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管丽民

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电池
  • 1篇三氯氢硅
  • 1篇双层膜
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇歧化
  • 1篇歧化反应
  • 1篇硅电池
  • 1篇硅太阳能电池
  • 1篇TA

机构

  • 2篇中国科学院上...

作者

  • 2篇管丽民
  • 1篇胡素英
  • 1篇汪光裕
  • 1篇莫金玑

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇稀有金属

年份

  • 1篇1992
  • 1篇1983
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
三氯氢硅歧化的研究被引量：2
1992年
目前,SiH_2Cl_2作为优质源材料在外延工艺中的应用日益广泛,可用于沉积多晶硅、无定形硅和氮化硅等,是研制集成电路的一种重要材料。很多研究工作者论述了以含氮原子功能团的非可溶性固体催化剂进行SiHCl_3岐化制取SiH_2Cl_2工艺。本文报导实验室条件下进行SiHCl_3岐化研究的若干结果。
莫金玑管丽民汪光裕
关键词：三氯氢硅歧化反应
双层减反射膜的研究
1983年
我们采用电子束蒸发淀积得到了光学(折射率)匹配良好的Ta_2O_5和SiO_2体系,Ta_2O_5和SiO_2膜的折射率分别为2.15和1.45。测定了0.3—0.9μm光谱范围内Ta_2O_5单层膜的透过率和双层膜在0.4—0.9μm范围内的反射率分布。对蒸有厚度匹配良好的双层膜的硅电池,测得的平均反射率低于5％。 提出了一个以测定太阳电池在蒸发减反射膜前后的短路电流来估算平均有效反射的方法。估算结果和测定值非常近似,可用于蒸膜工艺和对膜质量的鉴定。
管丽民胡素英陆祝平
关键词：TA硅电池硅太阳能电池太阳电池双层膜
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