您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇腔面
  • 3篇面发射
  • 3篇面发射激光器
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 3篇发射激光器
  • 3篇垂直腔
  • 3篇垂直腔面
  • 3篇垂直腔面发射
  • 3篇垂直腔面发射...
  • 2篇离子注入
  • 1篇室温
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振态
  • 1篇钨丝
  • 1篇激光技术
  • 1篇光技术
  • 1篇横模
  • 1篇VCSEL

机构

  • 3篇吉林大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇崔宏峰
  • 2篇许呈栋
  • 2篇王海嵩
  • 2篇宋俊峰
  • 2篇杜国同
  • 1篇高强
  • 1篇王涛
  • 1篇常玉春
  • 1篇李雪梅
  • 1篇杜云
  • 1篇吴荣汉
  • 1篇陈弘达

传媒

  • 1篇中国激光

年份

  • 2篇2004
  • 1篇2003
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
用分区光谱扫描测试系统研究VCSEL的横模
该论文的研究内容主要是根据垂直腔面发射激光器(VCSEL)的横模控制理论,对VCSEL进行一定深度的浅表面环形刻蚀,使有着环形出光窗口的VCSEL实现大功率单模工作.同时,我们提出并创建了分区光谱扫描系统,利用此系统对V...
崔宏峰
关键词:垂直腔面发射激光器
文献传递
钨丝掩模二次倾斜离子注入850nm室温连续垂直腔面发射激光器被引量:1
2004年
采用钨丝做掩模 ,进行倾斜的离子注入优化电流限制区 ,制作出室温连续的垂直腔面发射激光器件。该器件的最低阈值电流为 1 4mA ,串联电阻约 2 0 7Ω ,输出光功率超过 1mW。
王海嵩杜国同崔宏峰许呈栋宋俊峰杜云陈弘达吴荣汉
关键词:激光技术离子注入垂直腔面发射激光器
钨丝掩膜离子注入垂直腔面发射激光器
杜国同王海嵩宋俊峰常玉春许呈栋崔宏峰高强王涛李雪梅
该项目为“MBE超晶格材料生长与垂直腔微腔激光器-垂直腔微腔激光器的研究”该项目以采用具有Al渐变层的DBR材料和GaAs量子阱的VCSEL结构外延片,发明设计了钨丝掩膜离子注入垂直腔面发射激光器器件结构和工艺方法,同时...
关键词:
关键词:激光器垂直腔钨丝
共1页<1>
聚类工具0