任俊峰
- 作品数：27 被引量：46H指数：5
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省优秀中青年科学家科研奖励基金山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程电气工程更多>>
- 铁磁/有机系统的自旋扩散漂移性质研究被引量：1
- 2010年
- 基于自旋扩散漂移方程和欧姆定律,理论研究了电场对铁磁/有机半导体界面的电流自旋极化性质的影响.考虑到有机半导体内特殊的载流子以及电场对其自旋扩散长度的影响,计算了界面处的电流自旋极化率.结果表明,高电场可以使界面处的电流自旋极化率得到有效提高.同时还进一步研究了电场下有机半导体中极化子比率、自旋相关界面电阻等因素对电流自旋极化的影响.
- 王玉梅任俊峰原晓波修明霞胡贵超
- 关键词：自旋电子学有机半导体
- 有机半导体中电流自旋极化性质研究
- 电子既有电荷又有自旋。以电子电荷为基础的微电子学在二十世纪取得了巨大成功，但是在传统的微电子器件中，电子的自旋却一直被人们忽视，电子只被看成电荷的载体，不同数目的电子或空穴丰富了半导体材料的输运特性。金属自旋阀中巨磁电阻...
- 任俊峰
- 关键词：自旋注入自旋极化磁电阻有机半导体
- 文献传递
- 有机器件自旋极化放大效应研究
- 任俊峰
- 扰动对有机磁体器件自旋极化输运特性的影响
- 2011年
- 基于紧束缚模型和格林函数方法,研究了有机磁体晶格扰动和侧基自旋取向扰动对金属/有机磁体/金属三明治结构有机自旋器件自旋极化输运特性的影响.计算结果表明:晶格扰动的存在降低了器件的起始偏压,减小了导通电流,并使得电流-电压曲线的量子台阶效应不再显著,扰动不太强时电流仍呈现较高的自旋极化率;而侧基自旋取向扰动减小了体系的自旋劈裂,增加了器件的起始偏压,低偏压下随着扰动的增强器件电流及其自旋极化率明显降低.进一步模拟了温度对器件自旋极化输运的影响.
- 王辉胡贵超任俊峰
- 关键词：有机磁体自旋极化输运
- 并五苯分子电荷注入导致自旋极化的密度泛函理论研究
- 2014年
- 用密度泛函理论研究了不带自旋的空穴注入并五苯后体系的自旋相关特性. 电荷注入后并五苯分子中存在自发自旋极化行为. 当注入电荷量达一定程度，分子磁矩随注入电荷量的增加呈线性增长，最大磁矩可达1μB. 注入电荷和并五苯分子的相互作用导致分子体系结构发生变化，同时电荷密度分布及自旋密度分布也发生了变化. 注入电荷先填充自旋劈裂的碳原子pz轨道.
- 任俊峰张燕如原晓波胡贵超
- 关键词：密度泛函理论并五苯
- 极化子比率变化对自旋注入有机半导体性质的影响(英文)
- 2010年
- 从自旋扩散方程和欧姆定律出发研究了铁磁层到有机半导体的自旋注入,得到了系统的电流自旋极化率.有机半导体中的载流子为自旋极化子和不带自旋的双极化子,极化子比率在有机半导体内随输运距离变化.通过计算发现匹配的铁磁和有机半导体电导率有利于自旋注入;通过调节界面电阻自旋相关性,电流自旋极化率可获得很大程度提高;极化子比率衰减速率对有机半导体电流自旋极化率具有非常重要的影响.
- 修明霞任俊峰王玉梅
- 关键词：自旋注入极化子
- 肖特基势垒对铁磁/有机半导体结构自旋注入性质的影响
- 2010年
- 理论研究了铁磁/有机半导体肖特基接触时的电流自旋极化注入,并讨论了电流自旋极化率随界面处肖特基势垒高度、有机半导体层中特殊载流子及其迁移率、界面附近掺杂浓度的变化关系.通过计算发现,寻找在势垒区中载流子迁移率比较大的有机半导体材料对实现有效的自旋注入是必要的;同时还发现,由于铁磁/有机半导体接触而形成的肖特基势垒不利于自旋注入.因此要想实现有效的自旋注入,界面附近必须采用重掺杂来有效减少势垒区的宽度,且势垒的高度要限制在一定的范围内.
- 修明霞任俊峰王玉梅原晓波胡贵超
- 关键词：肖特基势垒
- 有机铁磁界面自旋极化接触构型效应
- 2016年
- 基于第一性原理，研宄了三种不同的接触构型垂直吸附在镍表面的苯双硫分子的界面自旋极化．结果表明界面自旋极化强烈依赖于接触构型，接触构型的变化可使自旋极化由正值变为负值．通过分析投影态密度，发现界面处镍原子的3d轨道与硫原子的sp3杂化轨道发生了轨道杂化．模拟机械可控断裂结实验中的界面吸附构型，根据计算的界面自旋极化，利用Julliere模型得到磁电阻约为27％，与实验测量结果较为符合．
- 李营张广平谢震张朝任俊峰王传奎胡贵超
- 关键词：自旋极化
- T型有机器件自旋注入效率的提高
- 2013年
- 考虑到有机半导体中特殊的载流子电荷自旋关系,建立了一个自旋注入有机半导体的简单的T型器件模型,运用自旋扩散理论计算得出了此模型的电流自旋极化率并与铁磁/有机半导体异质结构的注入效率进行了比较.理论计算发现T型模型中通过调节分支电流的大小会使自旋极化率较铁磁/有机半导体模型有明显的提高,并讨论了极化子比率、外加电场、自旋相关界面电阻以及有机半导体电导率等因素对电流自旋极化性质的影响.
- 宋瑞荣任俊峰窦兆涛原晓波胡贵超
- 关键词：自旋注入极化子
- 有机自旋阀的磁电阻性质研究被引量：2
- 2010年
- 考虑到有机半导体中极化子和双极化子特殊的电荷-自旋关系,从自旋扩散方程和欧姆定律出发,理论研究了"铁磁/有机半导体/铁磁"有机自旋阀结构中的磁电阻性质.计算发现,磁电阻在数值上随有机半导体层中极化子比率的增加而增大,随有机半导体层厚度的增加而迅速减小.同时发现自旋相关界面电阻能在很大程度上提高系统的磁电阻.讨论了铁磁层和有机半导体电导率比率、铁磁层极化率等对系统磁电阻性质的影响.
- 任俊峰王玉梅原晓波胡贵超
- 关键词：磁电阻极化子
