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杜园园

作品数:7 被引量:10H指数:2
供职机构:西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划西北工业大学基础研究基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇TE
  • 2篇气相沉积
  • 2篇孪晶
  • 2篇晶体
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇红外透过率
  • 2篇ZNS
  • 2篇CDMNTE
  • 1篇一维结构
  • 1篇英文
  • 1篇闪锌矿
  • 1篇微米
  • 1篇微米级
  • 1篇位错
  • 1篇吸收边
  • 1篇习性
  • 1篇习性研究
  • 1篇锌矿
  • 1篇纳米

机构

  • 7篇西北工业大学
  • 2篇长安大学
  • 2篇上海交通大学

作者

  • 7篇杜园园
  • 6篇介万奇
  • 4篇王涛
  • 2篇郑昕
  • 2篇李焕勇
  • 2篇栾丽君
  • 1篇何亦辉
  • 1篇徐亚东
  • 1篇白旭旭
  • 1篇于晖
  • 1篇齐阳
  • 1篇俞鹏飞

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 4篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2009
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一维ZnE(E=S,Se)网状微米晶须的化学气相合成及生长机理研究被引量:2
2009年
以Zn粉为原料,在CuE(E=S,Se)微米球的辅助下,采用化学气相沉积(CVD)法在Si衬底上成功制备出微米级ZnE(E=S,Se)网状晶须。用XRD,EDS,SEM和PL谱分别对产物的结构、成分、形貌和结晶质量进行了测试和分析。结果表明:生长的ZnS和ZnSe微米晶须均为立方闪锌矿结构,长度达300μm以上,具有接近理想化学计量比的成分和较高的结晶质量。ZnE微米晶须的生长符合氧化还原反应下的气-液-固生长机制,Cu3Zn合金充当了实际的微米晶须生长催化剂,在晶须生长过程中Cu3Zn合金汇聚在一起使ZnE微米晶须形成交叉网状结构。
杜园园介万奇李焕勇
关键词:化学气相沉积ZNSZNSE
立方闪锌矿结构ZnS纳米线的合成与表征被引量:2
2009年
在NiS纳米粒子的辅助下,采用CVD方法,在NiS-Zn系统中成功地合成了长为25μm,直径大约200nm的具有立方相闪锌矿结构ZnS纳米线,其最优生长方向为[111]。由PL谱可知,在437.2nm处有一个很强的发射峰,说明ZnS纳米线具有很好的发光特性和单晶质量。并提出了氧化还原反应作用下的VLS生长机制,较好的解释了ZnS纳米线的形成过程。
杜园园介万奇李焕勇
关键词:ZNS闪锌矿一维结构化学气相沉积
CdZnTe晶体中微米级富Te相与PL谱的对应关系被引量:3
2011年
采用红外透过显微镜(IRTM)观察了不同条件下生长的CdZnTe晶体中微米级富Te颗粒.结合实际生长条件分析了不同富Te颗粒的产生以及形态演化.通过低温光致发光(PL)谱研究了CdZnTe晶体中杂质、缺陷的状态,以及晶体的结晶质量,并测试了相应晶体的电阻率.归纳出不同富Te颗粒的产生与对应晶体10 K温度下PL谱中特征发光峰之间的关系.研究表明:富Te条件下生长的晶体存在圆形、六边形以及三角形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)峰强度占主导;按化学计量比生长的晶体存在十字交叉的富Te颗粒,PL谱中DAP峰强度占主导;Cd过量生长的晶体存在星形富Te颗粒,PL谱中(D0,X)半峰宽较宽.
徐亚东介万奇王涛俞鹏飞杜园园何亦辉
关键词:CDZNTE晶体PL谱
ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究
采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30 mm、长度为60 mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密...
杜园园介万奇郑昕王涛于晖白旭旭
关键词:CDMNTE孪晶
Te溶剂-Bridgman法Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长习性研究被引量:3
2012年
采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为Ф30 mm×60 mm的Cd0.9Mn0.1Te∶In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌。测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻;采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界;采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌。测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60%,电阻率达到2.828×1011Ω.cm。位错密度在106cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭。生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面。但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹。
郑昕杜园园王涛介万奇齐阳栾丽君
关键词:红外透过率位错
掺铟对碲锰镉晶体性能的影响(英文)
2012年
通过近红外和红外透过谱表征,确定出掺铟后碲锰镉晶体透过率迅速下降,这是晶格吸收和自由载流子吸收共同作用的结果;而光致发光谱的分析结果表明,掺杂后施主-受主对峰增加,受主束缚激子峰减弱,且随着In含量的增加,受主束缚激子峰消失,只剩下施主-受主对峰。这一系列变化是因为替代的In原子作为施主补偿了Cd空位的缘故。拉曼光谱的测量显示,In掺杂导致'类CdTe'的纵向光学声子峰减弱;而磁学的测试结果则说明In的引入几乎不引起碲锰镉晶体磁化强度的变化。
栾丽君介万奇王涛杜园园
关键词:吸收边红外透过率光致发光谱磁化强度
ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文)被引量:1
2012年
采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观形貌既不均匀也不规则。同时,采用激光共聚焦显微镜也观察到CdMnTe富Te区存在无规律沉积的含有孔洞的不规则形状Te相。如果采用合适的生长工艺得到较为平直的生长界面,Te溶液垂直布里奇曼法可以有效减少CdMnTe晶体中的孪晶。
杜园园介万奇郑昕王涛白旭旭于晖
关键词:CDMNTE孪晶
共1页<1>
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