您的位置： 专家智库 > >

王东盛

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：大连理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电子阻挡层
  • 1篇英文
  • 1篇阻挡层
  • 1篇金属有机物
  • 1篇金属有机物化...
  • 1篇晶格
  • 1篇二极管
  • 1篇发光
  • 1篇发光二极管
  • 1篇GAN发光二...
  • 1篇超晶格
  • 1篇高性能

机构

  • 1篇大连理工大学
  • 1篇吉林大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇张克雄
  • 1篇王东盛
  • 1篇夏晓川
  • 1篇梁红伟
  • 1篇申人升
  • 1篇柳阳
  • 1篇杜国同
  • 1篇骆英民
  • 1篇宋世巍
  • 1篇杨德超

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
400nm高性能紫光LED的制作与表征(英文)
2013年
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有p-AlGaN电子阻挡层的400 nm高性能紫光InGaN多量子阱发光二极管。制作了3种紫光LED,分别带有不同p-AlGaN电子阻挡层结构:Al摩尔分数为9%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为11%的p-AlGaN电子阻挡层;Al摩尔分数为20%的10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层。带有高浓度Al电子阻挡层的紫光LED的光输出功率高于低浓度Al电子阻挡层的紫光LED。带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的紫光LED的光输出功率获得了极大的提高,在20 mA注入电流时测试得到的光输出功率为21 mW。此外,该LED同时显示了在高注入电流下接近线性的I-L特性曲线和在LED芯片表面均匀的发光强度分布。
王东盛郭文平张克雄梁红伟宋世巍杨德超申人升柳阳夏晓川骆英民杜国同
关键词：金属有机物化学气相沉积GAN发光二极管电子阻挡层超晶格
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0