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高速电子器件MOCVD材料的研究动态: 1994年; 阐述了ＭＥＳＦＥＴ、ＨＥＭＴ和ＨＢＴ等高速电子器件的ＭＯＣＶＤ材料的研制现状，对可能存在的问题进行了讨论。同时介绍了硅上异质外延ＧａＡｓ的新工艺及其在高速电子器件中的应用前景。; 莫金玑

MOCVD GaAs太阳电池的结特性: 1999年; 本文用拟合的方法求得了太阳电池的结特性参数．结果表明ＭＯＣＶＤ太阳电池的效率随电池外延ｎ型层厚度的增大而增大．暗电流随电池外延ｎ型层厚度的增大而减小．ＭＯＣＶＤ电池承受反向电流的冲击的能力随电池外延ｎ型层厚度的增大而增强．ＭＯＣＶＤ电池比ＬＰＥ电池所能承受的反向电流密度大．; 施小忠夏冠群汪乐莫金玑; 关键词：太阳电池 MOCVD法砷化镓

三氯氢硅歧化的研究被引量：2: 1992年; 目前,SiH_2Cl_2作为优质源材料在外延工艺中的应用日益广泛,可用于沉积多晶硅、无定形硅和氮化硅等,是研制集成电路的一种重要材料。很多研究工作者论述了以含氮原子功能团的非可溶性固体催化剂进行SiHCl_3岐化制取SiH_2Cl_2工艺。本文报导实验室条件下进行SiHCl_3岐化研究的若干结果。; 莫金玑管丽民汪光裕; 关键词：三氯氢硅歧化反应

GaAs太阳电池帽层腐蚀研究──GaAs/AlGaAs薄膜体系的选择性腐蚀被引量：1: 1999年; 由ｐ＋－ＧａＡｓ帽层和ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ（ｘ＝０·８—０．９）窗口层构成的异质薄膜体系是ＧａＡｓ太阳电池器件中的常规结构。对该异质结构的只腐蚀ＧａＡｓ而不腐蚀ＡｌＧａＡｓ的选择性腐蚀工艺是ＧａＡｓ太阳电池制备过程中的一道关键工序。针对传统腐蚀工艺中出现的腐蚀后露出的ＡｌＧａＡｓ表面呈现彩色的问题，从改进腐蚀液配方角度，围绕通常采用的氨水－双氧水（ＮＨ４ＯＨ－Ｈ２Ｏ２）腐蚀液体系，对该问题作了深入细致的专门研究，并与柠檬酸－双氧水（Ｃ６Ｈ８Ｏ７－Ｈ２Ｏ２）和柠檬酸－柠檬酸钾－双氧水（Ｃ６Ｈ８Ｏ７－Ｋ３Ｃ６Ｈ５Ｏ７－Ｈ２Ｏ２）腐蚀液体系作对比，最终得到了较满意的氨水－双氧水－磷酸（ＮＨ４ＯＨ－Ｈ２Ｏ２－Ｈ３ＰＯ４）新腐蚀液体系。这种腐蚀液体系不仅可在较宽的溶液浓度范围内实现对高Ａｌ组分ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结构的选择性腐蚀。; 公延宁汪乐莫金玑夏冠群; 关键词：太阳电池砷化镓

GaAs和AlGaAs掺碳MOVPE生长技术进展被引量：1: 1998年; Ｃ作为ＩＩ－Ｖ族半导体中常用的ｐ型掺杂剂，由于它的掺杂浓度极限高和扩散系数低，逐渐引起人们的关注，并在许多应用中显示出潜力而有望代替常规的ｐ型掺杂剂，如Ｚｎ和Ｂｅ。根据近期研究成果，对采用ＭＯＶＰＥ技术生长的掺ＣＧａＡｓ和ＡｌＧａＡｓ性能研究中的若干方面给予了系统介绍和讨论。在此基础上对其应用作了总结，并对今后工作提出了几点建议。; 公延宁莫金玑夏冠群; 关键词：半导体 MOVPE 砷化镓

MOVPE法生长AlGaAs过程中Al分配系数的动力学研究: 2000年; 从固态组分控制方面，对ＡｌＧａＡｓ的常压金属有机物气相外延（ＡＰ－ＭＯＶＰＥ）生长技术进行了研究．首先，在假定体系中所涉及气体为理想气体的前提下，经理论推导，给出了ＡｌＧａＡｓＡＰ－ＭＯＶＰＥ生长过程中控制参数和Ａｌ在固、气相间的分配系数ｋＡｌ之间的关系式．之后，依据该关系式分析实验数据，并对ｋＡｌ的动力学行为规律进行了研究．结果表明，ｋＡｌ值大小与ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ的生长效率（单位ⅢＡ族原子输入量下材料的生长速率）之比Ｋ的大小有关：ｋＡｌ随Ｋ的增加而增大；当Ｋ＞１时，ｋＡｌ＞１，当Ｋ＜１时，ｋＡｌ＜１，实际情况以前者居多；只有当Ｋ＝１时才ｋＡｌ＝１．此外，生成ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ的表观反应活化能Ｅａ１和Ｅａ２的不同会导致Ｋ，进而ｋＡｌ随生长温度发生变化：当Ｅａ１＞Ｅａ２时，ｋＡｌ随生长温度的升高而减小，当Ｅａ１＜Ｅａ２时，ｋＡｌ随生长温度的升高而增大，论文得到的结果属后种；只有当Ｅａ１＝Ｅａ２时，ｋＡｌ才不随生长温度发生变化．再者，ｋＡｌ还会随Ａｌ在气相ⅢＡ族原子中的原子百分含量ｘⅤＡｌ的增加而减小．; 公延宁莫金玑余海生夏冠群; 关键词：镓铝砷化合物气相外延动力学 MOVPE

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莫金玑

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