杨胜辉
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>
- 铜掺杂氧化锌薄膜阻变特性的研究被引量：2
- 2014年
- 以ZnO∶Al为底电极,Cu为顶电极,在同种工艺条件下分别制备了类电容结构的纯ZnO阻变器件和ZnO∶2%Cu阻变器件,分析比较了两种器件的典型I-V特性曲线、置位电压(V Set)和复位电压(V Reset)的分布范围、器件的耐久性。结果显示,ZnO∶Cu阻变器件较纯ZnO阻变器件有更大的开关比和更稳定的循环性能。另外,研究了ZnO∶Cu阻变器件的阻变机理,通过对其I-V特性曲线分析得出以下结论:ZnO∶Cu阻变器件在高阻态遵循空间电荷限制电流效应,低阻态符合欧姆定律。
- 杨帆韦敏邓宏杨胜辉刘冲
- Al掺杂浓度对ZnO陶瓷释能电阻材料性能的影响被引量：4
- 2014年
- 为了制备ZnO释能电阻并研究Al掺杂浓度对ZnO释能电阻材料的影响,通过改进的制陶工艺制备了不同Al掺杂浓度的ZnO导电陶瓷.实验结果表明,Al掺杂浓度对ZnO释能电阻的导电性、能量密度和线性度均有较大的影响.Al的掺杂能较好地改善ZnO释能电阻的线性度,非线性系数可低至1.02; Al掺杂能很好地控制ZnO的电阻率,使其达到0.54 Ω·cm;Al掺杂还能较好地改善ZnO陶瓷的均匀性和密度,从而提高ZnO释能电阻的能量吸收密度,能量吸收密度高达720 J/cm3,较金属释能材料高出2～3倍.
- 杨胜辉邓宏韦敏邓雪然
- 关键词：导电性线性度
- ZnO陶瓷释能电阻材料的研究
- 由于以往常用的金属材料和碳系电阻材料可靠性差、能量密度低等特点,使得其在各种吸能场合,尤其是在大功率方面的应用已无法满足要求,因此,人们迫切需要一种重量轻、体积小、可靠性高、耐受能量大的电阻材料,ZnO陶瓷释能电阻材料正...
- 杨胜辉
- 关键词：添加剂微观结构烧结温度
- 文献传递
- 一种低阻氧化锌陶瓷材料的制备方法
- 一种低阻氧化锌陶瓷材料的制备方法，属于电子材料技术领域。本发明以ZnO、Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、MgO和TiO<Sub>2</Sub>四种粉料为原料（可增加CaO、SiO<Sub>2</S...
- 邓宏杨胜辉韦敏杨帆
- 文献传递
