朱林山
- 作品数：5 被引量：15H指数：3
- 供职机构：贵州大学计算机科学与信息学院更多>>
- 发文基金：湖南省教育厅优秀青年基金湖南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 低能入射Si与Si(001)2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟被引量：2
- 2007年
- 利用Tersoff势函数,对300K时初始入射动能为0.03eV的单个Si原子从6个不同位置轰击Si(001)2×1重构表面的动力学过程进行了模拟.分析了入射Si原子的动能变化、势能变化以及其运动轨迹.结果表明:入射原子与表面原子相互作用几个皮秒后即可进入稳定位置,其与基底原子的结合能最大可以达到2.99eV;从位置1,2,3,4入射的原子不能使基底表面的二聚体键断开,而从位置5和位置6入射时,表面二聚体键的断开在入射原子与基底表面原子发生相互作用几十飞秒后即可完成.
- 朱林山金石声苟富均谢泉
- 关键词：分子动力学二聚体
- 固体能带计算方法被引量：6
- 2006年
- 作者综述了固体能带常用的计算方法,并采用第一性原理赝势平面波方法计算了Si和Ge的电子能带,对计算结果进行了分析。
- 闫万珺谢泉朱林山金石声
- 关键词：第一性原理
- 热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响被引量：5
- 2006年
- 作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
- 罗胜耘谢泉张晋敏肖清泉金石声朱林山闫万珺陈坤罗娇莲Koji YamadaKiyoshi Miyake
- 关键词：Β-FESI2IBD退火温度
- 低能He^+、Ar^+、Xe^+轰击SiC的蒙特卡诺模拟被引量：3
- 2007年
- 应用蒙特卡诺程序SRIM对He+、Ar+、Xe+轰击SiC的微观过程进行了模拟。对不同能量(100~500eV)以及不同角度(0~85°)下He+、Ar+、Xe+轰击SiC引起的溅射率、溅射原子分布、溅射原子能量以及入射离子在SiC中的分布情况进行了分析比较。结果表明对于原子量较小的He+入射SiC所引起的溅射主要是由进入表面之下的背散射离子产生的碰撞级联造成的,溅射原子具有较高的能量;对于原子量较大的Ar+、Xe+入射所引起的溅射主要是由进入SiC内部的离子直接产生的碰撞级联产生,溅射原子的能量相对较低。随着离子入射角度的逐渐增加,SiC的溅射率逐渐增加,在70°左右达到溅射峰值,随着入射角度的继续增加,入射离子的背散射不能使碰撞级联充分扩大,反冲原子的生成效率急剧降低,导致溅射率开始急剧下降。
- 金石声朱林山苟富均谢泉
- 关键词：SIC
- 低能Si与Si（001）2×1重构表面相互作用过程的分子动力学模拟
- 本文用分子动力学方法，选用Tersoff势函数对低能入射Si原子与Si/(001/)表面相互作用的微观细节过程进行了模拟。
全文共分六章：第一章简要总结了薄膜的生长理论、薄膜生长的研究方法以及入射...
- 朱林山
- 关键词：分子动力学方法二聚体
- 文献传递
