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栾丽君

作品数：14 被引量：9H指数：1
供职机构：长安大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省国际科技合作计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇中文期刊文章

领域

  • 6篇理学
  • 5篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 7篇TE
  • 7篇MN
  • 6篇CD
  • 4篇晶体
  • 3篇第一性原理
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶体
  • 2篇第一性原理计...
  • 2篇异质结
  • 2篇晶体生长
  • 2篇红外透过率
  • 2篇X
  • 1篇导体
  • 1篇第一性原理研...
  • 1篇电场
  • 1篇电子性能
  • 1篇钉扎
  • 1篇冻结温度
  • 1篇异质结界面
  • 1篇英文

机构

  • 11篇长安大学
  • 7篇西北工业大学
  • 2篇山东大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇悉尼大学

作者

  • 14篇栾丽君
  • 6篇介万奇
  • 4篇段理
  • 3篇王涛
  • 2篇杜园园
  • 2篇刘剑
  • 2篇田野
  • 2篇樊继斌
  • 2篇张研
  • 2篇杨云
  • 1篇徐义库
  • 1篇张继军
  • 1篇郑昕
  • 1篇艾涛
  • 1篇赖政清
  • 1篇周振君
  • 1篇陈华鑫
  • 1篇苟蕾
  • 1篇刘超
  • 1篇齐阳

传媒

  • 5篇稀有金属材料...
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇无机盐工业
  • 1篇材料导报
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇教育教学论坛

年份

  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2015
  • 2篇2012
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Ⅱ型C_(2)N/ZnO异质结水分解光催化剂的第一性原理研究
2023年
基于单层C_(2)N和ZnO,构建了一种新型2D范德华(vdW)异质结。在第一性原理下进行密度泛函理论计算,系统地研究了C_(2)N/ZnO异质结的光催化应用。结果表明,C_(2)N/ZnO异质结具有1.68 eV的直接带隙,其Ⅱ型带对准可以促使光生电子和空穴分离在不同层上。由Mulliken电荷布局分析可知,C_(2)N层有0.53个电子转移到ZnO层,在异质结界面处形成了一个较强的内建电场E int,抑制了光生电子空穴对的复合。此外,C_(2)N/ZnO异质结的带边位置跨过了pH=2~7时的水氧化还原电位,同时拉伸应变可以增大其光催化水分解pH范围。特别地,C_(2)N/ZnO异质结保留了高载流子迁移率和优异的光吸收性能,太阳能-氢能(STH)转换效率可达到24.6%。因此,C_(2)N/ZnO异质结是一种具有应用前景的水分解光催化剂。
陈晶亮栾丽君张茹张研杨云刘剑田野魏星樊继斌段理
关键词：第一性原理光催化
Te溶剂-Bridgman法Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长习性研究被引量：3
2012年
采用Te溶剂-Bridgman法生长了尺寸为Ф30 mm×60 mm的Cd0.9Mn0.1Te∶In晶锭,通过淬火得到了生长界面形貌。测试了晶片在近红外波段的透过率和电阻;采用化学腐蚀的方法观察了晶片中位错,Te夹杂和孪晶界;采用光学显微镜和红外成像显微镜观察了生长界面处附近的形貌。测试结果表明,晶锭中部结晶质量较好的晶片红外透过率达到60%,电阻率达到2.828×1011Ω.cm。位错密度在106cm-2数量级,Te夹杂密度为1.9×104cm-2,同时孪晶密度明显低于Bridgman法生长的晶锭。生长界面宏观形貌平整,呈现微凹界面。但由于淬火过程的快速生长,界面微观形貌发生变化,呈现不规则界面,并在界面附近形成富Te相的包裹。
郑昕杜园园王涛介万奇齐阳栾丽君
关键词：红外透过率位错
In掺杂对Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te巨法拉第效应的影响
2008年
常温下测量了Cd0.8Mn0.2Te晶片和多个掺In浓度不同的Cd0.8Mn0.2Te（以下简称Cd0.8Mn0.2Te：In）晶片的法拉第旋转谱和吸收边附近的透射光谱。结果表明，随着入射光子能量的增大，Cd0.8Mn0.2Te和Cd0.8Mn0.2Te：In的Verdet常数随之增大。掺In晶片的Verdet常数的变化与掺杂浓度有关：当光子能量在1．63～1．72eV范围内逐渐增加时，未掺In的测量值的变化范围是710～1820（°）／cm·T；当In浓度为8．96×10^16 atoms／cm^3时，Verdet常数增大到720-1960（°）／cm·T：当In浓度n分别为2．39×10^17，4．48×10^18 atoms／cm^3时，Verdet常数分别减小到660～1630，490-1090（°）／cm·T；当In浓度达到2．99×10^19 atoms／cm^3时，在1．63～1．70eV的光子能量范围内，Verdet常数减小到460～740（°）／cm·T。低掺In条件下，Verdet常数的增大是由于价带电子数增多，价带类P电子与Mn^2＋离子3d电子交换相互作用增强引起的；在高掺In量下，由于导带类s电子与Mn^2＋离子3d电子交换相互作用增强，导带能级分裂进一步减小，导致Cd0.8Mn0.2Te：In的Verdet常数减小。
栾丽君介万奇张继军
钒掺杂Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长与深能级缺陷研究
2022年
CdMnTe(碲锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本实验采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布。紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁带宽度分别为1.602和1.597 eV。光致发光谱中,晶体的(D^(0),X)峰形尖锐,半峰宽较小,表明缺陷或杂质含量低,晶体质量好。室温I-V测试晶锭中部和尾部晶体电阻率分别为2.85×10^(10)和9.54×10^(9)Ω·cm,漏电流分别为3和8.5 nA。霍尔测试表明晶体导电类型为n型。通过热激电流谱研究了Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te:V晶体中缺陷的能级和浓度,其中晶锭中部和尾部样品中源于Te反位(Te_(Cd)^(2+))的深施主能级(E_(DD))的值分别为0.90和0.812 eV。并且深施主能级E_(DD)使费米能级位于禁带中央,从而使晶体呈现高电阻率。
游思伟艾涛栾丽君
关键词：深能级缺陷费米能级
具有可调谐电子性能的AlAs/CdS异质结的第一性原理计算
2022年
本文采用基于密度泛函理论(Density Functional Theory, DFT)的第一性原理计算了AlAs/CdS异质结的几何结构、电子和光学性质.结果显示, AlAs/CdS异质结是具有0.688 eV直接带隙的Ⅱ型范德华(vdW)异质结,这有利于促进光生电子-空穴对的有效分离.当给异质结施加电场和应变时,异质结的带隙均可以调控为零,成功实现半导体到金属的转变,同时还伴随直接带隙-间接带隙的改变.更有趣的是,与两个单层相比, AlAs/CdS异质结的光吸收系数更高,吸收范围更加宽泛.上述特性表明AlAs/CdS异质结在光电探测器等光电子器件领域具有极大潜力.
赵佳恒栾丽君陈晶亮张研杨云魏星樊继斌刘剑田野段理
关键词：第一性原理外加电场
新工科背景下学生创新创业思维培养研究被引量：1
2022年
随着新一轮工业革命的到来,在国家战略性新兴产业的发展需求下,为满足制造业的高质量发展,高校在为社会输送大量专业型人才的同时,亟须加强工科学生的创新能力和创业精神的培养。长安大学面向新时代绿色发展,将优势学科与新型智能材料相结合,大力发展创新型项目,培养具有新能源材料与器件专业知识、工程技能、创新能力并具有广阔国际视野和综合素质的新工科人才。从全新的角度探讨培养学生创新创业能力之重要因素即企业家精神的培养,以期为其他院校学生创新创业思维培养提供新的启发。
栾丽君苟蕾李龙陈华鑫徐义库
关键词：创业精神
垂直布里奇曼法生长的Cd_(0.8)Mn_(0.2)Te单晶体中Te沉淀相分析被引量：1
2009年
Cd1-xMnxTe(CdMnTe,CMT)是制备光学隔离器、太阳能电池、x射线和γ射线探测器的优选材料。本实验采用垂直布里奇曼(VB)法成功地生长出Cd0.8Mn0.2Te单晶体。用JEM-3010型高分辨透射电子显微镜(HRTEM)观察了CMT晶体中的纳米级Te沉淀。选区电子衍射得到了Te沉淀与CMT基体两相的合成电子衍射图。计算出单斜Te沉淀的晶胞参数为:a=0.31nm,b=0.79nm,c=0.47nm,β=92.71°。确定了Te沉淀和CMT基体的取向关系为(0■1)Te//(■02)CMT,[100]Te//[111]CMT。最后,对Te沉淀(缺陷)的形成原因进行了分析。
栾丽君介万奇
CdS/CdMnTe太阳能电池异质结界面与光电性能的第一性原理计算被引量：1
2021年
CdS/CdMnTe异质结是具有集成分立光谱结构的叠层电池的"核芯"元件,是驱动第三代太阳能电池发展的核心引擎,其界面相互作用对大幅度提高太阳能电池的转换效率至关重要.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算构建CdS(002),CdMnTe(111)表面模型及Mn原子占据不同位置的CdS/CdMnTe异质结界面结构模型,分析CdS(002),CdMnTe(111)表面及异质结界面的电子性质和光学性质.晶格结构分析表明,CdS/CdMnTe异质结的晶格失配度约为3.5%,弛豫后原子位置与键长均在界面处发生一定程度的变化.态密度分析发现异质结界面的费米能级附近不存在界面态,并且界面处的Cd,S,Te原子之间的轨道杂化可增强界面的结合能力.差分电荷密度分析显示,界面处发生了电荷的重新分配,电子由CdMnTe转移到CdS侧.光学分析显示,CdS/CdMnTe异质结主要吸收紫外光,吸收系数可达105 cm^(-1),但不同Mn原子位置的异质结光学性质也稍有差别.在200—250 nm范围,Mn原子位于中间层的异质结的吸收系数更大,但在250—900 nm范围内,Mn原子位于界面层的异质结吸收峰更高.本文合理构建了CdS/CdMnTe异质结模型,计算分析了其界面光电性能,可为提高叠层电池的光电转换效率提供一定的理论参考,为实现多带隙异质结的实验研究提供一定的理论依据.
栾丽君何易王涛Liu Zong-Wen
关键词：第一性原理计算态密度
第ⅥA主族元素掺杂Mg-MoS_(2)异质结势垒高度调控被引量：1
2023年
在纳米尺寸的薄膜场效应晶体管中,源极、漏极(金属材料)与有源层(半导体材料)之间的肖特基势垒是制约器件发展的关键因素之一.本文采用密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,通过第Ⅵ主族元素对二硫化钼(MoS_(2))的硫原子进行替位掺杂,电子结构分析表明,氧的替位掺杂可以显著降低MoS_(2)的带隙值.选择功函数值较低的金属Mg,构建氧掺杂Mg-MoS_(2)异质结,研究发现,界面位置的氧掺杂可以使该异质结由肖特基接触变为欧姆接触.分析结果表明,欧姆接触的形成原因主要来自3个方面:(1)氧的掺杂增大了MoS_(2)的电子亲合能;(2)未掺杂的Mg-MoS_(2)异质结禁带中存在金属诱导间隙态,使费米能级被钉扎在禁带中靠近导带底的位置,界面氧掺杂降低了金属诱导间隙态在费米能级附近的强度,使费米能级的钉扎效应减弱而进入导带;(3)界面氧掺杂时,界面电荷转移减少,电偶极矩对Mg-MoS_(2)异质结相对能级改变的影响减小.本文的研究结果为金属-半导体界面的肖特基势垒高度调控提供了一定的理论指导.
栾丽君白凯阳马喆凡俞鹏飞段理
关键词：肖特基势垒掺杂
熔盐法合成白榴石机理与晶粒生长动力学被引量：1
2015年
采用硫酸铝钾-硫酸钾熔盐法制备了白榴石粉体。利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对白榴石粉体的形貌、粒度和物相进行了观察与分析。利用经典动力学方程研究了白榴石粉体在熔盐中的合成机理及晶粒生长动力学。结果表明:熔盐法合成白榴石粉体的生长过程可以划分为低温和高温两个阶段,不同阶段遵循不同的生长机理。在低于1 050℃的低温阶段白榴石晶粒的生长速率较小,生长过程受扩散过程控制;在高于1 050℃的高温阶段白榴石晶粒的生长速率显著增加,生长过程受界面反应控制。两个阶段对应的表观生长活化能分别为39.33 k J/mol和65.78 k J/mol。
罗伟华周振君栾丽君赖政清刘超
关键词：白榴石熔盐法生长动力学
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