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徐从玉

作品数:17 被引量:2H指数:1
供职机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中央高校基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 8篇会议论文
  • 6篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 10篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 3篇电气工程
  • 2篇化学工程

主题

  • 16篇介电
  • 12篇电性能
  • 12篇介电性
  • 12篇介电性能
  • 10篇钛酸锶
  • 10篇钛酸锶钡
  • 10篇钛酸锶钡薄膜
  • 7篇
  • 4篇梯度掺杂
  • 4篇浓度梯度
  • 4篇掺杂
  • 3篇溶胶
  • 3篇溶胶-凝胶法
  • 3篇膜厚
  • 3篇薄膜厚度
  • 3篇BA
  • 2篇介电特性
  • 2篇共掺
  • 2篇SOL-GE...
  • 2篇SOL-GE...

机构

  • 17篇电子科技大学

作者

  • 17篇徐从玉
  • 15篇廖家轩
  • 14篇张宝
  • 14篇王滨
  • 7篇张高俊
  • 2篇魏雄邦
  • 1篇徐美娟
  • 1篇夏红
  • 1篇尉旭波
  • 1篇徐自强

传媒

  • 5篇稀有金属材料...
  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第十七届全国...
  • 1篇综合电子系统...

年份

  • 8篇2013
  • 9篇2012
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Y掺杂浓度梯度对BST薄膜结构及介电性能的影响
2013年
用改进的溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备6层钇(Y)掺杂浓度分别为1%/1.1%/1.2%/1.3%/1.4%/1.5%的梯度Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜(1-1.5YBST)和掺杂浓度分别为1%/1.3%/1.6%/1.9%/2.2%/2.5%的梯度Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜(1-2.5YBST),研究掺杂浓度梯度对薄膜结构及介电性能的影响。X射线衍射(XRD)表明,两薄膜主要沿(110)晶面生长,为立方钙钛矿结构,比6层Y掺杂浓度均为1%的BST薄膜(YBST)的衍射峰强度及晶化减弱,但掺杂浓度梯度较大的1-2.5YBST对应的衍射强度和晶化较强。原子力显微镜(AFM)表明,1-2.5YBST具有更光滑的形貌。两薄膜比YBST具有高的电容、低的介电损耗、高的调谐率,而1-2.5YBST具有更优异的综合介电性能:零偏压下的电容为17.45 pF(介电常数127)、介电损耗为0.82%及最大调谐率为34.6%、优质因子为42。
张宝廖家轩王滨徐从玉
关键词:钛酸锶钡薄膜溶胶-凝胶法介电性能
交替掺杂Ba<sub>0.6</sub>Sr<sub>0.4</sub>TiO<sub>3</sub>薄膜制备及界面结构研究
钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3,BST)薄膜,其厚度在纳米级到微米级,是一种典型的应用范围极广的铁电材料。在外加电压下,BST薄膜的介电常数易于调节,且具有高的调谐率。BST薄膜的调谐率是衡量其非线性的一个重要指标,...
徐从玉
关键词:钛酸锶钡薄膜介电性能
Y掺杂浓度梯度对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及介电性能的影响
在Pt/Ti/SiO2/Si基片上用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法制备了钇(Y)掺杂浓度分别为1%/1.1%/1.2%/1.3%/1.4%/1.5%的6层梯度掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(1-1.5YBST)薄...
张宝廖家轩王滨徐从玉
钇梯度掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的制备及介电性能
用改进的溶胶-凝胶法(sol-gel)在Pt/Ti/SiO2Si(S)上制备了各层钇(Y)掺杂浓度分别为0.5%/0.6%/0.7%/0.8%/0.9%/1%的6层上梯度掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(0.5-1YBS...
李嶷云廖家轩王滨徐从玉张宝张高俊
钇梯度掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的sol-gel法制备及介电性能
用改进的溶胶-凝胶法(sol-gel)在Pt/Ti/SiO2/Si (S)上制备了各层Y掺杂浓度分别为0.5%/0.6%/0.7%/0.8%/0.9%/1%的上梯度掺杂和1%/0.9%/0.8%/0.7%/0.6%/0....
李嶷云廖家轩张高俊王滨徐从玉张宝
关键词:钛酸锶钡薄膜梯度掺杂溶胶-凝胶法介电性能
文献传递
钇梯度掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的sol-gel法制备及介电性能被引量:1
2013年
用改进的溶胶-凝胶法(sol-gel)在Pt/Ti/SiO2/Si(S)上制备了各层Y掺杂浓度分别为0.5%/0.6%/0.7%/0.8%/0.9%/1%的上梯度掺杂和1%/0.9%/0.8%/0.7%/0.6%/0.5%下梯度掺杂的Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜。X射线衍射(XRD)表明,各薄膜主要沿(110)晶面生长,均为立方钙钛矿结构。相比均匀掺杂薄膜,梯度掺杂薄膜表现出较好的相结构衍射强度及晶化,上梯度薄膜更为显著。原子力显微镜(AFM)表明,梯度掺杂使薄膜的表面形貌得到极大改善,上梯度比下梯度薄膜具有更加光滑致密的表面相貌和更小的表面粗糙度。电压-电容曲线表明,上梯度薄膜介电性能得到明显提高,在零偏压下的电容为28.5pF(介电常数190)、介电损耗为1.63%及40V下的调谐率为52.3%,优质因子为32。
李嶷云廖家轩张高俊王滨徐从玉张宝
关键词:薄膜厚度介电性能
薄膜厚度对Y掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜结构及介电性能的影响
2013年
采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)在Si/SiO2/Ti/Pt基片上制备了不同厚度(正比于薄膜层数)的钇(Y)掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了膜厚度对薄膜结构和介电性能的影响。原子力显微镜(AFM)表明,Y掺杂BST薄膜可显著改善表面形貌,且强烈依赖于薄膜厚度。当薄膜厚度适中(即当层数为8)时,表面晶粒细小、致密、均匀,晶界分明。X射线衍射(XRD)表明,Y掺杂BST薄膜显示钙钛矿结构,主要沿(110)晶面生长。随着薄膜厚度的增加,BST(110)峰的衍射强度先增后减,表明薄膜的相结构与薄膜厚度直接相关。Y掺杂BST薄膜显示优异的综合介电性能,且随着膜厚的增加,电容或介电常数减小。8层薄膜的综合介电性能最优,零偏压时的电容为17.8pF(介电常数130)、介电损耗为0.0057,调谐率为32%,优值因子为56,可满足微波调谐器件的需要。同时,就有关机理进行了分析。
徐从玉廖家轩王滨张宝李嶷云张高俊
关键词:介电性能薄膜厚度
钇掺杂浓度梯度对BST薄膜介电特性的影响
2013年
用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法制备光滑致密的相邻两层钇(Y)掺杂浓度之差即掺杂浓度梯度分别为0、0.1%和0.3%摩尔比的6层钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3)薄膜,分别表示为0YBST、1YBST和3YBST,研究掺杂浓度梯度对薄膜介电特性的影响。X射线衍射(XRD)表明,薄膜为沿(110)晶面生长的立方钙钛矿多晶结构,其中,0YBST显示最强的晶化,1YBST显示最弱的晶化。0YBST具有最差的介电特性,而3YBST具有最佳的介电特性,介电损耗小于1%,优质因子大于40,可满足微波调谐需要。还讨论了介电损耗减小的机理。
廖家轩张宝王滨徐从玉魏雄邦
关键词:钛酸锶钡薄膜介电特性
铈钇共掺钛酸锶钡薄膜的结构及介电性能被引量:1
2013年
用改进的溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了铈(Ce)钇(Y)共掺Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了薄膜的结构和介电性能。扫描电镜(SEM)显示,共掺使薄膜致密、缩孔减少、晶粒大小均匀,随着共掺浓度的增加薄膜表面更平整光滑。原子力显微镜(AFM)表明,共掺薄膜表面致密、晶粒呈球状生长、晶界更明显,随共掺浓度的增加晶粒变小、表面粗糙度减小。V-C曲线表明,相对于铈或钇掺杂,共掺使薄膜的综合介电性能提高,2%Ce和2%Y共掺BST薄膜显示最佳的综合介电性能:零偏压下的电容为7.6×10-11F、介电损耗为0.0126,40V偏压下调谐率为41%,优质因子为32.5,可满足微波调谐器件的需要。
王滨廖家轩张宝徐从玉
关键词:钛酸锶钡薄膜介电性能
Y掺杂(Ba_(0.6)Sr_(0.4))_(0.8)TiO_3薄膜的结构及介电性能
2013年
通过钇(Y)掺杂、适当增加钛(Ti)含量和调节薄膜厚度等优化设计,用改善的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了光滑致密的Y掺杂多层钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4)0.8TiO3,BST)薄膜,研究了该薄膜的结构及介电性能。X射线衍射(XRD)表明,该薄膜为钙钛矿结构,但其衍射峰强度很弱,主要与Y掺杂和微过量Ti有效减弱其铁电性有关。原子力显微镜(AFM)表明,该薄膜晶化较弱,且随厚度的增加晶化减弱,和XRD结果一致。该薄膜比Y掺杂的Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜显示更优异的综合介电性能,但与薄膜的厚度有关。随膜厚的增加,薄膜的电容和调谐率减小,但介电损耗大幅减小,其中,4层薄膜零偏压的介电常数为161、电损耗约为0.006,40V的调谐率为45.5%、优质因子大于75,可满足微波调谐器件的需要。
张高俊廖家轩李嶷云徐从玉王滨张宝
关键词:钛酸锶钡薄膜溶胶-凝胶法介电性能
共2页<12>
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