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胡贵超

作品数:28 被引量:25H指数:3
供职机构:山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金山东省自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金更多>>
相关领域:理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 10篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 18篇理学
  • 4篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 12篇自旋
  • 10篇分子
  • 8篇输运
  • 5篇输运特性
  • 4篇铁磁
  • 4篇自旋极化
  • 4篇极化子
  • 4篇分子电子学
  • 3篇电输运
  • 3篇电输运特性
  • 3篇整流特性
  • 3篇自旋输运
  • 3篇自旋注入
  • 3篇分子器件
  • 2篇第一性原理
  • 2篇电子输运
  • 2篇双嵌段共聚物
  • 2篇嵌段
  • 2篇嵌段共聚
  • 2篇嵌段共聚物

机构

  • 23篇山东师范大学
  • 5篇山东大学
  • 1篇济宁学院

作者

  • 28篇胡贵超
  • 13篇任俊峰
  • 12篇张广平
  • 12篇王传奎
  • 9篇原晓波
  • 4篇王玉梅
  • 4篇李宗良
  • 3篇刘德胜
  • 3篇解士杰
  • 3篇夏蔡娟
  • 2篇窦兆涛
  • 2篇修明霞
  • 2篇李冬梅
  • 2篇房常峰
  • 2篇张燕如
  • 2篇张琳
  • 2篇张朝
  • 2篇邱帅
  • 1篇谢震
  • 1篇王一鸣

传媒

  • 9篇物理学报
  • 3篇中国科学:物...
  • 2篇Chines...
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇山东师范大学...
  • 1篇中国科学(G...
  • 1篇第十一届全国...
  • 1篇2017年第...

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2021
  • 3篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
28 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于金属二茂物的分子整流器件和自旋过滤阀的理论设计:二茂物种类的影响
<正>我们采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法,研究了二茂物种类(CrCp2、MnCp2、FeCp2、NiCp2、CoCp2)对金属二茂物基十一烷烃硫醇分子整流性质和自旋过滤性能的影响。计算结果表明,分子器件的整流比...
张广平穆延琦魏明志王善黄惠胡贵超李宗良王传奎
文献传递
侧基对有机/铁磁界面空间自旋极化的影响
<正>基于密度泛函理论,我们通过对吸附在Ni(111)面上的苯环施加不同的取代侧基来研究有机/铁磁界面的自旋极化现象。论证了侧基的种类和在芳环的位置可以从大小和量级上调制界面自旋极化的状态,尤其通过利用电子给体氨基和电子...
邱帅张朝王传奎胡贵超
文献传递
铁磁/有机系统的自旋扩散漂移性质研究被引量:1
2010年
基于自旋扩散漂移方程和欧姆定律,理论研究了电场对铁磁/有机半导体界面的电流自旋极化性质的影响.考虑到有机半导体内特殊的载流子以及电场对其自旋扩散长度的影响,计算了界面处的电流自旋极化率.结果表明,高电场可以使界面处的电流自旋极化率得到有效提高.同时还进一步研究了电场下有机半导体中极化子比率、自旋相关界面电阻等因素对电流自旋极化的影响.
王玉梅任俊峰原晓波修明霞胡贵超
关键词:自旋电子学有机半导体
有机材料器件电荷/自旋输运特性研究
近年来,由于扫描隧道显微镜(STM)、岛组装膜(SAMs)以及单分子和分子单层等实验合成技术的发展,使人们可以在分子层次使用有机材料构建更小更快的电子功能器件,从而使得分子电子学成为一门新兴而热门的学科。有机材料制作器件...
胡贵超
关键词:分子电子学自旋电子学晶格畸变
分子末端基团对分子整流特性的影响
张广平胡贵超李宗良王传奎
肖特基势垒对铁磁/有机半导体结构自旋注入性质的影响
2010年
理论研究了铁磁/有机半导体肖特基接触时的电流自旋极化注入,并讨论了电流自旋极化率随界面处肖特基势垒高度、有机半导体层中特殊载流子及其迁移率、界面附近掺杂浓度的变化关系.通过计算发现,寻找在势垒区中载流子迁移率比较大的有机半导体材料对实现有效的自旋注入是必要的;同时还发现,由于铁磁/有机半导体接触而形成的肖特基势垒不利于自旋注入.因此要想实现有效的自旋注入,界面附近必须采用重掺杂来有效减少势垒区的宽度,且势垒的高度要限制在一定的范围内.
修明霞任俊峰王玉梅原晓波胡贵超
关键词:肖特基势垒
有机铁磁界面自旋极化接触构型效应
2016年
基于第一性原理,研宄了三种不同的接触构型垂直吸附在镍表面的苯双硫分子的界面自旋极化.结果表明界面自旋极化强烈依赖于接触构型,接触构型的变化可使自旋极化由正值变为负值.通过分析投影态密度,发现界面处镍原子的3d轨道与硫原子的sp3杂化轨道发生了轨道杂化.模拟机械可控断裂结实验中的界面吸附构型,根据计算的界面自旋极化,利用Julliere模型得到磁电阻约为27%,与实验测量结果较为符合.
李营张广平谢震张朝任俊峰王传奎胡贵超
关键词:自旋极化
双吡啶基烷烃硫醇分子整流性能调控的理论研究
调控单分子整流器件的整流性能是分子电子学的一个研究热点。本文利用基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法,研究了双吡啶基团在烷烃硫醇分子中位置的改变对整流性能的影响。计算结果表明,双吡啶基烷烃硫醇分子的整流方向及整流性能可以...
张广平王善魏明志胡贵超王传奎
T型有机器件自旋注入效率的提高
2013年
考虑到有机半导体中特殊的载流子电荷自旋关系,建立了一个自旋注入有机半导体的简单的T型器件模型,运用自旋扩散理论计算得出了此模型的电流自旋极化率并与铁磁/有机半导体异质结构的注入效率进行了比较.理论计算发现T型模型中通过调节分支电流的大小会使自旋极化率较铁磁/有机半导体模型有明显的提高,并讨论了极化子比率、外加电场、自旋相关界面电阻以及有机半导体电导率等因素对电流自旋极化性质的影响.
宋瑞荣任俊峰窦兆涛原晓波胡贵超
关键词:自旋注入极化子
双嵌段共聚物分子器件整流特性调控的理论研究
对具有整流特性的功能分子器件的研究一直是分子电子学领域的研究热点之一.我们利用基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法,研究了双嵌段共聚物苯环-嘧啶分子结的整流特性.研究发现,在该分子结中存在两种决定整流的机制1:1.分子能...
张广平胡贵超王传奎
共3页<123>
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