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朱爱平

作品数：2 被引量：14H指数：2
供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇氮原子
  • 1篇氧沉淀
  • 1篇原子
  • 1篇杂质对
  • 1篇直拉单晶硅
  • 1篇中位
  • 1篇位错
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇氮
  • 1篇硅
  • 1篇碳
  • 1篇成核

机构

  • 2篇浙江大学

作者

  • 2篇朱爱平
  • 2篇李立本
  • 2篇阙端麟
  • 2篇张锦心
  • 1篇王淦
  • 1篇杨德仁
  • 1篇李东升
  • 1篇黄笑容

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 1篇2001
  • 1篇1999
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用被引量：10
2001年
通过常温下压痕之后的高温热处理实验 ,研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用 ,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理 .实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用 ,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶 (CZSi) .同时指出 ,NCZSi的位错激活能比 CZSi的要高 ,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较 CZSi快 。
李东升杨德仁朱爱平黄笑容王淦张锦心李立本阙端麟
关键词：单晶硅位错半导体材料
碳和氮原子在氧沉淀中的作用被引量：4
1999年
本文研究硅中碳、氮原子对氧沉淀的作用机制，指出硅中碳、氮对间隙氧相互作用构成碳－硅－氧、氮对－硅－氧复合体，它们脱溶成核、构成氧沉淀的异质形核中心，促进氧沉淀的生成．文章指出硅中的氮仅参与氧沉淀的成核，而碳原子因条件而异，既可参与氧沉淀的成核，也可参与氧沉淀的长大．研究表明，高碳样品，在低于９００℃的热处理时，碳原子参与氧沉淀的长大，可显著降低氧沉淀引起的体积应变能，促进氧沉淀的长大；高于９００℃的热处理，碳原子可不参与氧沉淀的长大．但如果不经过高温预处理，由于在低温热历史中，碳原子已参与氧沉淀胚核的形成，碳原子参与氧沉淀的长大可降低氧沉淀长大过程中的界面能，碳原子同样会析出．１１００℃时，碳。
刘培东朱爱平张锦心李立本李立本
关键词：碳氮硅氧沉淀成核
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