您的位置： 专家智库 > >

王鑫华

作品数：125 被引量：10H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划香港特区政府研究资助局资助项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术医药卫生理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 115篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 49篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇医药卫生
  • 2篇文化科学
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇水利工程

主题

  • 29篇氮化镓
  • 27篇势垒
  • 21篇势垒层
  • 18篇刻蚀
  • 18篇衬底
  • 15篇晶体管
  • 14篇电子器件
  • 14篇GAN
  • 12篇半导体
  • 11篇增强型
  • 11篇肖特基
  • 11篇功率
  • 11篇二维电子
  • 10篇欧姆接触
  • 9篇外延层
  • 9篇键合
  • 9篇二维电子气
  • 8篇电压
  • 8篇栅极
  • 8篇界面态

机构

  • 125篇中国科学院微...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇武汉大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇香港科技大学
  • 1篇杭州士兰微电...
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 125篇王鑫华
  • 112篇刘新宇
  • 84篇黄森
  • 83篇魏珂
  • 19篇郑英奎
  • 16篇赵妙
  • 9篇庞磊
  • 8篇袁婷婷
  • 7篇陈晓娟
  • 7篇王建辉
  • 7篇罗卫军
  • 6篇王文武
  • 5篇汪宁
  • 4篇王大海
  • 4篇欧阳思华
  • 4篇赵超
  • 4篇樊捷
  • 4篇包琦龙
  • 3篇李艳奎
  • 3篇白云

传媒

  • 3篇物理学报
  • 1篇科学中国人
  • 1篇机械工程学报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电子与封装
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇电源学报

年份

  • 20篇2024
  • 19篇2023
  • 10篇2022
  • 4篇2021
  • 7篇2020
  • 8篇2019
  • 10篇2018
  • 6篇2017
  • 9篇2016
  • 3篇2015
  • 4篇2014
  • 6篇2013
  • 7篇2012
  • 7篇2011
  • 5篇2010
共 125 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种去除碳纳米管表面聚合物的方法和碳纳米管
本发明涉及一种去除碳纳米管表面聚合物的方法和碳纳米管，属于半导体技术领域，解决了现有技术中去除碳纳米管表面聚合物的方法会引入较多的缺陷的问题。所述方法包括：步骤1：采用热模式原子层沉积方法在衬底表面的碳纳米管薄膜上生长一...
孙兵常亚款常虎东魏珂王鑫华
一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法
本申请涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法，属于半导体技术领域，解决IGBT在短路模式下的短路耐量无法满足保护系统需求的问题。器件包括：沟槽栅MOS结构位于衬底的正面上，包括多个长沟道沟槽栅MOS和短沟道沟槽栅MO...
魏巍田晓丽王鑫华刘新宇徐堃慧白云杨成樾汤益丹郝继龙
一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件及其制作方法
本发明提供一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件制作方法，其中包括：步骤一、提供衬底以及衬底上的外延层；步骤二、提供外延层表面进行图形化并刻蚀凹槽；步骤三、在凹槽之间的外延层表面淀积第一阳极金属；步骤四、在凹槽中和第一层阳极...
康玄武刘新宇郑英奎黄森王鑫华魏珂
文献传递
碳化硅衬底及其处理方法
本发明提出了一种碳化硅衬底及其处理方法，可以应用于晶圆抛光技术领域。上述碳化硅衬底的处理方法包括：在碳化硅衬底具有电路的一面均匀涂覆光刻胶，得到目标碳化硅衬底；使用抛光液对目标碳化硅衬底进行研磨抛光，并利用滴定液与目标碳...
汪宁白云王鑫华
一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法
本发明涉及一种匹配氮化镓材料的低界面态复合介质结构及制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有技术中介质与(Al,In)GaN材料之间居高不下的界面态问题。本发明低界面态复合介质结构，包括：(Al,In)GaN基板、Si...
王鑫华刘新宇黄森蒋浩杰魏珂殷海波樊捷
文献传递
GaN MIS-HEMT大信号PSPICE模型的建模方法及模型
一种GaN MIS‑HEMT大信号PSPICE模型的建模方法及模型，通过测试不同温度下同一批次中若干个自主GaN MIS‑HEMT器件的直流和交流特性曲线，在所获取的直流特性曲线中提取阈值电压与源漏电压之间的关系，并找到...
刘春雨王鑫华黄森魏珂刘新宇
文献传递
一种在衬底减薄工艺中的粘片方法
本发明公开了一种在衬底减薄工艺中的粘片方法，该方法包括：在衬底正面涂覆电子束光刻胶；在涂覆了电子束光刻胶的衬底正面蒸发或者溅射金属；采用高温蜡将衬底正面粘贴在减薄片托上；采用低温蜡将减薄片托粘贴在减薄玻璃片上；对衬底背面...
郑英奎杜萌王鑫华
文献传递
半导体异质集成界面热阻调控方法
本发明公开了一种半导体异质集成界面热阻调控方法，包括：步骤1、根据漫散射失配模型建立第一材料和第二材料之间的界面热阻与声子色散的函数关系；步骤2、获取第一材料和第二材料在不同晶向下的声子色散关系，并将其输入到步骤1中的函...
袁超王鑫华肖兴林孟弼伟李红月刘新宇
氮化镓基增强型射频器件及其制备方法
本发明提供一种氮化镓基增强型射频器件及其制备方法，包括：衬底；缓冲层，形成在所述衬底层上表面；势垒层，形成在所述缓冲层的上表面；钝化层，设置在所述势垒层的部分上表面；源/漏欧姆接触，设置在所述势垒层未被所述钝化层覆盖的上...
栾田田黄森刘新宇蒋其梦王鑫华魏珂
氮化镓基CMOS制备方法及氮化镓基CMOS结构
本发明提供一种氮化镓基CMOS制备方法，包括：提供一叠层结构，所述叠层结构包括由下向上依次设置的衬底、氮化镓缓冲及沟道层、氮化铝插入层、氮化镓铝超薄势垒层、氮化铝截止层、P型氮化镓层以及重掺杂P型氮化镓层；对所述叠层结构...
黄森金昊蒋其梦王鑫华刘新宇
全选 清除 导出
共13页<12345678910>
聚类工具0