符斯列
- 作品数：42 被引量：56H指数：3
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 增强有机金属化学气相沉积薄膜的装置及方法
- 一种增强有机金属化学气相沉积薄膜的装置，由磁控管微波发生源、波导管、磁场产生部件、耦合窗、共振腔、沉膜室、样品台、样品台加热部件、样品台偏压部件、真空装置、配气装置、工作气体给气管、反应气体给气管和目视窗共同连接构成。该...
- 陈俊芳吴先球符斯列樊双莉马涛
- 文献传递
- 气压对离子源增强磁控溅射制备氮化铝薄膜的影响被引量：1
- 2016年
- 目的制备性能优异的氮化铝薄膜。方法采用射频感应耦合离子源辅助直流磁控溅射的方法制备氮化铝薄膜,在不同的气压下,在Si(100)基片和普通玻璃上生长了不同晶面取向的氮化铝薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)分析氮化铝薄膜的结构、晶面取向、表面形貌及薄膜表面粗糙度,使用紫外可见分光光度计测定薄膜的透过率,并计算薄膜的禁带宽度。研究气压的大小对磁控溅射制备氮化铝薄膜微观结构的影响。结果在各气压下,薄膜生长以(100)面取向为主。在0.7 Pa前,(100)面的衍射峰强度逐渐增强,0.7 Pa之后减弱。(002)面衍射峰强度在0.6 Pa之前较大,0.6 Pa之后变小。各气压下薄膜表面均方根粗糙度均小于3 nm,且随着气压的增大先增大后减小,0.7 Pa时最大达到2.678 nm。各气压下所制备薄膜的透过率均大于60%,0.7 Pa时薄膜的禁带宽度为5.4 e V。结论较高气压有利于(100)晶面的生长,较低气压有利于(002)晶面的生长;(100)面衍射峰强度在0.7 Pa时达到最大;随气压的增大,薄膜表面粗糙度先增大后减小;所制备的薄膜为直接带隙半导体薄膜。
- 李鹏飞陈俊芳符斯列
- 关键词：气压磁控溅射氮化铝薄膜离子源粗糙度
- 等离子体化学气相沉积氮化镓薄膜中的N2/TMG等离子体发射光谱分析
- 2013年
- 对电子回旋共振低温等离子体化学气相沉积工艺(ECR-PECVD)沉积GaN薄膜过程中的氮气和三甲基镓有机金属气体(TMG)混合气体等离子体发射光谱进行分析。结果表明TMG在等离子体自加热条件下就发生离解,N2/TMG混合气体ECR等离子体主要以Ga气体粒子和亚稳态氮分子为主。发射光谱特征谱线随微波功率变化分析表明:当微波功率高于400W时,亚稳态氮分子浓度随着微波功率的增加而增加,而高激发态氮分子以及氮分子离子浓度却随着减少。
- 符斯列王春安陈俊芳
- 关键词：等离子体化学气相沉积GAN等离子体发射光谱
- 低温等离子体气相沉积氮化镓薄膜的光谱特性研究
- 2010年
- 采用低温等离子体增强化学气相沉积工艺，以氮气N2和三甲基镓（TMG）为反应气源，在蓝宝石衬底α—Al2O3的（0001）面上低温生长了GaN薄膜。薄膜光致发光光谱（PL）出现两个发光带，一个是中心位置位于364nm的锐而强的带边峰。另一个是中心波长在550nm（2．2eV），范围在480-700nm的强而宽的黄光发光带。傅立叶红外光谱（FTIR）观察到GaN的A1（LO）的下沿峰和E1（TO）峰，说明这是六方结构的OaN薄膜。
- 符斯列陈俊芳郭超峰
- 关键词：低温等离子体氮化镓薄膜FTIR光谱
- 等离子体增强沉积薄膜装置的基片台
- 等离子体增强沉积薄膜装置的基片台，由密封中空盘部件、固定支架部件、加热管部件和温度传感器部件连接构成。其中，密封中空盘部件由基片板、侧板、底盘和绝缘陶瓷固定连接构成；固定支架部件由金属套管、射频天线和固定法兰连接构成；加...
- 陈俊芳符斯列张茂平李贇李炜
- 文献传递
- ECR等离子体参数空间分布特性研究及制备GaN薄膜中的应用
- 随着半导体光电材料从GaAs材料向新一代GaN基材料的发展，制备长寿命、高亮度、低能耗的薄膜发光光电材料成为当前半导体光电材料工业的主要话题。目前GaN的外延生长技术一般采用有机金属化学气相外延法/(MOCVD/)，在蓝...
- 符斯列
- 关键词：ECR等离子体ECR-PEMOCVDGAN薄膜
- 文献传递
- 微波ECR等离子体化学气相沉积GaN薄膜的特性研究
- <正>作为第三代半导体材料的GaN基蓝光薄膜材料,由于其宽禁带、高亮度、低能耗,并因其和红光、绿光一起构成白光的三基色,在平板显示、光存储、蓝光激光器和功率晶体管等光电子领域将发挥广泛的应用。并成为半导体光电材料工业的主...
- 符斯列陈俊芳
- 文献传递
- 电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间分布
- 2005年
- 利用Langmuir探针诊断方法,得到了放电气压0.1Pa、射频13.56MHz、功率200W、加速栅压-200V和减速栅压+85V条件下,电子束蒸发镀膜反应室内的等离子体空间密度分布,以及不同放电气压和不同偏压下反应室内的等离子体密度分布.通过对反应室中等离子体空间分布的分析,得到离子密度均匀区域、合适的反应气压和合适的加速栅电压、减速栅电压范围.
- 蒙高庆陈俊芳向鹏飞熊予莹吴先球符斯列张茂平
- 关键词：电子束蒸发等离子体LANGMUIR探针离子密度电压范围栅压
- 微波电子回旋共振等离子体放电特性研究被引量：3
- 2009年
- 为了深刻理解微波电子回旋共振(ECR)等离子体的物理机制、瞬态过程以及空间分布特性,首先利用光栅光谱仪对ECR氮等离子体发射光谱进行了研究,然后利用朗缪尔双探针测量了装置反应室内等离子体密度的空间分布,并分析了放电气压对等离子体空间分布的影响.结果表明:ECR氮等离子体中主要发生的是碰撞激发、碰撞电离和碰撞离解等微观过程,且等离子体的主要成分是激发态的N2+;受磁场梯度影响的反应室上游区,等离子体分布不均匀,受等离子体密度梯度影响的下游区,等离子体则具有良好的均匀性;对于特定的微波功率(PW=400 W),放电气压存在一个最佳值(P=0.07 Pa).
- 张洪宾陈俊芳符斯列郭超峰李炜黄孟祥
- 关键词：ECR等离子体发射光谱
- 变温霍尔效应测量n型锗半导体薄膜禁带宽度被引量：1
- 2010年
- 文章介绍了变温霍尔效应测量半导体电学特性实验,通过77～400K的浅掺杂n型锗标准样品变温霍尔效应测量,根据对各种变温数据曲线中高温本征导电区斜率的计算,得到半导体样品的禁带宽度Eg,并对计算结果进行比较讨论。认为lg(|RH|T3/2)-1/T曲线方法更合适用来计算禁带宽度。
- 符斯列王春安陈俊芳
- 关键词：禁带宽度
