您的位置： 专家智库 > >

王鑫华

作品数：108 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划香港特区政府研究资助局资助项目更多>>
相关领域：电子电信医药卫生理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 98篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 46篇电子电信
  • 2篇医药卫生
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇水利工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 26篇势垒
  • 25篇氮化镓
  • 20篇势垒层
  • 17篇刻蚀
  • 16篇GAN
  • 14篇晶体管
  • 13篇电子器件
  • 12篇衬底
  • 10篇肖特基
  • 10篇功率
  • 10篇二维电子
  • 9篇增强型
  • 9篇外延层
  • 9篇半导体
  • 8篇界面态
  • 8篇二极管
  • 8篇二维电子气
  • 7篇电压
  • 7篇栅极
  • 6篇淀积

机构

  • 108篇中国科学院微...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇香港科技大学
  • 1篇杭州士兰微电...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 108篇王鑫华
  • 98篇刘新宇
  • 73篇魏珂
  • 72篇黄森
  • 19篇郑英奎
  • 16篇赵妙
  • 9篇庞磊
  • 8篇袁婷婷
  • 7篇陈晓娟
  • 7篇王建辉
  • 7篇罗卫军
  • 6篇王文武
  • 4篇王大海
  • 4篇欧阳思华
  • 4篇汪宁
  • 4篇赵超
  • 4篇樊捷
  • 4篇包琦龙
  • 3篇李艳奎
  • 3篇蒋浩杰

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇科学中国人
  • 1篇机械工程学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇电源学报

年份

  • 3篇2024
  • 19篇2023
  • 10篇2022
  • 4篇2021
  • 7篇2020
  • 8篇2019
  • 10篇2018
  • 6篇2017
  • 9篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 7篇2011
  • 5篇2010
共 108 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件及其制作方法
本发明提供一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件制作方法，其中包括：步骤一、提供衬底以及衬底上的外延层；步骤二、提供外延层表面进行图形化并刻蚀凹槽；步骤三、在凹槽之间的外延层表面淀积第一阳极金属；步骤四、在凹槽中和第一层阳极...
康玄武刘新宇郑英奎黄森王鑫华魏珂
文献传递
一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法
本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si...
王鑫华刘新宇黄森蒋浩杰魏珂殷海波樊捷
文献传递
GaN MIS-HEMT大信号PSPICE模型的建模方法及模型
一种GaN MIS‑HEMT大信号PSPICE模型的建模方法及模型，通过测试不同温度下同一批次中若干个自主GaN MIS‑HEMT器件的直流和交流特性曲线，在所获取的直流特性曲线中提取阈值电压与源漏电压之间的关系，并找到...
刘春雨王鑫华黄森魏珂刘新宇
文献传递
一种在衬底减薄工艺中的粘片方法
本发明公开了一种在衬底减薄工艺中的粘片方法，该方法包括：在衬底正面涂覆电子束光刻胶；在涂覆了电子束光刻胶的衬底正面蒸发或者溅射金属；采用高温蜡将衬底正面粘贴在减薄片托上；采用低温蜡将减薄片托粘贴在减薄玻璃片上；对衬底背面...
郑英奎杜萌王鑫华
文献传递
氮化镓基CMOS制备方法及氮化镓基CMOS结构
本发明提供一种氮化镓基CMOS制备方法，包括：提供一叠层结构，所述叠层结构包括由下向上依次设置的衬底、氮化镓缓冲及沟道层、氮化铝插入层、氮化镓铝超薄势垒层、氮化铝截止层、P型氮化镓层以及重掺杂P型氮化镓层；对所述叠层结构...
黄森金昊蒋其梦王鑫华刘新宇
基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法
一种基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法，该探测器为气体探测器或溶液探测器，当所述探测器用于电解质溶液的检测时，电解质溶液位于栅极开口区域直接与薄势垒层接触，形成一接触界面，电解质溶液影响该接触界面的界面电荷，从而...
黄森施雯王鑫华魏珂刘新宇
一种多栅指GaN HEMTs
本发明公开了一种多栅指GaN HEMTs，属于半导体器件技术领域。该多栅指GaN HEMTs的栅指分为等温栅指和变温栅指，等温栅指的各个栅指之间的距离为<Image file="DDA000008248936000001...
王建辉刘新宇王鑫华庞磊袁婷婷
一种基于硅衬底外延GaN的工艺改进方法
本发明提供了一种基于硅衬底外延GaN的工艺改进方法，通过采用不同材料的浆液和磨盘对硅衬底进行多次减薄处理，制备出预设厚度和预设厚度均匀性的晶圆片结构，其厚度均匀性达到了纳米级别，大大降低了晶圆片结构内部的应力累积，使硅衬...
汪宁黄森王鑫华王大海
文献传递
氮化镓基功率二极管及其制作方法
本发明提供一种氮化镓基功率二极管及其制作方法，在重掺杂N型氮化镓衬底上方生长第一轻掺杂N型氮化镓外延层；在第一轻掺杂N型氮化镓外延层上方生长P型氮化镓外延层；对P型氮化镓外延层和第一轻掺杂N型氮化镓外延层进行刻蚀，以形成...
康玄武刘新宇黄森王鑫华魏珂
AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合
2011年
利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.
王鑫华赵妙刘新宇蒲颜郑英奎魏珂
关键词：HEMT费米能级C-V特性
全选 清除 导出
共11页<12345678910>
聚类工具0