许发月
- 作品数：9 被引量：21H指数：3
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- PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的^(60)Coγ辐照高温退火评估方法
- 2011年
- 选用了三种型号的PNP输入双极运算放大器,在正偏和零偏状态下进行了辐照实验,由此对高剂量率辐照后高温退火加速评估方法进行了探索。结果表明,辐照后高温退火的实验结果乘以一定的倍数因子,便可较好地模拟PNP输入双极运算放大器的低剂量率辐照损伤,根据曲线的变化规律可以较快地鉴别器件是否存在低剂量率辐射损伤增强效应。
- 许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东
- 关键词：双极运算放大器低剂量率辐射损伤增强效应
- PNP输入双极运算放大器的辐射效应被引量：1
- 2012年
- 对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。
- 许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东
- 关键词：低剂量率偏置
- 不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响被引量：3
- 2011年
- 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重。并对对实验现象的相关机理进行了分析。
- 席善斌王志宽陆妩王义元许发月周东李明王飞杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管
- 线性稳压器不同偏置下电离总剂量及剂量率效应被引量：7
- 2010年
- 为对工作在空间电离环境中稳压器的电离总剂量及剂量率效应进行研究,选择一种常用的低压差线性稳压器进行了不同偏置的高低剂量率的电离辐照和退火实验。结合电路特征和电离辐射效应,对线性稳压器产生蜕变的原因进行分析。结果显示,器件输出电压、线性调整率、负载调整率等关键参数在电离辐射环境下发生不同程度变化。在零偏条件下,低剂量率(LDR)下损伤明显大于高剂量率(HDR)条件,表现出低剂量率损伤增强效应;而在工作偏置条件下,高剂量率辐照损伤大于低剂量率的,退火实验中,发生损伤恢复现象,表现为时间相关效应。在整个辐照和退火过程中,零偏置损伤比工作偏置损伤大。
- 王义元陆妩任迪远高博席善斌许发月
- 关键词：线性稳压器电离辐射剂量率效应偏置
- 静态随机存储器总剂量辐射及退火效应研究
- 2012年
- 通过比较1Mbit商用静态随机存储器(SRAM)在6种不同偏置条件下器件参数(静态和动态功耗电流)和功能参数(错误数)随辐射总剂量、退火时间的变化规律,研究了不同工作状态对辐射损伤的影响,以及不同偏置和温度(25℃和100℃)条件下的退火机制。结果表明:不同偏置对器件参数和功能退化及退火恢复有较大影响;静态和动态功耗电流为器件的敏感参数,在静态偏置条件下器件的辐射损伤最严重。
- 李明余学峰许发月李茂顺高博崔江维周东席善斌王飞
- 关键词：静态随机存储器总剂量效应功耗电流退火效应
- PDSOI CMOS SRAM总剂量辐射及退火效应的研究被引量：2
- 2011年
- 通过对PDSOI CMOS静态随机存储器(SRAM)在静态偏置条件下器件功耗电流和功能错误数随辐射总剂量、退火时间的变化规律,以及不同温度(25oC和100oC)条件的退火行为进行研究,探讨了SOI工艺SRAM的总剂量辐射损伤机制及辐照环境中功耗电流变化与器件功能之间的相关性,为进一步深入研究大规模SOI集成电路的抗总剂量辐射加固及星用器件的辐射损伤评估提供途径和方法。
- 李明余学峰卢健高博崔江维周东许发月席善斌王飞
- 关键词：PDSOISRAM总剂量效应功耗电流退火效应
- 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法研究被引量：1
- 2012年
- 结合数学回归分析与物理应力实验的方法,研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过一定的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感参数;建立预测集成电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示,数学回归分析与物理应力实验结合的方法提高了无损筛选的可靠性。
- 周东郭旗李豫东李明席善斌许发月王飞
- 不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应被引量：5
- 2010年
- 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。
- 席善斌陆妩郑玉展许发月周东李明王飞王志宽杨永晖
- 关键词：NPN双极晶体管Γ辐照
- 凝胶剂量计调强放射治疗三维剂量验证初探被引量：3
- 2011年
- 调强放射治疗(IMRT)是最先进的放射治疗技术之一,因其复杂性和三维治疗计划系统的逆向计算的优化算法在某些方面还不够成熟,所以治疗前必须进行剂量验证以确保治疗剂量的准确性。本文使用聚合物凝胶剂量计对调强放射治疗三维剂量的验证进行初步探索。用丙烯酰胺、明胶、交联剂、除氧剂在常氧条件下制备凝胶剂量计,使用调强放射治疗计划对球形烧瓶(模拟辐照体模)进行辐照,^(60)Coγ射线对同批次制备的剂量计试管进行剂量刻度。其后进行磁共振成像得到刻度曲线和模拟靶区的二维、三维剂量分布。结果表明,新型的凝胶剂量计对剂量的响应能够准确地呈现出靶区形状和三维剂量分布,高剂量梯度区分辨明显。
- 王飞何承发杨进于飞刘艳赵云孙玉润周东席善斌许发月李明
- 关键词：调强放射治疗磁共振成像
