张宝
- 作品数：20 被引量：4H指数：1
- 供职机构：电子科技大学更多>>
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- 相关领域：一般工业技术理学医药卫生电气工程更多>>
- 一种基于表面等离子体激元的皮肤含水量检测传感器
- 该发明公开了一种基于表面等离子体激元的皮肤含水量检测传感器，属于微波生物医学传感检测技术领域，具体涉及一种可用于皮肤恶性黑色素瘤和皮肤含水量检测的表面等离子体激元的微波生物传感器。本发明通过微波在金属表面产生表面等离子体...
- 刘国张宝罗勇
- 二元交替掺杂钛酸锶钡薄膜生长行为研究
- 近几十年里，各种薄膜材料层出不穷，钛酸锶钡薄膜(BST)作为其中重要的一支，已取得重大研究成果。本论文采用改进溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备BST薄膜。Sol-Gel法可用来制备大面积薄膜，其速度快、成本低、精度高、...
- 张宝
- 关键词：钛酸锶钡薄膜介电性能
- Y掺杂浓度梯度对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜结构及介电性能的影响
- 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上用改进的溶胶-凝胶（sol-gel）法制备了钇（Y）掺杂浓度分别为1%/1.1%/1.2%/1.3%/1.4%/1.5%的6层梯度掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3（1-1.5YBST）薄...
- 张宝廖家轩王滨徐从玉
- 基于低温共烧陶瓷技术的SIP工艺研究
- 2013年
- 系统集成封装技术(SIP)是将一个电子系统进行集成封装,而基于低温共烧陶瓷工艺(LTCC)的高密度基板技术是其中的关键。本文研究了收发(T/R)组件微波多层互连基板的制作工艺及其优化,基于LTCC工艺,制备出一种应用于X波段T/R组件的SIP基板,并着重对影响基板特性的信号孔和散热孔填充、通孔金属化、异质材料匹配工烧、内埋腔体技术和组装等关键技术进行了研究。获得了一套内埋置腔体LTCC多层互连基板的工艺参数,并已成功研制出满足T/R组件微波电路性能要求的LTCC多层互连基板。
- 徐自强张宝徐美娟廖家轩
- 关键词：低温共烧陶瓷
- 钇梯度掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的制备及介电性能
- 用改进的溶胶-凝胶法（sol-gel）在Pt/Ti/SiO2Si（S）上制备了各层钇（Y）掺杂浓度分别为0.5%/0.6%/0.7%/0.8%/0.9%/1%的6层上梯度掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3（0.5-1YBS...
- 李嶷云廖家轩王滨徐从玉张宝张高俊
- 钇梯度掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的sol-gel法制备及介电性能
- 用改进的溶胶-凝胶法(sol-gel)在Pt/Ti/SiO2/Si (S)上制备了各层Y掺杂浓度分别为0.5％/0.6％/0.7％/0.8％/0.9％/1％的上梯度掺杂和1％/0.9％/0.8％/0.7％/0.6％/0....
- 李嶷云廖家轩张高俊王滨徐从玉张宝
- 关键词：钛酸锶钡薄膜梯度掺杂溶胶-凝胶法介电性能
- 文献传递
- 钇梯度掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜的sol-gel法制备及介电性能被引量：1
- 2013年
- 用改进的溶胶-凝胶法(sol-gel)在Pt/Ti/SiO2/Si(S)上制备了各层Y掺杂浓度分别为0.5%/0.6%/0.7%/0.8%/0.9%/1%的上梯度掺杂和1%/0.9%/0.8%/0.7%/0.6%/0.5%下梯度掺杂的Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜。X射线衍射(XRD)表明,各薄膜主要沿(110)晶面生长,均为立方钙钛矿结构。相比均匀掺杂薄膜,梯度掺杂薄膜表现出较好的相结构衍射强度及晶化,上梯度薄膜更为显著。原子力显微镜(AFM)表明,梯度掺杂使薄膜的表面形貌得到极大改善,上梯度比下梯度薄膜具有更加光滑致密的表面相貌和更小的表面粗糙度。电压-电容曲线表明,上梯度薄膜介电性能得到明显提高,在零偏压下的电容为28.5pF(介电常数190)、介电损耗为1.63%及40V下的调谐率为52.3%,优质因子为32。
- 李嶷云廖家轩张高俊王滨徐从玉张宝
- 关键词：薄膜厚度介电性能
- 薄膜厚度对Y掺杂Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜结构及介电性能的影响
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)在Si/SiO2/Ti/Pt基片上制备了不同厚度(正比于薄膜层数)的钇(Y)掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了膜厚度对薄膜结构和介电性能的影响。原子力显微镜(AFM)表明,Y掺杂BST薄膜可显著改善表面形貌,且强烈依赖于薄膜厚度。当薄膜厚度适中(即当层数为8)时,表面晶粒细小、致密、均匀,晶界分明。X射线衍射(XRD)表明,Y掺杂BST薄膜显示钙钛矿结构,主要沿(110)晶面生长。随着薄膜厚度的增加,BST(110)峰的衍射强度先增后减,表明薄膜的相结构与薄膜厚度直接相关。Y掺杂BST薄膜显示优异的综合介电性能,且随着膜厚的增加,电容或介电常数减小。8层薄膜的综合介电性能最优,零偏压时的电容为17.8pF(介电常数130)、介电损耗为0.0057,调谐率为32%,优值因子为56,可满足微波调谐器件的需要。同时,就有关机理进行了分析。
- 徐从玉廖家轩王滨张宝李嶷云张高俊
- 关键词：介电性能薄膜厚度
- 钇掺杂浓度梯度对BST薄膜介电特性的影响
- 2013年
- 用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)法制备光滑致密的相邻两层钇(Y)掺杂浓度之差即掺杂浓度梯度分别为0、0.1%和0.3%摩尔比的6层钛酸锶钡(Ba0.6Sr0.4TiO3)薄膜,分别表示为0YBST、1YBST和3YBST,研究掺杂浓度梯度对薄膜介电特性的影响。X射线衍射(XRD)表明,薄膜为沿(110)晶面生长的立方钙钛矿多晶结构,其中,0YBST显示最强的晶化,1YBST显示最弱的晶化。0YBST具有最差的介电特性,而3YBST具有最佳的介电特性,介电损耗小于1%,优质因子大于40,可满足微波调谐需要。还讨论了介电损耗减小的机理。
- 廖家轩张宝王滨徐从玉魏雄邦
- 关键词：钛酸锶钡薄膜钇介电特性
- 铈钇共掺钛酸锶钡薄膜的结构及介电性能被引量：1
- 2013年
- 用改进的溶胶-凝胶法(sol-gel)制备了铈(Ce)钇(Y)共掺Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,研究了薄膜的结构和介电性能。扫描电镜(SEM)显示,共掺使薄膜致密、缩孔减少、晶粒大小均匀,随着共掺浓度的增加薄膜表面更平整光滑。原子力显微镜(AFM)表明,共掺薄膜表面致密、晶粒呈球状生长、晶界更明显,随共掺浓度的增加晶粒变小、表面粗糙度减小。V-C曲线表明,相对于铈或钇掺杂,共掺使薄膜的综合介电性能提高,2%Ce和2%Y共掺BST薄膜显示最佳的综合介电性能:零偏压下的电容为7.6×10-11F、介电损耗为0.0126,40V偏压下调谐率为41%,优质因子为32.5,可满足微波调谐器件的需要。
- 王滨廖家轩张宝徐从玉
- 关键词：钛酸锶钡薄膜介电性能
