邓雪然
- 作品数：10 被引量：8H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- Al<sub>x</sub>Zn<sub>1-x</sub>O薄膜光电性能的研究与应用
- ZnO是一种被广泛关注的宽禁带半导体，在室温下，其禁带宽度为3.37eV，能量对应于光谱中的近紫外波段，可用来对该波段的辐射进行探测；激子束缚能60meV，可用于制备室温下的短波长激光器件；热稳定性和化学稳定性高且抗辐射...
- 邓雪然
- 关键词：ZNO:AL薄膜
- AlxZn1-xO薄膜光电性能的研究与应用
- ZnO是一种被广泛关注的宽禁带半导体，在室温下，其禁带宽度为3.37eV，能量对应于光谱中的近紫外波段，可用来对该波段的辐射进行探测;激子束缚能60meV，可用于制备室温下的短波长激光器件;热稳定性和化学稳定性高且抗辐射...
- 邓雪然
- 关键词：光电性能
- ZnO基紫外光电探测材料研究被引量：1
- 2012年
- ZnO作为II-VI族直接宽禁带半导体材料,在室温下的禁带宽度约为3.37 eV,对应紫外波段的光子能量,且ZnO具有较高的化学和热稳定性,较强的抗辐射损伤能力,来源丰富,电子诱生缺陷较低等特点,适用于制备高性能的紫外探测器。而ZnO在掺杂后形成的合金可调节其禁带宽度,并与ZnO的晶格失配度及热膨胀系数差别较小,可构成量子阱或超晶格结构被广泛地应用于光电器件中,提高光电性能,所以相关的带隙工程的开展有利于推进实用的高性能的ZnO基光电器件的开发。尤其是对于ZnO基紫外探测器件,ZnO基三元合金具有可调控其探测波段到日盲区的特点,在此基础上所实现的紫外探测器在军事和民用领域具有广泛应用。基于此,笔者采用掺杂的方式调制ZnO的禁带宽度,使ZnO基三元合金材料的光学禁带宽度达到4.4 eV以上,获得可用于日盲紫外光波段探测的ZnO基光电探测器;同时,通过控制掺杂技术开发ZnO基异质复合结构,可应用于高性能的紫外光电发射探测器件。主要内容和创新性结果如下:1.采用溶胶–凝胶方法制备了Mg、Cd、Al掺杂的ZnO基三元合金薄膜,并对其微结构和光电性能进行研究,分析其掺杂效率和光学禁带调制效应,获得掺杂对ZnO薄膜禁带宽度调制的规律,并从不同元素掺杂引起Zn3d电子结合能变化的角度探讨了其禁带调制的机理。2.采用射频磁控溅射法制备AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,研究不同掺Al浓度对其微结构和光电性质的影响规律,研究表明:Al粒子数分数增大到20%会导致ZnO纤锌矿结构的消失,表明掺Al的固溶度在20%以内,而当掺Al粒子数分数达到30%则出现新的晶相;且随掺Al粒子数分数增加,薄膜中晶粒细化,电阻率大幅上升;通过改变Al组分可较大地展宽光学带隙,在Al粒子数分数为30%时带隙被展宽至4.43 eV。3.探讨氧气氛对AZO合金薄膜导电性的影响,并通过对其微结构和
- 韦敏邓宏邓雪然
- 关键词：紫外光电探测器
- AlxZn1-xO合金光电探测器研究
- 在硅衬底上磁控溅射制备 AlxZn1-xO(AZO)合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得MSM结构光电探测器。AZO合金薄膜对紫外和可见光有高于80％的透过率,随Al含量增加,光学吸收带边呈蓝移趋势,且其电流与...
- 韦敏李杰邓雪然邓宏
- 关键词：光谱响应光电探测器电压特性
- 文献传递
- 一种AlZnO紫外光电阴极材料及其紫外真空光电管
- 一种AlZnO紫外光电阴极材料及其紫外真空光电管，属于电子材料与元器件技术领域。所述AlZnO紫外光电阴极材料，包括衬底基片、沉积于衬底基片表面的金属底电极和沉积于衬底金属底电极表面的AlZnO合金薄膜；所述AlZnO合...
- 邓宏韦敏邓雪然
- 文献传递
- Al掺杂浓度对ZnO陶瓷释能电阻材料性能的影响被引量：4
- 2014年
- 为了制备ZnO释能电阻并研究Al掺杂浓度对ZnO释能电阻材料的影响,通过改进的制陶工艺制备了不同Al掺杂浓度的ZnO导电陶瓷.实验结果表明,Al掺杂浓度对ZnO释能电阻的导电性、能量密度和线性度均有较大的影响.Al的掺杂能较好地改善ZnO释能电阻的线性度,非线性系数可低至1.02; Al掺杂能很好地控制ZnO的电阻率,使其达到0.54 Ω·cm;Al掺杂还能较好地改善ZnO陶瓷的均匀性和密度,从而提高ZnO释能电阻的能量吸收密度,能量吸收密度高达720 J/cm3,较金属释能材料高出2～3倍.
- 杨胜辉邓宏韦敏邓雪然
- 关键词：导电性线性度
- 额定压强下O_2/Ar比对ZnO:Al薄膜导电性能的影响被引量：2
- 2010年
- 采用射频磁控溅射法在石英玻璃基片上制备出ZnO:Al薄膜,并对薄膜在不同O2/Ar比状态下的沉积厚度、结晶性能和导电性能之间的关系进行了探讨。测试结果表明:在0.2Pa的额定压强下,Ar流量越大,薄膜的厚度越大,XRD峰越强,薄膜的电阻率(ρ)值越低。在纯氩气状态下溅射时,制得的薄膜具有最大的厚度值,约为2.06μm,并具有最强的XRD峰,ρ同时也达到最小值,阻值为2.66×10-4Ω.cm。研究表明:结晶性能的提高对薄膜ρ的降低起到了关键作用,而厚度的增加也会使电阻率下降。
- 邓雪然邓宏韦敏陈金菊
- 关键词：射频磁控溅射导电性能
- 熔断电阻器瞬态特性仿真分析
- 2012年
- 为了简单有效地改进熔断电阻器的性能,采用有限元分析软件ANSYS建立了熔断电阻器的模型,对其在过电流状态下的瞬态温度场变化过程进行了数值模拟,并进行了实验验证。通过对熔断电阻器的热电耦合模拟,得到了不同电流下的熔断时间和温度分布云图。熔断时间的实验结果和模拟结果误差率为5%左右,这为熔断电阻器的设计和生产提供了方法和理论依据。
- 邱文文邓宏邓雪然姚建强李觅
- 关键词：熔断电阻器有限元分析ANSYS
- 一种AlZnO紫外光电阴极材料及紫外真空像增强器
- 一种AlZnO紫外光电阴极材料及紫外真空像增强器，属于电子材料与元器件技术领域。本发明采用采用沉积于透紫衬底基片上的高导电Al<Sub>y</Sub>Zn<Sub>1-y</Sub>O<Sub>1+0.5y</Sub>(...
- 邓宏韦敏邓雪然
- 文献传递
- Al_xZn_(1-x)O合金MSM光电探测器的研究被引量：1
- 2011年
- 在Si衬底上磁控溅射制备AlxZn1-xO（AZO）合金薄膜,在其上真空蒸发Ni/Au叉指电极获得金属-半导体-金属（MSM）结构光电探测器。采用UV-Vis-Nir分光光度计测量AZO系列薄膜的光吸收特性,观察到AZO合金薄膜的光学吸收带边随Al含量增加明显蓝移。测试AZO探测器的电流-电压特性、时间特性和响应光谱发现,随Al含量的增加,紫外光照下的电流-电压曲线呈现出明显的非线性特征,且光响应时间显著变小;30at.%Al含量样品在5 V偏压下暗电流为14 nA,光暗电流比达到10倍,上升时间和下降时间都小于1 s;Al含量为5 at.%时获得光电导型紫外光电探测器,而Al含量为30 at.%时获得紫外增强型Si探测器,其响应光谱变宽为0.3~1.0μm。
- 韦敏邓宏邓雪然陈金菊
- 关键词：光电探测器合金
