袁琰红
- 作品数：3 被引量：20H指数：3
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- 硅通孔三维封装的热力学分析
- 随着后摩尔时代的到来,三维封装技术是未来电子产品封装的必然趋势,其中,硅通孔技术(Through Silicon via,TSV)是通过在芯片和芯片、晶圆和晶圆之间制作垂直导通以实现芯片间互连的最新的三维封装技术,也是目...
- 袁琰红
- 关键词：三维封装
- 硅通孔尺寸与材料对热应力的影响被引量：8
- 2013年
- 通过有限元分析研究了单个硅通孔及两片芯片堆叠模型的热应力。采用单个硅通孔模型证实了应力分布受填充材料(铜,钨)的影响,提出钨在热应力方面的优越性,确定了硅通孔尺寸(通孔直径、深宽比等因素)与热应力大小间的对应关系。为寻找拥有最佳热应力的材料组合,采用两片芯片堆叠的二维模型,对常用材料的组合进行了仿真分析,发现以二氧化硅为隔离层,钨为填充金属,锡为键合层的模型具有最理想的热应力特性,此外,铜、ABF以及锡的组合也表现出良好的热应力特性。
- 袁琰红高立明吴昊李明
- 关键词：热应力有限元分析
- 基于ESD的芯片失效分析被引量：8
- 2012年
- 提出了一种基于静电放电(ESD)的芯片可靠性测试及失效分析流程,并且以芯片静电放电测试为例详细阐述了芯片失效分析的过程与实现方法,包括电性失效分析和物理失效分析。通过专用仪器对芯片进行了静电放电测试,并利用红外微光显微镜(EMMI)及砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)等实现芯片故障定位,从而确定芯片的失效模式与失效机理,实验证明该方法切实有效,这种失效分析的结果对优化集成电路的抗静电设计以及外部工作环境的完善都具有重要的参考意义。
- 袁琰红陈力王英杰高立明
- 关键词：静电放电显微镜静电防护
