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苟富均: 作品数：31 被引量：29H指数：3; 供职机构：四川大学更多>>; 发文基金：国际热核聚变实验堆计划贵州省优秀青年科技人才计划国家自然科学基金更多>>; 相关领域：理学核科学技术电子电信一般工业技术更多>>

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液态锂回路的研究及实验被引量：1: 2016年; 在对国内外液态锂回路研究综述的基础上,重点介绍了四川大学流动液态锂回路的研究进展。为开展等离子体与流动自由液态锂表面相互作用的研究而设计了该回路,其目标是:(1)获得稳定、均匀的流动自由液态锂表面;(2)研究等离子体辐照下液态锂的蒸发、溅射以及氢、氢同位素和氦在液态锂中的滞留行为;(3)研究等离子体辐照下液态锂与结构材料的相容性。系统包括液态锂循环部分和直线高密度等离子体发生装置。; 薛晓艳张卫卫左浩毅欧巍曹小岗杨党校陈顺礼苟富均; 关键词：技术参数

分子动力学模拟C＋离子与聚变材料钨的相互作用被引量：4: 2013年; 采用分子动力学方法模拟不同能量的C+离子与聚变材料钨的相互作用。模拟结果表明:当C+离子入射剂量为3.11×1016cm-2,入射能量为50 eV时,样品表面形成一层碳膜;而入射离子能量为150和250 eV时,C+离子入射到样品内与钨原子共同形成碳钨混合层,样品表面没有形成碳膜;碳的沉积率随能量的增大先减小后增加,溅射率随能量的增大先增大后减小;轰击后的样品中,碳原子密度、C-W键密度及C-C键密度分布都随能量的增加逐渐向样品内移动,且C-W键分布厚度随能量的增加而逐渐增加,C-C键分布厚度几乎不随能量变化;在作用过程中极少量的钨原子发生溅射,但引起钨晶格损伤严重;碳在轰击后的样品中主要以Csp3杂化形式存在。; 田树平贺平逆张静全潘宇东苟富均; 关键词：分子动力学

氢原子在第一壁材料铍表面散射行为的分子动力学模拟: 2013年; 采用分子动力学方法模拟了H原子在Be表面的散射。模拟结果表明,在入射能量为1、3、5、7和9eV时,H原子散射率随着入射角度的增加而增大。在垂直入射角度时,散射率随着入射能量增加而线性减小。入射能量为1eV时,所有氢原子为接触Be表面就发生散射;当入射能量为5eV时,垂直入射及45°入射的氢原子中大约14.7%粒子注入到表面以下,而85入射的氢原子则全部发生散射;当入射能量为9eV时,35.8%的氢原子在表面向下1、2层原子间发生散射,且能量越大,入射的深度越深。此外,还分析了散射氢原子密度分布和平均能量分布随散射角的变化关系。; 田树平曹小岗张静全潘宇东苟富均; 关键词：分子动力学 BE 散射角

分子动力学模拟H原子与Si的表面相互作用: 2013年; 通过分子动力学模拟了入射能量对H原子与晶Si表面相互作用的影响.通过模拟数据与实验数据的比较,得到H原子吸附率随入射量的增加呈先增加后趋于平衡的趋势.沉积的H原子在Si表面形成一层氢化非晶硅薄膜,刻蚀产物(H2,SiH2,SiH3和SiH4)对H原子吸附率趋于平衡有重要影响,并且也决定了样品的表面粗糙度.当入射能量为1eV时,样品表面粗糙度最小.随着入射能量的增加,氢化非晶硅薄膜中各成分(SiH,SiH2,SiH3)的量以及分布均有所变化.; 柯川赵成利苟富均赵勇; 关键词：分子动力学吸附率氢化非晶硅薄膜

聚变堆中H刻蚀碳氢薄膜的分子动力学模拟被引量：1: 2011年; 使用分子动力学方法模拟了低能H原子与碳氢薄膜的作用过程,以了解基于核聚变装置中等离子体与C基材料的相互作用机制。模拟中使用REBO(reactive empirical bond order)势函数来描述C-H体系中原子间的相互作用,并使用Berendsen热浴来控制体系的温度。文中着重探讨了入射能量对低能H原子刻蚀碳氢薄膜的影响,入射能量分别为0.3,1,5和10eV。模拟结果显示随着入射能量的增加,H原子的吸附率增加,C原子和H原子的刻蚀率增加。同一能量下H原子比C原子更易发生刻蚀。通过讨论发现在H原子与碳氢薄膜作用过程中,当能量大于1 eV时,由于入射的H原子先沉积在表面并与表面原子发生反应形成碳氢化合物,然后在后续入射粒子的轰击下碳氢化合物在表面发生解吸附现象,从而导致了C原子的刻蚀,因此C原子的刻蚀发生主要是化学增强的物理溅射。; 吕晓丹秦尤敏赵成利宁建平贺平逆苟富均; 关键词：分子动力学刻蚀

Ar射频放电特性随时间演化的PIC／MCC模拟被引量：1: 2012年; 采用等离子体粒子模拟方法(PIC/MCC)方法对一维模型模拟了容性耦合等离子体(CCP)源放电过程中等离子体的动力学行为。在模拟氩气放电的过程中,综合考虑了电子与Ar之间的弹性碰撞、激发、电离以及Ar与Ar+之间的弹性碰撞和电荷交换过程。由模拟结果可知,射频极板附近鞘层区域在极短时间内形成,其厚度随着时间的增加而增厚;而射频极板处的粒子通量随着时间的增加逐渐减小。经过一段时间后,射频极板处平均粒子通量、平均电流以及鞘层平均厚度逐渐趋于平衡。在鞘层区域电流主要由位移电流构成,在等离子体区域电流主要由传导电流贡献。最后讨论了达到平衡态后等离子体密度、电势、电场强度和能量的空间分布情况。; 张浚源陈峰孙伟中吕晓丹贺平逆苟富均; 关键词：等离子体鞘层

CuCrZr合金质子辐照效应的模拟研究被引量：2: 2017年; 基于Monte Carlo方法,跟踪一大批入射粒子的运动,模拟1~10 Me V质子辐照下质子与CuCrZr合金的相互作用,计算出合金的阻止本领、能量传递、能量损失、射程、空位分布情况以及合金的辐照损伤分别与辐照深度、质子能量的关系,通过模拟CuCrZr合金在聚变反应中的工作环境,分析热沉材料的失效机理.研究结果表明:质子能量在1~10 Me V时,质子与CuCrZr合金发生非弹性碰撞,能量损失以电离能损失为主,表现出很好的抗辐照性能;质子在合金中的峰值深度随质子能量增加而增加,且近似指数关系,峰值深度为2~250μm;入射质子能量达到Me V级别时,溅射产额为零,CuCrZr合金可以很好的避免器壁的侵蚀;合金中空位的个数与入射质子能量呈线性关系,合金中空位和质子在合金中的分布具有同步性;质子损伤效率在合金深度方向呈现高斯分布,损伤最大值位置与辐照深度接近,随着入射质子能量的增加损伤效率最大值不断减小.; 李克用马瑞马瑞苟富均谢泉; 关键词：CUCRZR合金辐照效应

F原子与Si表面相互作用的动力学研究被引量：6: 2012年; 采用分子动力学方法模拟了F原子与Si表面相互作用,F原子入射能量分别为0.3,1,3,5,7和9 eV。在模拟过程中,F原子的沉积率与Si表面悬键密度有关,而Si原子的刻蚀率与表面晶格结构破坏程度有关,随着Si原子刻蚀率的增加,样品高度降低。在不同能量F原子作用下,样品Si表面形成Si-F反应层。Si-F反应层的厚度随入射能量的增加而增加,其组成成分对产物有至关重要的影响。; 赵成利邓朝勇孙伟中吕晓丹陈峰贺平逆张浚源刘玉杰苟富均; 关键词：分子动力学刻蚀

入射能量对H2^＋与SiC表面相互作用影响的分子动力学模拟被引量：1: 2011年; 用分子动力学方法研究了入射能量对H2+与SiC样品表面相互作用的影响。模拟结果表明,在H2+轰击SiC样品表面的初始阶段,样品中H原子的滞留量增加较快,其后,增加的速率减慢,并逐渐趋于饱和。入射能量越大,样品中H原子的滞留量也就越大。样品在H2+的轰击下,样品Si、C原子会发生刻蚀。入射能量越大,Si和C原子的刻蚀量越大。在相同入射能量下,Si原子的刻蚀量大于C原子。生成的产物中,以H,H2和SiH4为主;产物H2的量随着能量的增加而减小。其他产物随着入射能量的增加而增加。; 孙伟中赵成利刘华敏张浚源吕晓丹潘宇东苟富均; 关键词：分子动力学入射能量刻蚀

聚变堆中等离子体与壁材料的相互作用研究: 聚变堆中第一壁材料要面对严酷的辐射、高温、应变力等复杂的物理和化学变化。因此保持第一壁材料的稳定性是聚变研究中的热点与难点。本次报告中将首先介绍我们正在建造的一台高密度直线等离子体装置情况。有关这台设备的流体模拟结果。最...; 苟富均; 文献传递

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