邓冬生
- 作品数：10 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国核工业集团公司核工业西南物理研究院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：核科学技术一般工业技术理学更多>>
- HL-1M 装置硼化膜的研究被引量：1
- 1998年
- ＨＬ－１Ｍ装置采用Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２蒸气对真空室内壁进行了原位硼化，取得了满意的效果。采用沉积探针技术并结合四极质谱分析技术对膜的成分、热解释性能、Ｄ＋束辐照化学腐蚀性能、ＨＬ－１Ｍ装置第一壁成膜的平均速率和膜厚的均匀度以及硼化前后的碳、氧杂质和放电期间器壁再循环特性进行了研究。
- 王明旭张年满王志文王恩耀邓冬生洪文玉崔成和梁雁朱毓坤
- 关键词：第一壁硼化膜性能托卡马克
- 氘离子束轰击石墨引起化学腐蚀的实验进展
- 1999年
- 在ＳＭＦ－８００ 石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上，进一步测试了Ｇ３ 石墨、ＳＭＦ－８００ 高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ涂层等在１．３μＡ／３ｋｅＶ 氘离子束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２ 氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００ 石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其ＣＤ４ 产额较ＳＭＦ－８００ 高纯石墨的降低一个数量级以上，ＣＤ４ 产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。用小角度转动样品法，初步观察了氘离子束轰击下石墨释放ＣＤ４ 的角分布特性，为托卡马克先进偏滤器实验中确立ＣＤ４
- 朱毓坤王明旭王志文邓冬生
- 关键词：石墨涂层化学腐蚀托卡马克第一壁离子轰击
- HL-1M装置器壁锻炼
- 2002年
- HL-1M装置运行的7年中，系统地研究了器壁原位清洗、原位硼化、硅化、锂化和锂-硅复合处理以及涂层的原位清除技术。由于原位硅化具有稳定、良好的杂质和再循环控制能力，使其成为HL-1M装置进行改善等离子体约束实验必不可少的壁处理手段。锂-硅复合壁具有锂壁的低杂质、低氢再循环和低辐射能量，又具有硅化壁长寿命的特点，是目前最佳的壁处理手段。He-GDC取代了H2-TDC，在器壁原位清洗、器壁原位处理和涂层原位清除中扮演了重要角色。
- 王明旭张年满王志文邓冬生严东海崔成和梁雁王恩耀刘永朱毓坤
- 关键词：HL-1M装置硅化再循环涂层
- 托卡马克删削层与偏滤器中等离子体输运的解析研究被引量：2
- 2001年
- 研究了托卡马克删削层和部分偏滤器等离子体的输运问题 .利用粒子数守恒和“两点模型” ,计算了在有摩擦的情况下 ,删削层中等离子体的密度分布。
- 李齐良郑永真程发银邓小波邓冬生游佩林刘贵昂陈向东
- 关键词：托卡马克密度分布温度分布
- HL-1M装置第一壁锂-硅复合涂层及其效果被引量：1
- 2002年
- 在HL 1M装置上新开发出一种第一壁原位锂 硅复合涂覆技术。装置涂覆后 ,真空室内的真空度上升 ,杂质气体的分压强下降 ,低于单一的硅化或锂涂覆。在相同放电参数下 ,具有锂 硅涂层的放电与原位硅化放电相比 :等离子体中的碳、氧杂质浓度下降了 30 % ,尤其是随着等离子体密度上升碳杂质下降得更显著 ;等离子体能量辐射损失降低了 2 5 % ;等离子体边缘温度和密度有所降低 ,这表明等离子体内部约束得到改善。有原位锂 硅复合涂覆的放电结果略好于或同于单一原位锂涂覆放电的结果 ,但这种复合涂层能维持 10 0余次托卡马克放电 ,较单一原位锂涂层维持的放电次数高一个数量级 ,这证明了锂 硅复合涂覆技术的优异性能。
- 王明旭张年满邓冬生严东海崔成和梁雁刘永
- 关键词：HL-1M装置第一壁等离子体
- 氘束轰击石墨化学腐蚀的实验研究被引量：3
- 1997年
- 石墨的化学腐蚀实验是在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪的分析室中进行的，用高能氘离子束或与电子束联合辐照石墨，石墨温度从３００—１０００Ｋ可调。辐照下释放的产物用四极质谱探头进行了质谱分析，得到了１．３μＡ、３ｋｅＶ氘束轰击下ＳＭＦ－８００石墨释放氘甲烷（ＣＤ４）的温度特性，在７８０Ｋ处有一个释放高峰。通过分析指出，氘甲烷产额γ除与居留在石墨表面层的氘原子密度ｎＤ有关外，还应和氘甲基（ＣＤ３）的表面层密度ｎＣＤ３相关，即γ＝ＡｎＤｎＣＤ３ｅｘｐ（－ＥＲ／ＲＴ）。实验拟合出石墨表面层中氘甲烷的化学合成激活能ＥＲ＝７．８ｋｃａｌｍｏｌ－１，ＣＤ３和Ｄ的综合脱附激活能Ｅ１＝３５．８ｋｃａｌ·ｍｏｌ－１。从而进一步阐明：在温度高于８００Ｋ后。
- 朱毓坤王明旭王志文邓冬生
- 关键词：石墨化学腐蚀反应堆材料
- 氘束轰击石墨化学腐蚀的实验进展
- 1997年
- 在ＳＭＦ－８００石墨第一壁化学腐蚀温度特性的实验研究基础上，进一步测试了Ｇ３石墨、ＳＭＦ－８００高纯石墨和硼化石墨，以及ＳｉＣ镀层等在１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下化学腐蚀的温度特性。从中优选出Ｃ２Ｂ１０Ｈ１２氦辉光放电法制取的ＳＭＦ－８００石墨硼化层，它具有最佳的抗化学腐蚀性能。其ＣＤ４产额较ＳＭＦ－８００高纯石墨降低一个量级以上，ＣＤ４产额峰值温度下移至６５０Ｋ附近。用小角度转动样品法，初步地观察了氘束轰击下石墨释放ＣＤ４的角分布特性，为托卡马克偏滤器实验中建立ＣＤ４辐射区的定位及其控制等可行性进行了探索。
- 朱毓坤王明旭邓冬生王志文
- 关键词：涂层化学腐蚀石墨托卡马克装置
- 残气质谱分析在 LAS-2000 上的应用被引量：1
- 1997年
- 详尽地探讨高真空及超高真空中的残余气体的质谱分析方法。运用这些方法在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪上进行了应用研究。精确地分析了ＬＡＳ－２０００的本底真空，发现其超高真空中含有较多的碳氢化合物，这些碳氢化学物主要影响氢（氘）轰击石墨的化学腐蚀研究的结果分析。
- 王志文王明旭朱毓坤邓冬生
- 关键词：质谱残余气体
- 石墨第一壁化学腐蚀的温度特性被引量：2
- 1996年
- 石墨的化学腐蚀实验是在ＬＡＳ－２０００二次离子质谱仪的分析室中进行的，入射高能氘离子束单独轰击或和一中和电子束联合轰击石墨以模拟等离子体辐照。石墨样品的温度从３００～１０００Ｋ可调。石墨样品是从进行过氢离子辐照实验的ＳＭＦ－８００石墨第一壁组件上切割下来的，它在氘束轰击下释放的产物（Ｍｅ－１＝２～４４范围内）用四极质谱探头ＳＱ１５６进行原位的分子束质谱分析，得到了在１．３μＡ／３ｋｅＶ氘束轰击下石墨样品释放氘甲烷（ＣＤ４）的温度特性，在７８０Ｋ温区有一个因增强的化学腐蚀而形成的释放高峰。
- 朱毓坤王明旭王志文邓冬生
- 关键词：化学腐蚀温度特性托卡马克装置
