席善斌
- 作品数：27 被引量：55H指数：4
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生更多>>
- 双极电压比较器不同条件下总剂量辐射效应被引量：3
- 2012年
- 为分析电压比较器在空间辐射环境下的损伤变化规律,对电压比较器在不同偏置和剂量率下的电离辐射效应进行了系统研究。结果表明,电压比较器的多个参数均发生较大变化,且敏感参数与辐照条件有很强的依赖关系。不同偏置的高低剂量率辐照结果显示,比较器的剂量率效应与偏置相关,不同偏置条件下,器件的辐射损伤模式略有不同。
- 王义元陆妩任迪远吴雪席善斌高博徐发月
- 关键词：电离辐射剂量率效应
- PNP输入双极运算放大器ELDRS效应的^(60)Coγ辐照高温退火评估方法
- 2011年
- 选用了三种型号的PNP输入双极运算放大器,在正偏和零偏状态下进行了辐照实验,由此对高剂量率辐照后高温退火加速评估方法进行了探索。结果表明,辐照后高温退火的实验结果乘以一定的倍数因子,便可较好地模拟PNP输入双极运算放大器的低剂量率辐照损伤,根据曲线的变化规律可以较快地鉴别器件是否存在低剂量率辐射损伤增强效应。
- 许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东
- 关键词：双极运算放大器低剂量率辐射损伤增强效应
- 大规模集成电路抗辐射性能无损筛选方法被引量：1
- 2013年
- 空间辐射环境会对电子器件产生辐射损伤。由于商用器件性能普遍优于抗辐射加固器件,所以从商用器件中筛选出抗辐射性能优异的器件将在一定程度上提高空间电子系统的可靠性。结合数学回归分析与物理应力实验的方法,研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术。通过不同的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感参数;建立预测电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证。结果显示,物理应力实验与数学回归分析结合的筛选方法减小了实验值与预测值的偏差,提高了预估方程的拟合优度和显著程度,使预估方程处于置信区间。
- 周东郭旗任迪远李豫东席善斌孙静文林
- 关键词：大规模集成电路
- PNP输入双极运算放大器的辐射效应被引量：1
- 2012年
- 对PNP输入双极运算放大器进行了不同偏置条件和不同剂量率下电离辐照实验。结果表明,高剂量率辐照时,正偏置条件下的偏置电流变化稍大于零偏置;低剂量率辐照时,正偏置下的偏置电流变化小于零偏置。两种PNP输入双极运算放大器均表现出明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且在零偏置下的低剂量率辐照损伤增强效应更显著。
- 许发月陆妩王义元席善斌李明王飞周东
- 关键词：低剂量率偏置
- 双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性被引量：2
- 2013年
- 介绍了LM837双极运算放大器分别在不同能量(1.8、1 MeV)不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后3种退火温度(室温,100、125℃)下随时间的变化,并讨论了引起电参数失效的机理。结果表明:与1 MeV辐照相比,1.8MeV电子辐照引起的LM837辐射损伤更明显;辐照过程中正偏条件下的偏置电流变化较零偏时的稍大;LM837辐照后的退火行为与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关。
- 胡天乐陆妩何承发席善斌周东胥佳灵吴雪
- 关键词：双极运算放大器电子辐照偏置条件退火
- PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性被引量：4
- 2013年
- 研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1MeV电子和60Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律.分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理.结果表明:1MeV电子辐照LM837引起的损伤主要是电离损伤,并且在正偏情况下比60Coγ源辐照造成的损伤大;辐照过程中,不同辐照源正偏条件下的偏置电流变化都比零偏时微大;在不同的辐照源下,LM837辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.
- 胡天乐陆妩席善斌郭旗何承发吴雪王信
- 关键词：PNP偏置条件退火
- 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷被引量：2
- 2012年
- 设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.
- 席善斌陆妩王志宽任迪远周东文林孙静
- 关键词：栅控电荷分离
- 不同电子能量辐照下偏置对运算放大器辐射效应的影响
- 本文介绍了LM837双极运算放大器在1.8Mev、1Mev，不同能量不同束流、相同能量不同束流的电子辐照下的辐射效应及常温退火特性。试验结果表明：1.8MeV电子能量辐照引起的LM837辐射损伤比1Mev明显;辐照过程中...
- 胡天乐陆妩席善斌胥佳灵吴雪张乐情卢健于新
- 关键词：运算放大器电子能量偏置条件
- 重离子导致的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集三维数值模拟被引量：9
- 2013年
- 针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGeHBTs),采用半导体器件模拟工具,建立SiGeHBT单粒子效应三维损伤模型,研究影响SiGeHBT单粒子效应电荷收集的关键因素.分析比较重离子在不同位置入射器件时,各电极的电流变化和感生电荷收集情况,确定SiGeHBT电荷收集的敏感区域.结果表明,集电极/衬底结内及附近区域为集电极和衬底收集电荷的敏感区域,浅槽隔离内的区域为基极收集电荷的敏感区域,发射极收集的电荷可以忽略.此项工作的开展为下一步采用设计加固的方法提高器件的抗辐射性能打下了良好的基础.
- 张晋新郭红霞郭旗文林崔江维席善斌王信邓伟
- 关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应电荷收集
- 基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法
- 本发明提供一种基于仿真的锗硅异质结双极晶体管单粒子效应检测方法，该方法构建合理的锗硅异质结双极晶体管器件模型和网格；对构建的锗硅异质结双极晶体管器件模型的半导体器件特性进行仿真；开展锗硅异质结双极晶体管模型关键电学参数校...
- 郭红霞郭旗张晋新文林陆妩余学峰何承发崔江维孙静席善斌邓伟王信
- 文献传递
