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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇激光
  • 3篇腔面
  • 3篇面发射
  • 3篇面发射激光器
  • 3篇激光器
  • 3篇发射激光器
  • 3篇垂直腔
  • 3篇垂直腔面
  • 3篇垂直腔面发射
  • 3篇垂直腔面发射...
  • 2篇离子注入
  • 2篇光放大
  • 2篇光放大器
  • 2篇发光
  • 2篇发光管
  • 2篇放大器
  • 2篇辐射发光
  • 2篇半导体光放大...
  • 2篇超辐射
  • 2篇超辐射发光管

机构

  • 6篇吉林大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 6篇许呈栋
  • 5篇杜国同
  • 4篇宋俊峰
  • 3篇王海嵩
  • 2篇常玉春
  • 2篇崔宏峰
  • 1篇曾毓萍
  • 1篇高强
  • 1篇张源涛
  • 1篇王金忠
  • 1篇王涛
  • 1篇侯小珂
  • 1篇刘杨
  • 1篇李雪梅
  • 1篇杜云
  • 1篇王剑钢
  • 1篇吴荣汉
  • 1篇陈弘达
  • 1篇吴宾

传媒

  • 2篇中国激光
  • 1篇半导体光电

年份

  • 3篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
量子阱混合超辐射发光管及其制作方法
本发明涉及一种应用量子阱混合技术制作的超辐射发光器件及该发光器件的制作方法。超辐射发光器件顺次由下电极、n-InP衬底、n-InP缓冲层、n-InGaAsP分别限制层、InGaAsP多量子阱有源层、p-InGaAsP分别...
许呈栋杜国同
文献传递
宽谱1.5微米量子阱集成超辐射光源及半导体光放大器的研制
本文对宽谱1.5微米量子阱集成超辐射光源及半导体光放大器的制备进行了研究。文章介绍了超辐射器件的发展历程,并专门对单片集成的超辐射发光器件的提出及设计作了介绍。针对超辐器件的特点,并专门对器件结构做了一定的处理后,通过速...
许呈栋
关键词:光纤通信光放大器半导体激光
非均匀阱宽多量子阱155μm高功率超辐射光源被引量:4
2003年
采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱 ,并利用前期关于倾斜脊形集成超辐射光源的研究成果 ,制得了新型的 1 5 5 μm高功率宽光谱InGaAsP InP集成超辐射光源。发现该器件较均匀阱宽多量子阱器件的输出光谱有很大变化 ,光谱半宽由原来的 2 0~ 30nm ,增加到 4 5~ 6 0nm左右。该器件同样具有较好的抑制激射能力 ,在可测试范围内 ,在没有蒸镀腔面抗反射膜的情况下未见激射模式的出现。在准连续工作条件下 ,器件最大峰值功率已达到 15 0mW以上。
刘杨宋俊峰曾毓萍吴宾张源涛许呈栋杜国同
关键词:量子光学超辐射发光管半导体光放大器单片集成光谱分割多波长光源
基于垂直腔面发射激光器的收发模块研究进展被引量:4
2002年
垂直腔面发射激光器因与传统的边发射激光器有不同的结构 ,所以在光互联、光存储、光通信等方面得到了越来越广泛的应用。文章概述了近年来以垂直腔面发射激光器为发光器件的收发模块结构的最新研究与进展 。
王海嵩宋俊峰许呈栋侯小珂王剑钢常玉春王金忠杜国同
关键词:激光二极管收发模块
钨丝掩模二次倾斜离子注入850nm室温连续垂直腔面发射激光器被引量:1
2004年
采用钨丝做掩模 ,进行倾斜的离子注入优化电流限制区 ,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件。该器件的最低阈值电流为 1 4mA ,串联电阻约 2 0 7Ω ,输出光功率超过 1mW。
王海嵩杜国同崔宏峰许呈栋宋俊峰杜云陈弘达吴荣汉
关键词:激光技术离子注入垂直腔面发射激光器
钨丝掩膜离子注入垂直腔面发射激光器
杜国同王海嵩宋俊峰常玉春许呈栋崔宏峰高强王涛李雪梅
该项目为“MBE超晶格材料生长与垂直腔微腔激光器-垂直腔微腔激光器的研究”该项目以采用具有Al渐变层的DBR材料和GaAs量子阱的VCSEL结构外延片,发明设计了钨丝掩膜离子注入垂直腔面发射激光器器件结构和工艺方法,同时...
关键词:
关键词:激光器垂直腔钨丝
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