜及透射电子显微镜等检测手段,研究了大直径重掺锑硅单晶中原生微缺陷的微观形貌、分布及掺杂剂对其密度的影响,探讨了重掺锑硅单晶中void微缺陷的成因,实验结果发现,...
关键词:
关键词:微缺陷掺锑硅单晶大直径控制机理
针对大平板铸件的反重力高速充填流场数值模拟的对称性研究
2012年
针对采用Simple结合守恒标量法进行大平板反重力充填的数值模拟计算时,当速度大于2 m/s时流场就会发生偏转,产生流场不对称现象的问题,对Simple算法的流量计算方法用调和平均值法进行修正,使流场不对称现象得到改善,充型速度可提高到40 m/s。
申发田李日李菲张建强
关键词:数值模拟薄壁铸件
共2页<12>
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