您的位置： 专家智库 > >

王大海

作品数：19 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 5篇晶圆
  • 4篇退火
  • 3篇圆片
  • 3篇源区
  • 3篇致密
  • 3篇致密性
  • 3篇散热
  • 3篇散热能力
  • 3篇腔面
  • 3篇面发射
  • 3篇面发射激光器
  • 3篇晶圆片
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇发射激光器
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体器件
  • 3篇GAN
  • 3篇垂直腔
  • 3篇垂直腔面

机构

  • 18篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 19篇王大海
  • 7篇汪宁
  • 5篇金智
  • 4篇苏永波
  • 4篇熊文娟
  • 4篇王鑫华
  • 4篇周静涛
  • 4篇蒋浩杰
  • 3篇吴德馨
  • 3篇孙昀
  • 3篇丁芃
  • 3篇黄森
  • 3篇徐秋霞
  • 2篇闫江
  • 2篇李俊峰
  • 2篇柴淑敏
  • 2篇许静
  • 2篇王红丽
  • 2篇唐波
  • 2篇唐兆云

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 4篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2007
  • 2篇2006
共 19 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
2006年
深入研究了亚30nm CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术--Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90nm pMOS空穴有效迁移率在0.6MV/cm电场下提高32%.而且空穴有效迁移率的改善,随器件特征尺寸缩小而增强.利用零阶劳厄线衍射的大角度会聚束电子衍射分析表明,在沟道区相应的压应变为-3.6%.在集成技术优化的基础上,研制成功了高性能栅长22nm应变沟道CMOS器件及栅长27nm CMOS 32分频器电路(其中分别嵌入了57级/201级环形振荡器),EOT为1.2nm,具有Ni自对准硅化物.
徐秋霞钱鹤段晓峰刘海华王大海韩郑生刘明陈宝钦李海欧
关键词：压应力等效氧化层厚度CMOS
垂直腔面发射激光器及其制作方法
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，其中，该垂直腔面发射激光器，按照预设方向，依次包括：衬底、缓冲层、N电极接触层、第一分布布拉格反射镜、第一包层、第一异质结限制层、有源区、第二异质结限制层、第二包层、氧化限...
孙昀吴德馨荀孟潘冠中赵壮壮周静涛王大海金智
文献传递
一种半导体器件及其制作方法
本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：采用GaSb晶圆作为衬底，在正面电路结构已经完成的情况下，对GaSb晶圆背面进行减薄时，采用第一磨盘和研磨液进行减薄，其中，第一磨盘上设置有碳化钨涂层，通过碳化钨涂...
汪宁苏永波丁芃王大海金智
文献传递
磷化铟高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明公开提供了一种磷化铟高电子迁移率晶体管，该磷化铟高电子迁移率晶体管自下而上包括：磷化铟衬底，缓冲层，平面掺杂层，沟道层，掺杂界面控制层，高掺杂半导体层，窄带隙欧姆接触层；其中，栅槽结构贯通设置于掺杂界面控制层、高掺...
汪宁苏永波王大海王鑫华周静涛
一种退火系统
本发明实施例提供一种退火系统，包括混合气体源与退火炉，所述混合气体源通过炉外进气管与所述退火炉的后端相连，所述混合气体源与所述炉外进气管之间设置有阀门，所述阀门与所述炉外进气管之间设置有流量计；其中，所述退火炉包括炉体和...
熊文娟王大海蒋浩杰李俊峰
文献传递
一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺
一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺，其主要步骤是清洗、真空退火处理、溅射Ni薄膜、溅射TiN薄膜、快速热退火、选择腐蚀、玻璃淀积、接触孔形成和金属化。本发明在Ni膜上加一盖帽层氮化钛，形成TiN/Ni/Si结构，同时改进...
徐秋霞王大海柴淑敏
文献传递
一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法
本发明提供了一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法，通过设置缓冲层堆叠结构，修正了氧化镓衬底在减薄抛光工艺过程中发生的尺寸形变，该缓冲层堆叠结构可以使得氧化镓衬底减薄抛光过程中累计的应力得到有效释放，避免了氧化镓衬底由于单斜...
汪宁苏永波丁芃王大海金智
文献传递
一种硅片甩干系统
一种硅片甩干系统，所述系统包括甩干桶、甩干桶内用于固定第一片架的甩干支架，其中所述第一片架用于盛放具有第一尺寸的硅片，所述甩干桶内设置有硅片固定装置，所述硅片固定装置与所述具有第一尺寸的硅片在置于第一片架中时裸露出来的边...
熊文娟王大海蒋浩杰
文献传递
垂直腔面发射激光器及其制作方法
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，其中，该垂直腔面发射激光器，按照预设方向，依次包括：衬底、缓冲层、N电极接触层、第一分布布拉格反射镜、第一包层、第一异质结限制层、有源区、第二异质结限制层、第二包层、氧化限...
孙昀吴德馨荀孟潘冠中赵壮壮周静涛王大海金智
文献传递
一种半导体器件及其制作方法
本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：采用GaSb晶圆作为衬底，在正面电路结构已经完成的情况下，对GaSb晶圆背面进行减薄时，采用第一磨盘和研磨液进行减薄，其中，第一磨盘上设置有碳化钨涂层，通过碳化钨涂...
汪宁苏永波丁芃王大海金智
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0