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曹绍谦

作品数：1 被引量：10H指数：1
供职机构：西南大学物理科学与技术学院（电子信息工程学院）更多>>
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相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇荧光
  • 1篇荧光染料
  • 1篇三重态
  • 1篇染料掺杂
  • 1篇F

机构

  • 1篇西南大学

作者

  • 1篇曹绍谦
  • 1篇熊祖洪
  • 1篇阚敏
  • 1篇陈平
  • 1篇宋群梁
  • 1篇刘文利

传媒

  • 1篇科学通报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
三重态激子在不同荧光染料掺杂体系中的湮灭过程被引量：10
2010年
室温下，在红色荧光染料掺杂的有机发光器件ITO/N，N’－bis（naphthalen－1－y）－N，N’－bis（phenyl）benzidine（NPB）／tris（8-hydroxyquinolato）aluminum（Alq3）：4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p—dimethylaminostyryl-4H—pyran（DCM）／Alq3/LiF／Al中，观察到发光随外磁场的变化（即磁致发光）表现为刚开始的快速增加，在～50mT处达到最大后，随着磁场的进一步增加，又呈现出减弱的特点（即高场效应）；而且，器件的掺杂浓度越高、所加偏压越大，该高场减弱就越明显．但在另一类绿色荧光染料5，12-dihydro，5，12-dimethylquino[2，3-b]acridine-7，14-dione（DMQA）的掺杂器件中，磁致发光的高场部分则是在～50mT后增加变缓并逐渐趋于饱和．分析结果表明，F6rster能量转移过程占主导发射的DMQA掺杂器件，不利于染料分子上三重态激子的形成，从而，通过三重态激子对（tripletpairs）湮灭产生单重态激子（triplet-tripletannihilation，TTA）的过程不易发生；但在载流子陷阱效应参与发射的DCM掺杂器件中，室温下在染料分子上就可以形成寿命较长的三重态激子，增加了发生TTA过程的几率．因此，基于掺杂器件中两种不同的发射机制，外加磁场对有机发光中三重态激子对（T…T）的演化表现出了不同的调控作用．
阚敏陈平曹绍谦刘文利宋群梁熊祖洪
关键词：染料掺杂
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