您的位置： 专家智库 > >

张森

作品数：34 被引量：28H指数：3
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 9篇自动化与计算...
  • 1篇电子电信

主题

  • 27篇存储器
  • 11篇电阻
  • 8篇电路
  • 6篇电极
  • 5篇细丝
  • 5篇纳米
  • 4篇导电
  • 4篇电容
  • 4篇氧化物
  • 4篇驱动电阻
  • 4篇金属
  • 4篇非挥发性
  • 4篇半导体
  • 4篇编程
  • 3篇电压
  • 3篇信息存储
  • 3篇信息存储技术
  • 3篇金属纳米
  • 3篇集中性
  • 3篇非挥发性存储...

机构

  • 34篇中国科学院微...
  • 2篇兰州大学
  • 1篇安徽大学

作者

  • 34篇张森
  • 34篇刘琦
  • 34篇龙世兵
  • 34篇刘明
  • 24篇王艳
  • 19篇李颖弢
  • 14篇连文泰
  • 12篇吕杭炳
  • 8篇王琴
  • 6篇左青云
  • 5篇余兆安
  • 4篇张康玮
  • 4篇王明
  • 4篇李颖涛
  • 3篇张满红
  • 3篇王艳花
  • 3篇刘璟
  • 3篇李冬梅
  • 3篇胡媛
  • 3篇谢常青

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国科学：技...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 14篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 8篇2009
共 34 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
编程电阻存储单元的方法和装置
本发明公开了一种编程电阻存储单元的方法和装置。该方法包括：采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作；检测采用第一编程脉冲对电阻存储单元进行编程操作是否成功；以及在对电阻存储单元编程失败的情况下，采用第二编程脉冲对电阻存...
刘明连文泰龙世兵刘琦李颖弢张森王艳
文献传递
阻变型随机存储单元、存储器及制备方法
本发明公开了一种阻变型随机存储单元、存储器及制备方法。本发明阻变型随机存储单元中，在导电电极表面制备具有圆锥形状的控制电极层，这种突出结构具有增强功能层中的局域电场强度的作用，这种局域集中的强电场效应有利于导电细丝的形成...
刘琦刘明龙世兵吕杭炳张森李颖涛王艳连文泰
文献传递
阻变存储器及其制造方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
一种电阻转变型存储器的制造方法
本发明公开了一种电阻转变型存储器器件的制造方法，所述方法包括：形成下导电电极；在所述下导电电极上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成上导电电极；对所述器件进行辐照。通过辐照工艺对绝缘材料层优化，辐照工艺后的电阻转变型存储器器件...
刘明王艳龙世兵吕杭炳刘琦李颖涛张森连文泰
文献传递
一种基于TiOx结构的忆阻器及其制备方法
本发明涉及一种基于TiO<Sub>x</Sub>结构的忆阻器及其制备方法。所述基于TiO<Sub>x</Sub>的忆阻器包括上电极和下电极，所述上电极和下电极之间设有TiO<Sub>x</Sub>存储介质层。本发明解决了...
刘明李颖弢龙世兵刘琦张森王艳连文泰
一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法
本发明涉及一种具有忆阻器特性的半导体器件及其制备方法。所述半导体器件包括上电极和下电极，以及位于所述上电极和下电极之间的功能层薄膜，所述功能层薄膜为钛铝氧化物TiAlOx。本发明具有忆阻器特性的半导体器件具有与忆阻器相似...
刘明李颖弢龙世兵吕杭炳刘琦张森王艳
文献传递
一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路
本发明公开了一种用于测试阻变存储器性能指标的限流电路，该限流电路至少包括电压比较器、单刀双掷模拟开关、RRAM器件和限流MOS管；其中，读写擦脉冲信号被分为两路输入到本电路中，一路信号输入到电压比较器中，用于区分读写擦电...
余兆安龙世兵刘明张森刘琦柳江
文献传递
驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法
本发明公开了一种利用电容驱动电阻转变型存储器实现多值存储的电路及方法。该电路由多个用以存储电能且具有不同容值的电容、多个电压源、一电阻转变型存储器和一开关转换电路构成，所述多个电容通过开关转换电路连接于所述多个电压源和所...
刘明张森龙世兵刘琦
掺杂技术对阻变存储器电学性能的改进被引量：3
2012年
本文总结和分析了掺杂技术对阻变存储器性能的改善.实验上,以Cu/ZrO2/Pt器件为基础,分别使用Ti离子、Cu,Cu纳米晶对器件进行掺杂.将掺杂过的器件与未掺杂的器件进行对比,发现掺杂的作用集中在四点:消除电形成过程、降低操作电压、提升电学参数的均一性和提高器件良率.除此之外,使用掺杂还可以提升器件高阻态的稳定性和保持特性.结果表明,掺杂技术是优化RRAM电学性能的有效方法.
王艳刘琦吕杭炳龙世兵王慰李颖弢张森连文泰杨建红刘明
关键词：非易失性存储器
一种电阻转变型存储器及其制作方法
本发明涉及一种电阻转变型存储器及其制作方法，属于信息存储技术领域。所述存储器包括上电极、下电极以及位于所述上电极和下电极之间的电阻转变存储层，所述上电极和下电极均由功函数为4.5电子伏～6电子伏的材料制成，所述电阻转变存...
刘明李颖弢龙世兵王琴刘琦张森王艳左青云
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0