樊双莉
- 作品数：6 被引量：23H指数：2
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- 相关领域：理学自然科学总论一般工业技术电子电信更多>>
- 直管式反应室感应耦合等离子体技术制备氮化硅薄膜研究被引量：2
- 2004年
- 采用直管式反应感应耦合等离子体增强化学气相沉积法(ICPECVD)制备氮化硅薄膜,并用傅立叶变换红外光谱仪测试了氮化硅薄膜的红外光谱,结果表明氮化硅薄膜中不仅存在Si-N键,而且由于杂质氢的存在而含有Si-H键和N-H键.用朗缪尔单探针测试了直管式反应室中的等离子体参数,得到离子密度Ni在反应室内轴向以及径向位置的变化规律,弄清了离子密度Ni分布比较均匀的区域,分析了离子密度Ni分布的均匀性对等离子体干法刻蚀和薄膜制备的影响和意义.
- 樊双莉陈俊芳吴先球赵文锋孙辉符斯列向鹏飞蒙高庆
- 关键词：感应耦合等离子体氮化硅薄膜离子密度直管化学气相沉积法等离子体参数
- 增强有机金属化学气相沉积薄膜的装置及方法
- 一种增强有机金属化学气相沉积薄膜的装置，由磁控管微波发生源、波导管、磁场产生部件、耦合窗、共振腔、沉膜室、样品台、样品台加热部件、样品台偏压部件、真空装置、配气装置、工作气体给气管、反应气体给气管和目视窗共同连接构成。该...
- 陈俊芳吴先球符斯列樊双莉马涛
- 文献传递
- 增强有机金属化学气相沉积薄膜的装置及其沉积方法
- 增强有机金属化学气相沉积薄膜的装置，由磁控管微波发生源、波导管、磁场产生部件、耦合窗、共振腔、沉膜室、样品台、样品台加热部件、样品台偏压部件、真空装置、配气装置、工作气体给气管、反应气体给气管和目视窗共同连接构成，磁场产...
- 陈俊芳吴先球符斯列樊双莉马涛
- 文献传递
- 纳米粉体材料氮化硅的ICP制备技术和红外光学特性被引量：2
- 2004年
- 采用ICP等离子体化学气相沉积技术,用硅烷和氮气为反应气体合成氮化硅纳米粉体.利用朗缪尔探针诊断了反应室内等离子体参数,得到不同位置、不同功率和不同气压下等离子体密度的变化规律,等离子体密度随着功率的增大而增大,随着气压的升高而减小,由于离子鞘层的存在,提供了局部等离子体密度稳定的区域.利用傅立叶红外光谱仪分析了氮化硅纳米粉体红外光谱和键态结构的特性,结果表明:氮化硅的表面特性和纳米材料的表面效应导致富氧层的存在.
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- 关键词：纳米粉体材料氮化硅ICP等离子体化学气相沉积陶瓷材料
- 等离子体参数诊断及其特性研究被引量：17
- 2004年
- 利用朗缪尔探针,诊断了Pw=650W、Im=145A、p=0 1Pa条件下在微波电子回旋共振等离子体增强有机金属化学气相沉积ECR-PEMOCVD装置反应室中ECR等离子体密度和电子温度的空间分布规律并分析了磁场对等离子体分布的影响.上游I区的等离子体受磁场梯度影响、按磁场位形扩散且等离子体分布不均匀;下游II区的等离子体具有良好的径向分布均匀性.下游Ⅱ区z=30cm、直径为16cm区域内等离子体密度均匀性达到了96 3%.这种大面积均匀分布的等离子体在等离子体加工工艺中具有广泛的应用.
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- 关键词：电子温度离子密度
- 低温等离子体增强CVD技术及制备氮化硅薄膜的研究
- 本文研究了感应耦合等离子体增强化学气相沉积(ICPECVD)技术、工艺过程和Si<,3>N<,4>薄膜特性.包括等离子体参数的分布特性以及Si<,3>N<,4>纳米薄膜材料的制备工艺方法,寻求合适的工艺参数,制备纳米Si...
- 樊双莉
- 关键词：等离子体密度氮化硅
- 文献传递
