梁美
- 作品数：12 被引量：132H指数：6
- 供职机构：北京交通大学更多>>
- 发文基金：国家电网公司科技项目中央高校基本科研业务费专项资金台达电力电子科教发展基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信更多>>
- 高速SiC MOSFET开关特性的测试方法被引量：17
- 2017年
- 为正确地评估高速SiC MOSFET的开关特性,基于双脉冲测试平台对精准的测试方法进行研究。首先,仿真证明电路中寄生电感对SiC MOSFET开关特性的影响,优化设计PCB布局以减小寄生电感,对比PCB布局优化前后的测试结果。其次,对比分析续流二极管的结电容以及负载电感的寄生电容对SiC MOSFET开通特性的影响。然后,对比分析使用不同带宽的非隔离电压探头、不同电压探头地线连接方式、不同电流测试设备对测试结果的影响,并说明电压与电流波形之间相位延迟对开关能量损耗的影响。最后,对比分析不同测试点对测试结果的影响。
- 梁美李艳郑琼林赵红雁
- 关键词：开关特性MOSFET寄生参数
- 寄生参数对SiC MOSFET栅源极电压影响的研究被引量：41
- 2016年
- 为分析寄生参数对开关过程中碳化硅(Si C)MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的Si C MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生参数带来的影响;最后分析了开关过程中各寄生参数对Si C MOSFET栅源极电压的影响。
- 巴腾飞李艳梁美
- 关键词：SICMOSFET寄生参数开关模型
- 桥式电路中不同封装SiC MOSFET串扰问题分析及低栅极关断阻抗的驱动电路被引量：10
- 2017年
- 由于SiC MOSFET开关速度较快,使得桥式电路中串扰问题更加严重,这样不仅限制了SiC MOSFET开关速度的提升,也会降低电力电子装置的可靠性。针对SiC MOSFET的非开尔文结构封装和开尔文结构封装的串扰问题分别进行分析,栅漏极结电容的充放电电流和共源寄生电感电压均会引起处于关断状态开关管的栅源极电压变化。提出一种用于抑制串扰问题的驱动电路,该驱动电路具有栅极关断阻抗低、结构简单、易于控制的特点。分析该驱动电路的工作原理,提供主要参数的计算方法。最后通过实验测试了两种结构封装SiC MOSFET的串扰问题,并且对提出的驱动电路进行了实验,验证了其正确性以及对串扰问题的抑制效果。
- 梁美李艳郑琼林赵红雁
- 关键词：串扰SICMOSFET驱动电路
- 基于碳化硅MOSFET的驱动电路
- 本发明涉及一种基于碳化硅MOSFET的驱动电路。该驱动电路的开通和关断回路经过不同的回路，还包括：四个电容C<Sub>a1_H</Sub>、C<Sub>a2_H</Sub>、C<Sub>a1_L</Sub>和C<Sub>...
- 李艳梁美郑琼林郝瑞祥李虹林飞游小杰
- 文献传递
- 电流连续型双电感Boost类拓扑被引量：4
- 2013年
- 介绍了三种双电感Boost类拓扑,因该三种拓扑的输入输出电流连续、结构简单、管子数量少、控制逻辑简单并且效率较高,而被多次在航天领域应用。本文的目的在于从三种拓扑的纹波、驱动方式、小信号模型以及效率等方面分析和比较各种拓扑的特点,并且分析电感耦合的方式对于三种拓扑的影响及阻尼网络对拓扑的小信号模型的作用。最后通过600W的原理样机,验证三种拓扑的理论分析的正确性,并测试了三种拓扑的效率。
- 梁美郑琼林李艳贾鹏宇
- 关键词：耦合电感
- 用于精确预测SiC MOSFET开关特性的分析模型被引量：24
- 2017年
- 为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响,提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析模型。该模型考虑了寄生电感、SiC MOSFET非线性结电容及非线性跨导系数等参数。详细介绍了建立分析模型的原理,并给出了分析模型中各关键参数的提取方法。对比了基于分析模型计算得到的开关波形与实验测试结果,对比电压电流波形匹配度较高,证明了此分析模型的正确性。对比了分析模型的开关损耗与基于实验计算的开关损耗,对比结果显示两者存在偏差,而分析表明基于实验计算开关损耗的方法为不准确方法。最后基于所提出的分析模型分析了不同寄生参数对开关特性的影响,并为优化高频电路设计提出了建议。
- 梁美郑琼林李艳巴腾飞
- 关键词：分析模型寄生参数开关特性开关损耗
- 基于碳化硅MOSFET的驱动电路
- 本发明涉及一种基于碳化硅MOSFET的驱动电路。该驱动电路的开通和关断回路经过不同的回路，还包括：四个电容C<Sub>a1_H</Sub>、C<Sub>a2_H</Sub>、C<Sub>a1_L</Sub>和C<Sub>...
- 李艳梁美郑琼林郝瑞祥李虹林飞游小杰
- 文献传递
- 碳化硅功率器件高速应用关键技术研究
- 碳化硅功率器件具有高开关速度的特点,其开关损耗低,开关频率高,对实现电力电子变换器的高效率及高功率密度具有明显优势,迫切希望碳化硅功率器件在电力电子变换器中广泛应用。但是碳化硅功率器件的高开关速度也为其应用带来了一些问题...
- 梁美
- 关键词：开关特性寄生参数分析模型振荡
- 文献传递
- 三相并网系统的一种快速相位检测方法
- 在三相并网系统中,要求三相锁相环技术能够快速准确地检测电网电压相位信息,并且抗扰能力强、响应速度快.提出一种区别于传统的基于同步旋转坐标系三相并网系统锁相方法的相位检测方法,该方法通过分析三相电网电压的瞬时值在三相电压绝...
- 赵红雁李艳杜吉飞郑琼林梁美
- 关键词：锁相环正序分量谐波抑制
- 文献传递
- SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT的特性对比及其在DAB变换器中的应用被引量：54
- 2015年
- 碳化硅(Si C)半导体器件由于其宽禁带材料的优良特性受到了广泛关注。Si C半导体器件作为一种新型器件,对其与Si半导体器件的特性对比及评估越来越有必要。本文主要对比了Si C MOSFET、Si Cool MOS和IGBT的静态特性。并搭建了基于Buck变换器的测试平台,测试条件为输入电压为400V,电流为4~10A,对比了三种器件的开关波形、开关时间、开关损耗、dv/dt、di/dt以及内部二极管的反向恢复特性。设计了一台2k W的双主动全桥(DAB)变换器的实验样机,对比了应用三种器件的DAB变换器的理论效率和实测效率。
- 梁美郑琼林可翀李艳游小杰
- 关键词：SICMOSFETCOOLMOSIGBT
