高立明
- 作品数：5 被引量：31H指数：3
- 供职机构：上海交通大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MBE生长GaAs/AlGaAs量子阱材料结构及其光学性能研究被引量：1
- 2015年
- 系统研究了I类组分量子阱结构材料GaAs/AlGaAs的结构设计、材料表征及光学性能。利用分子束外延(MBE)技术生长量子阱材料,原子力显微镜(AFM)测量结果表明样品表面粗糙度达到10-1 nm数量级。X射线双晶衍射测试结果显示材料具备良好的生长质量及晶格完整性。室温光致发光谱探测出量子阱导带电子与价带轻重空穴的复合发光,及施主-受主(D-A)能级间距与GaAs禁带宽度。综合分析结果表明用MBE方法制备实现了与设计结构高度相符的GaAs/Al0.27Ga0.73As量子阱样品,为后期器件设计的精确实现提供了理论依据。
- 张丹李明高立明赵连城
- 关键词：GAAS/ALGAAS光学性能
- 粘结层空洞对功率器件封装热阻的影响被引量：14
- 2013年
- 功率器件的热阻是预测器件结温和可靠性的重要热参数,其中芯片粘接工艺过程引起的粘结层空洞对于器件热性能有很大的影响。采用有限元软件Ansys Workbench对TO3P封装形式的功率器件进行建模与热仿真,精确构建了不同类型空洞的粘结层模型,包括不同空洞率的单个大空洞和离散分布小空洞、不同深度分布的浅层空洞和沿着对角线分布的大空洞。结果表明,单个大空洞对器件结温和热阻升高的影响远大于相同空洞率的离散小空洞;贯穿粘结层的空洞和分布在芯片与粘结层之间的浅空洞会显著引起热阻上升;分布在粘结层边缘的大空洞比中心和其他位置的大空洞对热阻升高贡献更大。
- 吴昊陈铭高立明李明
- 关键词：有限元分析粘结层热阻结温空洞率
- 硅通孔尺寸与材料对热应力的影响被引量：8
- 2013年
- 通过有限元分析研究了单个硅通孔及两片芯片堆叠模型的热应力。采用单个硅通孔模型证实了应力分布受填充材料(铜,钨)的影响,提出钨在热应力方面的优越性,确定了硅通孔尺寸(通孔直径、深宽比等因素)与热应力大小间的对应关系。为寻找拥有最佳热应力的材料组合,采用两片芯片堆叠的二维模型,对常用材料的组合进行了仿真分析,发现以二氧化硅为隔离层,钨为填充金属,锡为键合层的模型具有最理想的热应力特性,此外,铜、ABF以及锡的组合也表现出良好的热应力特性。
- 袁琰红高立明吴昊李明
- 关键词：热应力有限元分析
- 3D电子封装侧壁布线的互连界面处理工艺研究
- 2022年
- 与传统封装形式相比,3D电子封装可实现更高密度集成,大幅缩小尺寸。以侧壁布线为互连方式的3D封装结构更加紧凑,与现有工艺兼容性好,具有广泛的应用前景。本研究针对该工艺缺乏合适的侧壁处理手段导致互连界面电阻偏高的问题,探讨了离子轰击等物理方法对侧壁互连界面处理的工艺,实现了低接触电阻侧壁互连。同时,借助高分辨透射电镜、小角度X射线衍射及纳米束电子衍射等分析手段对侧壁互连界面层进行了解析。结果表明,处理后界面氧化膜中氧原子含量大幅降低,并密集分布着被还原的金属铜晶粒,证明了即使氧离子轰击也可使氧化膜中的铜离子被还原为金属铜,从而揭示了离子轰击降低互连界面接触电阻的内在机制。
- 杨繁吴蕴雯高立明张文龙李明
- 关键词：等离子体处理
- 基于ESD的芯片失效分析被引量：8
- 2012年
- 提出了一种基于静电放电(ESD)的芯片可靠性测试及失效分析流程,并且以芯片静电放电测试为例详细阐述了芯片失效分析的过程与实现方法,包括电性失效分析和物理失效分析。通过专用仪器对芯片进行了静电放电测试,并利用红外微光显微镜(EMMI)及砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)等实现芯片故障定位,从而确定芯片的失效模式与失效机理,实验证明该方法切实有效,这种失效分析的结果对优化集成电路的抗静电设计以及外部工作环境的完善都具有重要的参考意义。
- 袁琰红陈力王英杰高立明
- 关键词：静电放电显微镜静电防护
